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1
含铁聚硅氮烷的制备方法　[申请号/专利号：200610011559]
申请人/专利权人：中国科学院化学研究所
本发明涉及一种含铁聚硅氮烷的制备方法。以Ｆｅ（ＮＲ↓［２］）↓［ｎ］这类小分子化合物和硅氮烷或聚硅氮烷为原料，通过氨基交换反应而制备含Ｆｅ聚硅氮烷，此制备方法十分简单，...
2007年9月26日
2
硅氮聚合物及其合成方法和用途　[申请号/专利号：93117929]
申请人/专利权人：中国科学院化学研究所
本发明涉及一种用氯硅烷和有机氯硅烷为原料合成的硅氮聚合物及其合成方法，用其作为硅树脂和硅橡胶交联剂并使其热稳定性大幅度提高，如硅橡胶就比用原硅酸乙酯、有机锡催化交联体系...
1995年4月5日
3
聚硅氮烷组合物催化聚合控制方法　[申请号/专利号：89107839]
申请人/专利权人：罗纳·布朗克化学公司
本发明涉及含有效催化量聚合催化剂的聚硅氮烷组合物聚合控制方法，其特征是聚合过之中或之后将组合物与至少一种吸附剂接触。...
1990年5月9日
4
聚硅氮烷组合物催化聚合控制方法　[申请号/专利号：89107838]
申请人/专利权人：罗纳·布朗克化学公司
本发明涉及含有效催化量聚合催化剂的聚硅氮烷组合物聚合控制方法，其特征是聚合过之中或之后将组合物与至少一种离子交换物质，特别是离子交换树脂接触。...
1990年5月9日
5
聚合的氢化硅氮烷制备方法　[申请号/专利号：88108792]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
聚合的氢化硅氮烷及其制备方法，可由其制备的含四氮化三硅的陶瓷及其制备。本发明涉及新的聚合的氢化硅氮烷及其制备，该物质转化成含四氮化三硅的陶瓷材料及材料本身。为制备聚合的...
1989年9月6日
6
聚硅氮烷的制备方法　[申请号/专利号：88108250]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及新型聚硅氮烷、其制备方法、将其进一步加工成含四氮化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为ＲＳｉＣｌ－［２］－ＮＲ＇－ＳｉＣｌＲ的...
1989年6月14日
7
制备由肼衍生物的聚氢硅氮烷的方法以及所述硅氮烷作为陶瓷产品的前体的应用　[申请号/专利号：89106514]
申请人/专利权人：阿托化学公司
本发明涉及一种制备包括式－ＳｉＨ—Ｎ—Ｎ—的单元的聚硅氮烷的方法。此方法包括在第一阶段将卤代硅烷与氨进行反应，然后将所得到的氨解物与肼进行反应。此方法可节省肼和生产高粘...
1990年3月14日
8
聚氢化氯硅氮烷的制备方法　[申请号/专利号：89108980]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及新的聚氢化氯硅氮烷，它的制备及再加工成含氮化硅的陶瓷材料，以及涉及材料本身。本发明的聚氢化氯硅氮烷可通过与氨反应转化成聚硅氮烷，可将硅氮烷热解生成含氮化硅的陶...
1990年6月20日
9
多取代含氯硅氮烷聚合物的制备方法　[申请号/专利号：89108979]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及到一种新的多取代含氯硅氮烷聚合物，其制备方法及进一步加工成含氮化硅的陶瓷材料以及这种材料本身。本发明的多取代含氯硅氮烷聚合物可通过与氨反应生成聚硅氮烷，从它又...
1990年6月20日
10
低聚硅氮烷及其制备方法　[申请号/专利号：89108976]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及新的低聚硅氮烷及其制备方法，该方法是，在－７０℃－＋１００℃下，将过量的氨与Ｒ＋［１］Ｒ＋［２］Ｓｉｃｌ－［２］和Ｃｌ－［２］Ｒ＋［３］ＳｉＣＨ－［２］ＣＨ－...
1990年11月21日
11
多取代的低聚硅氮烷及其制备方法　[申请号/专利号：89108970]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及新的多取代的低聚硅氮烷及其制备方法。本发明的低聚硅氮烷可继续与氯硅烷反应，生成聚氯硅氮烷，后者又可先变成聚硅氮烷，然后生成含有氮化硅的陶瓷材料。...
1990年7月11日
12
聚(1,2-亚乙基桥接氯硅氮烷)的制备方法　[申请号/专利号：89108965]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及新的聚（１，２－亚乙基桥接氯硅氮烷），其制备、其加工成含氮化硅的陶瓷材料，以及涉及这种材料本身。本发明的聚氯硅氮烷可通过与氨反应转化成聚硅氮烷，它们可被热解成...
1990年6月20日
13
聚氯硅氮烷的制备方法　[申请号/专利号：89108960]
申请人/专利权人：赫彻斯特股份公司
本发明涉及新的聚氯硅氮烷，它的制备及其继续加工成含氮化硅的陶瓷材料，以及这种材料本身。按本发明的聚氯硅氮烷可通过与氨反应转化成聚硅氮烷，聚硅氮烷又可被热解成含氮化硅的陶...
1990年6月20日
14
含Fe聚硅氮烷及其合成方法　[申请号/专利号：99125051]
申请人/专利权人：中国科学院化学研究所
本发明含铁聚硅氮烷的结构式为：（Ｒ↓［１］Ｒ↓［２］ＳｉＮＲ↓［３］Ｆｅ（ＮＲ↓［３］）↓［１或２］）↓［ｎ′］它是通过丁基锂与硅氮烷生成锂盐，进而与ＦｅＸ↓［３］或Ｆ...
2001年6月6日
15
网状聚（有机甲硅烷肼）及其制备方法　[申请号/专利号：91112777]
申请人/专利权人：阿托化学公司
本发明涉及陶瓷范围，更具体地说涉及网状的产物母体。这些产物母体是用金属反应物得到的网状聚（有机甲硅烷肼）。这些网状产物在热解后陶瓷产率很高。...
1992年8月5日
16
网状聚硅氮烷及其制造方法　[申请号/专利号：91112776]
申请人/专利权人：阿托化学公司
网状聚硅氮烷及其制造方法本发明涉及陶瓷领域，更确切地说，本发明涉及网状产物母体领域。这些产物母体是一些用铝的衍生物得到的网状硅氮烷。这些网状产物在热解之后的陶瓷产率很高...
1992年8月5日
17
2008年1月23日
18
用于中间层电介质的光敏组合物和形成图案化中间层电介质的方法　[申请号/专利号：03819630]
申请人/专利权人：AZ电子材料(日本)株式会社
由含光酸产生剂的聚倍半硅氮烷光敏组合物形成的图案的尺寸变化得到防止。本发明所述光敏组合物的特征在于它包括：一种改性聚倍半硅氮烷，重均分子量为５００－２００，０００，含有...
2005年9月28日
19
用于夹层绝缘膜的光敏组合物及形成带图形夹层绝缘膜的方法　[申请号/专利号：03817037]
申请人/专利权人：AZ电子材料(日本)株式会社
本发明提供一种储藏性能优异且能生产膜厚限度提高了的夹层绝缘膜的光敏组合物。该光敏组合物的特征在于包含：重均分子量为５００－２００，０００的改性聚倍半硅氮烷和光酸产生剂，...
2005年9月14日
20
一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法　[申请号/专利号：200510070889]
申请人/专利权人：中国科学院化学研究所
本发明公开了一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法。本发明所提供的含丁二炔基聚硅氮烷，其结构式如式Ⅰ所示，其中，Ｒ、Ｒ′为Ｈ，芳香基，碳原子数为１－６的烷基或烯烃基，ｎ为１...
2006年11月22日
21
一种线-环结构聚硅氮烷及其制备方法　[申请号/专利号：99123986]
申请人/专利权人：中国科学院化学研究所
＊＊＊ 本发明涉及一种线环结构的聚硅氮烷，其结构式为（右式），其中，Ｒ、Ｒ↑［１］代表１～６个Ｃ原子的烷基、苯基，可相同或不同Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］、...
2001年7月18日
22
新型硅氮烷和/或聚硅氮烷化合物及其制备方法　[申请号/专利号：00815558]
申请人/专利权人：克拉里安特国际有限公司
本发明涉及新型氨解产物，包括新硅氮烷和聚硅氮烷，其特征在于聚合化合物中硅－氮的重复单元，所述化合物具有与起始化合物中Ｓｉ－Ｈ键量相比减少了的Ｓｉ－Ｈ键。这些新氨解产物的...
2003年1月8日
23
旋涂玻璃组合物及其在半导体生产中形成氧化硅层的方法　[申请号/专利号：00134841]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
公开了一种旋涂玻璃组合物（ＳＯＧ）及利用该ＳＯＧ组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为－（ＳｉＨ＃－［２］ＮＨ）＃－［ｎ］－的...
2001年11月14日
 

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