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钱眼专利首页 > 在高分子主链上含有碳原子以外原子的高分子化合物 的专利共 146 条
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1
一种导电聚合物氢键酸性气敏材料 [申请号/专利号:200810045441]
申请人/专利权人:电子科技大学
本发明公开了一种导电聚合物氢键酸性气敏材料,其特征在于,对导电聚合物进行了改性处理,引入呈氢键酸性的官能集团羟基(-OH)或含有羟基(-OH)的分子基团,用于检测氢键碱...
2008年11月5日
2
2008年1月30日
3
2008年12月3日
4
超支化共轭聚合物传感材料及其制备方法和用途 [申请号/专利号:200810062569]
申请人/专利权人:浙江大学
本发明公开了一种超支化共轭聚合物传感材料及其制备方法和用途。它以三苯胺为核,对吡啶撑乙烯撑或对吡啶撑乙炔撑为支链,即主链中引入吡啶基团和与之共轭的乙烯撑或乙炔撑得到超支...
2008年10月29日
5
有机硫聚合物在二次镁电池正极材料中的应用 [申请号/专利号:200610027413]
申请人/专利权人:上海交通大学
本发明公开了一种有机硫聚合物在二次镁电池正极材料中的应用,将有机硫聚合物作正极,以金属镁为负极,以Mg[AlCl↓[2](C↓[4]H↓[9])(C↓[2]H↓[5])...
2006年12月27日
6
含炔丙基醚的新型苯并噁嗪中间体及其树脂的制备方法 [申请号/专利号:200810014313]
申请人/专利权人:山东大学
本发明公开了一种含炔丙基醚的新型苯并噁嗪中间体及其聚合物的制备方法,具体合成路线是以含炔丙基醚基团的一元胺、含刚性结构的二元酚(或多元酚)和甲醛为反应原料,合成了含炔丙...
2008年8月6日
7
聚苯乙烯/聚3,4-乙撑二氧噻吩导电高分子复合粒子的制备方法 [申请号/专利号:200810024290]
申请人/专利权人:南京大学
聚苯乙烯/聚3,4-乙撑二氧噻吩导电高分子复合粒子的制备方法,将3,4-乙撑二氧噻吩与聚苯乙烯粒子乳液混合,搅拌数小时后,在50~80℃下加入氧化剂,搅拌下,滴加掺杂酸...
2008年10月15日
8
含硅芴共轭聚合物及其制备方法和应用 [申请号/专利号:200710028956]
申请人/专利权人:华南理工大学
本发明涉及含硅芴共聚物的制备及其应用,所述共聚物由单体2,7-硅芴和窄带隙单体共聚物组成,共聚物的吸收光谱吸收边大于500纳米。其制备方法是将2,7-硅芴单体与含氮和/...
2008年3月26日
9
2008年1月23日
10
可溶性聚乙撑二氧噻吩的制备方法 [申请号/专利号:200810053126]
申请人/专利权人:天津大学
本发明涉及一种可溶性聚乙撑二氧噻吩的制备方法,属于光电功能材料的制备技术。该方法过程包括:配制对十二烷基苯磺酸的去离子水溶液,在溶液中加入乙撑二氧噻吩,制得单体溶液;制...
2008年10月1日
11
聚苯撑乙烯及其衍生物,制备方法和应用 [申请号/专利号:200610026117]
申请人/专利权人:复旦大学
本发明属太阳能电池材料技术领域,具体涉及一种末端含醛基主链含噻吩和苯基的聚苯撑乙烯(PTh-PV)及其衍生物,制备方法和应用。PTh-PV结构通式如上,平均分子量:30...
2006年11月15日
12
一种用抽滤/浸渍法制备有序多孔导电聚合物的方法 [申请号/专利号:200610018387]
申请人/专利权人:武汉化工学院
本发明涉及一种用抽滤/浸渍法制备有序多孔导电聚合物的方法。该方法是:通过抽滤方式使单体与引发剂同时浸入胶体晶体模板内聚合,而后除去模板制备三维有序多孔导电聚合物的方法。...
2006年10月11日
13
2008年12月3日
14
用于改进有机发光二极管的聚噻吩制剂 [申请号/专利号:200710084118]
申请人/专利权人:H.C.施塔克公司
本发明涉及包含聚噻吩A)和至少两种其它聚合物的制剂,所述聚噻吩A)包含至少一种含有通式(Ⅰ-a)和/或(Ⅰ-b)的重复单元的聚噻吩,本发明还涉及该制剂的用途以及包含空穴...
2007年7月25日
15
2008年5月28日
16
锂电池正极材料噻吩类聚合物及锂电池的制备方法 [申请号/专利号:200710051273]
申请人/专利权人:武汉大学
本发明公开了一种锂电池正极材料噻吩类聚合物及锂电池的制备方法。噻吩、烷氧基噻吩、烷基噻吩、烃硫基噻吩、3,4-硫代噻吩等噻吩衍生物通过氧化聚合制得聚噻吩、聚烷氧基噻吩、...
2007年8月1日
17
聚氨基蒽醌纳米粒子的化学氧化直接制备方法 [申请号/专利号:200710040182]
申请人/专利权人:同济大学
本发明所述的聚氨基蒽醌纳米粒子的化学氧化直接制备方法是:首先将氨基蒽醌单体和氧化剂分别溶解于浓度为0.5~6mol/L的有机酸或无机酸的有机溶液中,且氧化剂与单体的摩尔...
2007年11月14日
18
官能化杂并苯和由其产生的电子器件 [申请号/专利号:200710089882]
申请人/专利权人:施乐公司
本发明公开了一种电子器件,如包含例如通式(Ⅰ)的半导体的薄膜晶体管,其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或合适的烃;每个R↓[1]和R↓[2]独立地是氢(H)、合适的烃...
2007年10月10日
19
半导体和由其产生的电子器件 [申请号/专利号:200710089881]
申请人/专利权人:施乐公司
本发明公开了包含通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)的聚合物或其混合物或异构体的电子器件,其中每个R↓[1]到R↓[10]独立地是氢、烷基、芳基、烷氧基、卤素、芳基烷基、氰基或硝基,...
2007年10月10日
20
一种3-辛基噻吩-共聚-3-(2-乙基-1-己基)噻吩的制备方法 [申请号/专利号:200710019335]
申请人/专利权人:东南大学
一种3-辛基噻吩-共聚-3-(2-乙基-1-己基)噻吩的制备方法,制备步骤为:在惰性气体保护下,将反应物镁粉、乙醚或四氢呋喃、卤代辛烷或卤代2-乙基己烷的混合液加热并搅...
2007年8月1日
21
π共轭单体化合物、低聚化合物和聚合物,以及包含它们的光电电池 [申请号/专利号:200580020334]
申请人/专利权人:法国原子能委员会
本发明涉及对应于以下化学式(Ⅰ)的单体化合物、低聚化合物或聚合物:其中:-A表示可选取代的多环基团,所述多环基团包含至少一个能够使发色团的连接成为可能的基团,X↓[1]...
2007年5月23日
22
聚乙撑二氧噻吩纳米棒的化学制备方法 [申请号/专利号:200610129504]
申请人/专利权人:天津大学
本发明公开了一种聚乙撑二氧噻吩纳米棒化学制备方法,属于聚乙撑二氧噻吩导电材料技术。该方法包括以下过程:配制0.5~1.2mol/L樟脑磺酸和乙撑二氧噻吩的混合溶液及0....
2007年6月6日
23
一种制备聚噻吩或其衍生物-多壁碳纳米管复合材料的方法 [申请号/专利号:200610113394]
申请人/专利权人:北京交通大学
本发明公开了一种制备聚噻吩或其衍生物-多壁碳纳米管复合材料的方法,涉及一种制备导电聚合物-碳纳米管复合材料的方法。本发明采用原位化学氧化聚合法制备聚噻吩或其衍生物-多壁...
2007年3月7日
24
2008年2月6日
25
导电性组合物及其制造方法,防静电涂料、防静电膜、及防静电胶片、滤光器、光信息记录 [申请号/专利号:200580034057]
申请人/专利权人:信越聚合物株式会社
一种导电性组合物,包含:π共轭导电性高分子、聚阴离子、以及具有两个以上羟基的含羟基芳香族化合物。抗静电涂料包含所述导电性组合物和溶剂。抗静电膜是由所述抗静电涂料涂布形成...
2007年9月12日
26
聚(炔基噻吩)和由其产生的电子器件 [申请号/专利号:200710089876]
申请人/专利权人:施乐公司
本发明公开了一种电子器件,其包括通式(Ⅰ)的半导材料,其中R是合适的烃或含杂原子的基团;和n表示重复单元的数目。...
2007年10月10日
27
一种p型掺杂的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)及其制法和用途 [申请号/专利号:200810124313]
申请人/专利权人:南京大学
一种聚(3,4-乙烯二氧噻吩)导电聚合物,它是由3,4-乙烯二氧噻吩单体电聚合、由1-甲基-3-丁基咪唑四氟硼酸盐作为电解液与掺杂剂,用恒电位法制备的p型掺杂聚合物,其...
2008年11月19日
28
2008年12月10日
29
含噻唑环合成物、聚合物、有源层、晶体管、器件及制法 [申请号/专利号:200810092029]
申请人/专利权人:三星电子株式会社
本发明公开了一种合成物,该合成物在聚合物主链上除了含有显示p-型半导体性能的噻吩以及显示n-型半导体性能的噻唑环之外,还包含显示p-型半导体性能的杂亚芳基或亚芳基,包含...
2008年9月3日
30
含氟的芳杂环液晶聚合物及其制备方法 [申请号/专利号:200810032640]
申请人/专利权人:东华大学
本发明提供了一种含氟的芳杂环液晶聚合物及其制备方法,制备方法如下:(1)将4,6-二氨基间苯二酚盐酸盐、对苯二甲酸在惰性气氛中与双(苯甲酸)六氟丙烷在多聚磷酸中进行共聚...
2008年7月9日
31
含氰基的苯并噁嗪中间体及其树脂 [申请号/专利号:200810016011]
申请人/专利权人:山东大学
本发明公开了一种含氰基的苯并噁嗪中间体及其树脂的制备方法,具体合成路线是以含氰基的一元酚、伯胺化合物和甲醛为反应原料,合成了含氰基的苯并噁嗪中间体,经固化交联得到了高性...
2008年9月17日
32
用于有机电致发光器件的聚合物 [申请号/专利号:200580026915]
申请人/专利权人:默克专利有限公司
一种包括任选取代的通式(1)的第一重复单元的聚合物:其中F是二价残基;G在每一次出现中独立的是二价残基;R至少是1;每一个p独立的是0或1,每一个相应的q是0或1的另一...
2007年7月18日
33
2008年5月28日
34
聚合物在上转换中的用途,和用于上转换的器件 [申请号/专利号:200580023915]
申请人/专利权人:默克专利有限公司
本发明涉及包括聚合物和敏化物的光能上转换体系,其中所述聚合物的三重态能级比所述敏化物的三重态能级低。这些体系显示较高的上转换效率,因此比现有技术使用的聚合物更适合用于上...
2007年6月20日
35
电子器件 [申请号/专利号:200710181679]
申请人/专利权人:施乐公司
本发明公开了一种电子器件,例如含有其下通式/结构式的半导体的薄膜晶体管,其中R、R′和R″例如独立地为氢、合适的烃、合适的含杂原子基团、卤素或其混合物;且n表示重复单元...
2008年4月30日
36
聚噻吩的合成方法 [申请号/专利号:200710171103]
申请人/专利权人:同济大学
本发明公开了一种聚噻吩的合成方法,其特征在于,包括以下步骤,将噻吩单体溶于第一溶剂中制成噻吩单体溶液,将三氯化铁溶于第二溶剂中制成三氯化铁溶液,将上述两种溶液混合,充分...
2008年4月30日
37
以聚噻吩为基础的用于光学应用的功能层 [申请号/专利号:200580014838]
申请人/专利权人:H.C.施塔克股份有限公司
本发明涉及由导电性聚合物、优选地以聚噻吩为基础的聚合物构成的透明功能层,它们的生产和他们在光学构件中的用途。...
2007年4月18日
38
2008年5月28日
39
单体、低聚和聚噻吩并[3,2-b]噻吩 [申请号/专利号:200580015968]
申请人/专利权人:默克专利股份有限公司
本发明涉及新型单体、低聚和聚噻吩并[3,2-b]噻吩,涉及它们的用途,作为半导体或电荷传输材料,在光学、电光学或电子器件如液晶显示器、光学膜、用于薄膜晶体管液晶显示器的...
2007年5月2日
40
导电聚合物的制备方法 [申请号/专利号:200580035192]
申请人/专利权人:昭和电工株式会社、国立大学法人东京工业大学
本发明提供一种制备导电聚合物的方法,其特征在于包括于可聚合单体、表面活性剂、溶剂和氧化剂的存在下在所述可聚合单体的浓度是0.20-2.8mol/L以及所述表面活性剂的摩...
2007年9月19日
41
颗粒材料 [申请号/专利号:200580014000]
申请人/专利权人:考文垂大学
本发明提供颗粒聚合物材料作为活性剂的载体的应用,其特征在于所述聚合物材料是由不饱和杂环单体与方酸或克酮酸或其衍生物共聚所制备的聚合物。...
2007年4月25日
42
含活性成分的开环易拉聚合物颗粒 [申请号/专利号:200580028957]
申请人/专利权人:吉万奥丹股份有限公司
本发明涉及一种生产含有活性成分的控释含水组合物的方法,其中所述活性成分可释放性地包含在聚合物颗粒中。聚合物颗粒可通过在含水相中、在钌催化剂、乳化剂和活性成分的存在下将通...
2007年8月1日
43
高分子化合物、高分子薄膜和使用了其的高分子薄膜元件 [申请号/专利号:200580025103]
申请人/专利权人:住友化学株式会社
一种高分子化合物,含有下述式(1)所示的重复单元和式(2)所示的重复单元,聚苯乙烯换算的数均分子量为10↑[3]~10↑[8],式中,Ar↑[1]和Ar↑[2]各自独立...
2007年6月27日
44
聚乙撑二氧噻吩空心球的化学制备方法 [申请号/专利号:200710057559]
申请人/专利权人:天津大学
本发明公开了一种聚乙撑二氧噻吩空心球的化学制备方法。属于聚乙撑二氧噻吩导电材料制备技术。该方法过程包括:配制一定浓度的冰乙酸水溶液,搅拌并加入乙撑二氧噻吩形成乳浊液;通...
2007年12月5日
45
2008年1月23日
46
一种白光共轭聚合物及其制备方法和应用 [申请号/专利号:200610122706]
申请人/专利权人:华南理工大学
本发明涉及一种白光共轭聚合物及其制备方法和应用。该白光共轭聚合物包含有蓝光、绿光、红光三种发光单元,这三种发光单元通过共轭的化学键相互连接到聚合物的主链上,通过调控三种...
2007年4月18日
47
氟化烷基取代的噻吩并[3,4-b]噻吩单体及其聚合物 [申请号/专利号:200610099609]
申请人/专利权人:气体产品与化学公司
部分和全部氟化的烷基取代的噻吩并噻吩单体(和其聚合物),其中单体由右图中各式表示:如式(1)其中R是具有1-8个碳原子的部分或全氟化伯、仲或叔烷基;和X和X′独立地选自...
2006年11月29日
48
一种导电聚合物插层水滑石及其制备方法 [申请号/专利号:200610011345]
申请人/专利权人:北京化工大学
本发明提供了一种导电聚合物插层水滑石及其制备方法,属于有机-无机复合材料及其制备技术领域。本发明的导电聚合物插层水滑石为超分子结构,其化学式为:(M↑[2+])↓[1-...
2006年9月6日
49
类交联网状导电聚噻吩材料的制备方法 [申请号/专利号:200610017118]
申请人/专利权人:中国科学院长春应用化学研究所
本发明涉及一种类交联网状聚噻吩制备方法,首先通过化学方法用含有不同功能基的柔性链将两噻吩单体相连,制备双噻吩单元;聚合反应可采用化学聚合或者电化学聚合两种方法合成类交联...
2007年2月14日
50
芳基胺聚合物和有机薄膜晶体管 [申请号/专利号:200610126334]
申请人/专利权人:株式会社理光
一种包含由以下化学结构(Ⅰ)表示的重复单元的芳基胺聚合物。在该化学结构中,Ar↓[1]、Ar↓[3]和Ar↓[4]独立地表示取代或未取代的二价芳烃基,Ar↓[2]表示取...
2007年3月7日
 

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