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钱眼专利首页 > 其中所有的硅原子是与氧以外的原子键合 的专利共 36 条
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1
缩聚型有机硅模塑料及其专用有机硅树脂的制备工艺　[申请号/专利号：200710132051]
申请人/专利权人：胡孟进
本发明涉及一种缩聚型有机硅模塑料及其专用有机硅树脂的制备工艺。缩聚型有机硅模塑料由有机硅树脂、填料和添加剂，通过捏合，混炼，加热软化，冷却压片过程制得；其中有机硅树脂的...
2008年4月23日
2
耐高温粉末涂料专用有机硅树脂的制备工艺　[申请号/专利号：200710132052]
申请人/专利权人：胡孟进
本发明涉及了有机有机硅树脂的制备工艺，尤其是一种耐高温粉末涂料专用有机硅树脂的制备工艺，将有机硅基本单体和特种有机硅单体混合后加入沸点低于１００℃的不混溶于水的有机溶剂...
2008年4月23日
3
聚硅烷和孔穴传输材料　[申请号/专利号：97195243]
申请人/专利权人：大阪瓦斯株式会社
＊＊＊ 通式（１）和（２）的聚硅烷，当用于电照相光接受体、有机电场致发光器件等方面时显示出优良的正孔穴传输特性。...
1999年6月30日
4
2008年5月28日
5
聚合的氢化硫代硅氮烷制备方法　[申请号/专利号：88108793]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法，可由其制备的含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法。本发明涉及新的聚合的氢化硫贷硅氮烷及其制备方法，并涉及将其转化成含四氮化三硅的陶瓷材料...
1989年9月6日
6
制造交联及分支型有机聚硅烷的方法　[申请号/专利号：200510118153]
申请人/专利权人：瓦克化学有限公司
本发明涉及一种制造交联或分支型有机聚硅烷（Ｐ）的方法，该方法中使卤硅烷与选自碱金属和碱土金属的元素金属反应，在反应结束之后立即将该反应混合物在至少５０℃用选自聚硅酸、硅...
2006年5月3日
7
一种Si-H硅官能化聚硅烷的制备方法　[申请号/专利号：200710070022]
申请人/专利权人：杭州师范大学
本发明公布了一种有机硅高分子化合物，具体是一种Ｓｉ－Ｈ硅官能化聚硅烷的制备方法。本发明是金属钐粉、碘粒混合在一起，然后在有机溶剂中以一定的配比制备出低价钐试剂，然后以低...
2008年2月6日
8
有机硅化合物的电化学合成方法和设备　[申请号/专利号：94107220]
申请人/专利权人：瓦克化学有限公司
描述了一种含有至少一个ＳｉＣ键有机基团的有机硅化合物的电化学制备方法，其中包括提供给电化学反应的含有至少一种卤代硅烷的一种溶液，含有一种贵金属或一种含有一或多种贵金属的...
1995年2月15日
9
经交联的分支型有机聚硅烷　[申请号/专利号：200510088574]
申请人/专利权人：瓦克化学有限公司
本发明涉及一种用以制造经交联或分支型的有机聚硅烷（Ｐ）的方法，该有机聚硅烷（Ｐ）含有至少一个选自通式１和２单元的单元ＲＳｉ（１），＝Ｓｉ＝（２），及至少一个通式３的单元...
2006年2月8日
10
由聚合氢化硅氮烷制备作陶瓷材料用的四氮化三硅的方法　[申请号/专利号：91103566]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
聚合的氢化硅氮烷及其制备方法，可由其制备的含四氮化三硅的陶瓷及其制备。　　本发明涉及新的聚合的氢化硅氮烷及其制备，该物质转化成含四氮化三硅的陶瓷材料及材料本身。为制备聚...
1991年10月30日
11
含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法　[申请号/专利号：91103490]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及由新型聚硅氮烷加工成含四氮化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式的ＲＳｉＣｌ↓［２］－ＮＲ＇－ＳｉＣｌＲ的Ｓｉ，Ｓｉ＇－二有机基...
1991年10月30日
12
由聚合氢化硫代硅氮烷制备作陶瓷材料用的四氮化三硅的方法　[申请号/专利号：91102783]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法，可由其制备的含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法。　　本发明涉及新的聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法，并涉及将其转化成含四氮化三硅的陶瓷...
1991年10月30日
13
含氯的硅氮烷聚合物的制备方法　[申请号/专利号：89108959]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及新的含氯的硅氮烷聚合物，其制备及其继续加工成含氮化硅的陶瓷材料以及这种材料本身。按本发明的含氯的硅氮烷聚合物可通过与氨反应转化为聚硅氮烷，而聚硅氮烷可被热解成...
1990年6月27日
14
高温高压合成聚碳硅烷的方法　[申请号/专利号：200410023185]
申请人/专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
本发明公开了一种聚碳硅烷高温高压合成方法，该方法包括以下步骤：（１）将ＰＤＭＳ或重均分子量约小于２０００的小分子ＰＣＳ或ＬＰＳ置于热压釜内，反复抽真空及用高纯氮气置换釜...
2005年1月26日
15
聚硅烷及其制造方法　[申请号/专利号：98801634]
申请人/专利权人：大阪瓦斯株式会社
＊＊＊ （１） 一种用通式（１）所表示的聚硅烷（式中，Ｒ为氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基，Ｒ可分别为相同或２个以上不同，羟基的位置为对位或间位，ｎ为...
2000年1月26日
16
含双键聚硅烷的合成方法　[申请号/专利号：200710038779]
申请人/专利权人：上海大学
本发明涉及一种含双键聚硅烷的制备方法。本发明方法采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将甲基三氯硅烷与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合，合成出带有双键的聚硅烷。本发明方法得...
2007年8月29日
17
超支化硅基大分子光引发剂及其制备方法　[申请号/专利号：200710018152]
申请人/专利权人：西北工业大学
本发明公开了一种超支化硅基大分子光引发剂及其制备方法，其特征为采用硅氢加成反应制备了具有优异流动性、溶解性和优良反应性的超支化有机硅聚合物，然后将有机硅聚合物与改性后的...
2007年11月28日
18
对硝基芳烃敏感的单分子层聚硅烷荧光传感薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200710017723]
申请人/专利权人：陕西师范大学
一种对硝基芳烃敏感的单分子层聚硅烷荧光传感薄膜的制备方法，包括裁制基片、制备洗液、制备活化基片、制备硅烷化基片、制备聚硅烷、制备单分子层聚硅烷荧光传感薄膜工艺步骤。本发...
2007年10月17日
19
含硼聚硅烷的合成方法　[申请号/专利号：200710038700]
申请人/专利权人：上海大学
本发明涉及一种含硼聚硅烷的合成方法。本发明方法采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将二卤硅烷或三卤与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合，合成出含硼聚硅烷。本发明方法反应条件...
2007年9月5日
20
高弹性和可涂漆的硅氧烷组合物　[申请号/专利号：200580026103]
申请人/专利权人：特里姆科有限公司
提供了高弹性、可固化、可涂漆的硅氧烷组合物。该可涂漆的硅氧烷组合物包含有机聚硅氧烷、硅氧烷官能化交联剂和有机聚合物。该高弹性、可固化、可涂漆的硅氧烷组合物具有至少１５０...
2007年8月1日
21
聚碳硅烷及其制备方法　[申请号/专利号：200580024070]
申请人/专利权人：东亚合成株式会社
本发明提供对通用有机溶剂溶解性和耐热性优异的聚碳硅烷及其制备方法。本发明的聚碳硅烷含有右述重复单元［１］。还可以含有右述重复单元［２］，此时，相对于［１］、［２］的合计...
2007年6月20日
22
支化聚硅烷的制备方法　[申请号/专利号：200580015496]
申请人/专利权人：陶氏康宁公司
第一种方法中，通过Ｗｕｒｔｚ－型偶联反应制备支化聚硅烷，将二卤代硅烷和三卤代硅烷的混合物与碱金属偶联剂在有机液体介质中反应，反应混合物中不含四卤代硅烷；从反应混合物中回...
2007年4月25日
23
2008年5月28日
24
一种含钛聚硅氮烷及其制备方法　[申请号/专利号：02157891]
申请人/专利权人：中国科学院化学研究所
本发明涉及一种含钛聚硅氮烷及其制备方法，它是通过硅氮齐聚物锂盐与钛的卤化物在有机溶剂中缩合反应制得。该含钛聚硅氮烷，其有如下结构（如图）：其中，Ｒ＃－［１］、Ｒ＃－［２...
2004年7月7日
25
空穴迁移材料　[申请号/专利号：97195222]
申请人/专利权人：大阪瓦斯株式会社
＊＊＊ 一种空穴迁移材料具有下式（１）或式（２）所代表的结构，并在成膜性和空穴迁移性方面是优异的。式（１）中Ｒ↓［１］是氢原子和烷基，Ｒ↓［１］可以是相同的或者其...
1999年6月30日
26
聚硅烷的制造方法　[申请号/专利号：97180726]
申请人/专利权人：大阪瓦斯株式会社
＊＊＊ 一种聚硅烷类的制造方法是通过使由通式（１）所表示的二卤代硅烷在非质子性溶剂中Ｌｉ盐及金属卤化物共存下与Ｍｇ或者Ｍｇ合金作用，（式中，ｍ为１－３；Ｒ为氢原子...
2000年1月5日
27
赋予光滑无机表面以耐磨和耐气候的“易清洁”涂层的贮存稳定性涂层组合物　[申请号/专利号：200610168475]
申请人/专利权人：德古萨公司
本发明涉及一种特殊的涂层组合物，其基于下列组分：ａ）至少一种式（Ⅰ）的可水解的氟烷基硅烷ＣＦ↓［３］（ＣＦ↓［２］）↓［ｎ］（ＣＨ↓［２］）↓［２］Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）...
2007年7月4日
28
包括碳硅烷聚合物的牙科组合物　[申请号/专利号：200580030741]
申请人/专利权人：3M创新有限公司、3M埃斯佩股份公司
一种含碳硅氧烷的具有以下结构特征的聚合物（包括低聚物）：大于一个重复单元；至少四个Ｓｉ－亚芳基键；至少一个（甲基）丙烯酸酯部分，Ｓｉ－Ｈ部分，和两者；没有Ｓｉ－Ｏ键；优...
2007年8月15日
29
耐高温含硅共聚物及其制备方法　[申请号/专利号：200410018409]
申请人/专利权人：华东理工大学
本发明公开了一种耐高温含硅共聚物及其制备方法，其基本组成是重量为１０％～５０％双（Ｎ－间乙炔基苯基邻苯二甲酰亚胺）醚与重量为９０％～５０％甲基二苯乙炔基硅烷，不同配比的...
2005年2月16日
30
一种有机/无机纳米复合质子导电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200510028253]
申请人/专利权人：同济大学
本发明属功能复合材料技术领域，具体为一种含ＰＯＳＳ的有机／无机纳米复合质子导电材料及其制备方法。其制备方法为：通过有机硅单体和活性有机硅单体的部分水解一封角法合成一种含...
2006年3月8日
31
一种含炔基聚硅氮烷及其制备方法　[申请号/专利号：200310123339]
申请人/专利权人：中国科学院化学研究所
本发明涉及一种含炔基聚硅氮烷，该含炔基聚硅氮烷，具有如下结构：－［－ＳｉＲ↓［１］Ｒ↓［２］－（－Ｃ≡Ｃ－ＳｉＲ↓［１］Ｒ↓［２］－）↓［ｎ］－ＮＨ－］↓［ｍ］－其中，...
2005年6月22日
32
有机组合物　[申请号/专利号：01823120]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本发明提供一种组合物，包含：（ａ）热固性组分，其中热固性组分包含具有所述结构的单体、所述结构的二聚物或所述单体和所述二聚物的混合物，其中Ｙ选自笼型化合物和硅原子；Ｒ＃－...
2004年5月5日
33
新型低聚有机硅化合物，它们在橡胶混合物中的用途和生产成形制品的用途　[申请号/专利号：99110986]
申请人/专利权人：底古萨股份公司
＊＊＊ Ⅰ 本发明涉及具有通式Ⅰ的新型低聚有机硅化合物：其中Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］相互独立地表示Ｈ，（Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］）烷基，（Ｃ↓［１］－Ｃ...
2000年2月9日
34
2008年1月9日
35
一种侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷制备方法　[申请号/专利号：200710070023]
申请人/专利权人：杭州师范大学
本发明涉及一种有机高分子聚合物的制备方法，具体是指一种新型导电的侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷制备方法。本发明需要解决的技术问题是，以聚甲基氯甲基苯基硅烷、含腈乙基...
2008年1月2日
36
新聚有机硅氧烷介电材料　[申请号/专利号：200580036255]
申请人/专利权人：西雷克斯有限公司
本发明涉及一种薄膜，所述薄膜包含通过聚合具有式（Ⅰ）的单体（其中Ｒ↓［１］为可水解基团，Ｒ↓［２］为极化性减小有机基团，Ｒ↓［３］为桥联烃基）以形成硅氧烷材料得到的组合...
2007年9月26日
 

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