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1
挠性叠层板及挠性叠层板的制造方法　[申请号/专利号：200810095229]
申请人/专利权人：三菱伸铜株式会社
本发明的挠性叠层板具有基膜、叠层在该基膜上的中间层和叠层在该中间层上的导电层，在所述基膜中，至少叠层所述中间层的表面由聚酰亚胺树脂构成，所述中间层含有５５重量％以上的Ｎ...
2008年11月12日
2
铂钌掺杂La系稀土元素多相催化剂的制备方法　[申请号/专利号：200810058630]
申请人/专利权人：昆明贵金属研究所
本发明公开了一种在碳纸或碳布载体上采用物理气相沉积方法沉积铂、钌及Ｌａ系稀土元素，所获得的多相催化剂。其制备方法是采用离子溅射源轰击铂、钌及Ｌａ系稀土元素靶材，将铂、钌...
2008年11月5日
3
溅射薄膜形成方法、电子器件制造方法以及溅射系统　[申请号/专利号：200810096001]
申请人/专利权人：佳能安内华股份有限公司
一种溅射薄膜形成方法，其与薄膜将形成于其上的衬底１０的表面倾斜地定位目标４和５，以及在薄膜将形成于其上的衬底１０的表面上在倾斜方向上形成薄膜，同时相对于垂直轴旋转衬底１...
2008年10月29日
4
具有银薄膜的抑菌基材及其制造方法和制备装置　[申请号/专利号：200810043270]
申请人/专利权人：苏州工业园区鸿锦纳米有限公司
本发明公开了一种具有银薄膜的抑菌基材，包括基材，所述基材上溅镀有２０－４０ｎｍ的银薄膜，具有抑菌功能。这种具有银薄膜的抑菌基材的制造方法，它包括以下步骤：１）溅镀准备；...
2008年10月1日
5
6
厚度调节混合制作多级微反射镜的方法　[申请号/专利号：200810050785]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
本发明涉及一种厚度调节混合制作多级微反射镜的方法，包括如下步骤：制作ｎ个基片并对其进行清洗处理；将基片并分成Ｎ组基片单元，然后研磨、抛光四个侧面；第一组基片单元上下侧表...
2008年10月15日
7
一种制备超细晶粒高纯度金属镍靶材的方法　[申请号/专利号：200810031749]
申请人/专利权人：中南大学
一种制备超细晶粒高纯度金属镍靶材的方法，包括对原材料进行真空熔炼、轧制加工和热处理，其中真空熔炼提纯主要是保证镍靶的高纯度，轧制加工和热处理是为了保证镍靶的晶粒细小。采...
2008年11月19日
8
9
被保护的磁读写头或磁记录介质及其形成方法　[申请号/专利号：200810127792]
申请人/专利权人：SAE磁学(香港)有限公司
本发明公开了一种被保护的磁读写头或磁记录介质及其形成方法，具体而言公开了一种用于在磁读写头或磁记录介质的衬底上形成保护双层的方法。该双层形成为增强粘着性和抗腐蚀的下层以...
2008年11月12日
10
高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置　[申请号/专利号：200810058402]
申请人/专利权人：昆明理工大学
本发明涉及一种高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置。本装置置于真空镀膜室侧部，除靶位外均设置于真空镀膜室外部，靶位与由步进电机驱动的双向转动组件连接，实现靶位的精确双向转...
2008年10月15日
11
12
二氧化钛纳米管复合电极的室温制备方法　[申请号/专利号：200810123914]
申请人/专利权人：南京航空航天大学
一种二氧化钛纳米管复合电极的室温制备方法，涉及电极材料和半导体薄膜制备工艺。其制备的方法：首先采用磁控溅射的方法在基片上沉积纯钛薄膜，溅射参数：溅射功率１０５－１５０Ｗ...
2008年10月15日
13
制备宽频带吸波磁性多层膜的方法　[申请号/专利号：200810099401]
申请人/专利权人：兰州大学
本发明涉及一种在基底材料上制备出宽频段吸波层的方法。本发明制备宽频带吸波磁性膜的方法是：首先在基底材料上采用真空溅射法生成截止频率为ｆ↓［１］的第一磁性材料层，再在第一...
2008年10月15日
14
具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法　[申请号/专利号：200810056012]
申请人/专利权人：北京工业大学
具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法属于表面技术领域。目前还没有具有超疏水性能的同时并具备导电性能的多孔纳米铜膜的报道。所采用的技术方案是在固体表面先用高功...
2008年10月15日
15
纳米银无纺布及其在杀菌滤芯上的应用　[申请号/专利号：200810043271]
申请人/专利权人：苏州工业园区鸿锦纳米有限公司
本发明公开了一种纳米银无纺布及其在滤芯上的应用，具体为一种利用高科技产业使用的溅镀设备在各种无纺布上溅镀具有抑菌效果的纳米等级的银薄膜，并将其应用在滤芯产品上，包含上述...
2008年10月1日
16
17
用于在塑料基材上进行沉积的装置和方法　[申请号/专利号：200810006232]
申请人/专利权人：应用材料公司
本发明涉及用于在塑料基材上沉积至少一个金属层的方法和薄膜沉积机，所述塑料基材具体为用于柔性印刷电路板的塑料薄片，其中在将第一层沉积在待沉积的所述塑料基材表面之前，对该表...
2008年11月5日
18
减少镀膜沉积的夹钳　[申请号/专利号：200810082114]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种减少镀膜沉积的夹钳，其包括一本体以及一夹持部。夹持部自本体弯折延伸且垂直于该本体，以用来夹持一夹持物。夹持部包括一基座、一突出缘以及两个凹槽。基座连接于本体。突出缘...
2008年8月6日
19
一种基因芯片用钽掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法　[申请号/专利号：200810058311]
申请人/专利权人：昆明理工大学
本发明涉及一种钽掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，通过使用钽掺杂氧化锡溅射靶材，利用磁控溅射法在普通载玻片或单晶硅片上制备出钽掺杂氧化锡薄膜，然后对薄膜进行羟基化、氨基...
2008年9月17日
20
一种溅镀方法及溅镀设备　[申请号/专利号：200810097817]
申请人/专利权人：东莞宏威数码机械有限公司
本发明提出一种溅镀方法及溅镀设备。包括：取来待溅镀的盘片并将其抽真空至预真空后，将所述盘片旋转传输到第一溅镀腔。通过第一溅镀腔在磁场的作用下进行溅镀，在达到预定设置的膜...
2008年9月10日
21
具有减反射膜的玻璃片和用于窗子的层叠玻璃　[申请号/专利号：200810081054]
申请人/专利权人：旭硝子株式会社
提供了一种具有减反射膜的玻璃基材，其对倾斜的入射光具有足够的减反射性能，具有高可见光透射率，足够的耐磨性和良好的电磁波透射性，其对制造工艺中的热处理具有足够的耐受性，可...
2008年8月27日
22
用作沉积源的高密度、低氧Re和Re基固结粉末材料及其制造方法　[申请号/专利号：200810009553]
申请人/专利权人：贺利氏有限公司
本发明是用作沉积源的高密度、低氧Ｒｅ和Ｒｅ基固结粉末材料及其制造方法。制造Ｒｅ和Ｒｅ基材料的方法，包括步骤：提供Ｒｅ粉末原料或Ｒｅ粉末原料和至少一种附加粉末材料；至少对...
2008年7月30日
23
一种燃料电池用双极板及其表面氮镍铬薄膜制备方法　[申请号/专利号：200810086375]
申请人/专利权人：大连理工大学
一种燃料电池用双极板及其表面氮镍铬薄膜制备方法属于燃料电池技术领域。双极板由不锈钢薄板基材及其两侧表面的氮镍铬薄膜构成；氮镍铬薄膜的厚度为微纳米量级且用电弧离子镀膜方法...
2008年9月3日
24
用于沉积由混合物组成并具有预定折射率的层的方法和系统　[申请号/专利号：200810007789]
申请人/专利权人：JDS尤尼弗思公司
本发明提供一种用于沉积由混合物组成并具有预定折射率的层的方法和溅射沉积系统。溅射沉积系统包括由单个ＤＣ电源供电的多个靶阴极，每个靶阴极包括具有不同成分的靶材料。多个靶阴...
2008年9月17日
25
一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法　[申请号/专利号：200810036561]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种Ｐ型半导体掺镍氧化铜（Ｃｕ↓［１－ｘ］Ｎｉ↓［ｘ］Ｏ）靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机...
2008年9月10日
26
一种燃料电池用双极板及其表面碳铬薄膜制备方法　[申请号/专利号：200810086374]
申请人/专利权人：大连理工大学
一种燃料电池用双极板及其表面碳铬薄膜制备方法属于燃料电池技术领域。双极板由不锈钢薄板基材及其两侧表面的碳铬薄膜构成；碳铬薄膜的厚度为微纳米量级且用电弧离子镀膜方法制备，...
2008年9月3日
27
一种带有复合梯度层的镁或镁合金材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810064123]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
一种带有复合梯度层的镁或镁合金材料及其制备方法，它涉及到一种带有复合梯度层的金属材料及其制备方法。带有复合梯度层的镁或镁合金材料由内到外依次为基材、腐蚀阻挡层和氧化钛生...
2008年8月20日
28
包括氮氧化铝衬层和类金刚石覆层的磁记录头和介质　[申请号/专利号：200810002196]
申请人/专利权人：SAE磁学(香港)有限公司
本发明提供一种包括氮氧化铝衬层和类金刚石覆层的磁记录头和介质，该氮氧化铝衬层和类金刚石覆层形成一双层结构。衬层由铝或铝合金的氮氧化物形成，具有一般表达式ＡｌＯ↓［ｘ］Ｎ...
2008年8月6日
29
通过微波烧结制备高密度陶瓷和金属陶瓷溅射靶　[申请号/专利号：200810082832]
申请人/专利权人：贺利氏有限公司
一种从粉末材料制造溅射靶的方法，包括步骤：提供至少一种原料粉末材料；使所述至少一种原料粉末材料形成密度大于理论最大密度之大约４０％的生坯；用微波处理所述生坯以形成密度大...
2008年9月3日
30
低氧含量、无裂纹霍伊斯勒和类霍伊斯勒合金以及沉积源及其制造方法　[申请号/专利号：200810085601]
申请人/专利权人：贺利氏有限公司
形成式Ｘ↓［２］ＹＺ或ＸＹＺ的霍伊斯勒或类霍伊斯勒合金的方法，包括提供由至少一种金属氧化物材料构成的熔炉，该金属氧化物材料对于熔融过渡金属是热力学稳定的；提供预定量的该...
2008年7月30日
31
一种p型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200810036559]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种Ｐ型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜（Ｃｕ↓［１－ｘ］Ｎｉ↓［ｘ］Ｏ）陶瓷靶，...
2008年9月10日
32
一种溅射镀膜装置和方法　[申请号/专利号：200810106312]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明公开了一种溅射镀膜装置和方法，该装置包括真空室、溅射系统、真空泵，所述真空泵包括气体捕集式真空泵和非气体捕集式真空泵，所述气体捕集式真空泵直接设置在真空室内，或设...
2008年9月24日
33
溅射用靶装置　[申请号/专利号：200810000046]
申请人/专利权人：三星康宁株式会社
本发明涉及一种相对大面积对象物的行进方向而配置在宽度方向上的溅射用靶装置，该溅射用靶装置包括：背板，含有中央表面以及在中央表面的两侧以降低规定的级差而形成的至少一个台阶...
2008年7月16日
34
金属溅射低温制备结晶TiO*膜的方法　[申请号/专利号：200810032463]
申请人/专利权人：上海交通大学
本发明公开一种镀膜技术领域的金属溅射低温制备结晶ＴｉＯ↓［２］膜的方法，步骤：第一步，氩气和氧气分离送气，分别形成靶材表面局部富氩气区域和基板附近局部富氧气区域；第二步...
2008年8月6日
35
采用碳氮钛铬复合涂层表面处理高尔夫球头的方法　[申请号/专利号：200810027473]
申请人/专利权人：范文波
本发明涉及一种采用碳氮钛铬复合涂层表面处理高尔夫球头的方法，高尔夫球头复合金属化合物物膜的膜层共有四层：第一层钝金属钛层；第二层钛加少量碳化钛和适量碳化铬；第三层氮化钛...
2008年9月10日
36
一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810104411]
申请人/专利权人：北京有色金属研究总院
本发明公开了一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法，本发明主要采用传统的陶瓷烧结技术将１０～２０％摩尔的氧化铪掺杂到氧化铈中，在１４００℃下高温烧结，得到相应的氧...
2008年9月17日
37
一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法　[申请号/专利号：200810064031]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
一种提高ＴｉＮｉ合金支架在Ｘ－光下显影性的方法，它涉及一种提高ＴｉＮｉ合金在Ｘ－光下显影性的方法。它解决了现有技术中提高ＴｉＮｉ合金支架在Ｘ－光下显影性的方法存在工艺复...
2008年7月30日
38
光电探测系统的带非晶金刚石膜的玻璃球罩及其制备方法　[申请号/专利号：200810064171]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
光电探测系统的带非晶金刚石膜的玻璃球罩及其制备方法，它属于硬质表面的玻璃球罩及制备方法。它为克服ＯＥＰＳ－２７光电探测系统外部的玻璃球罩硬度低、抗划擦性和耐腐蚀性较差、...
2008年8月20日
39
沉积层的方法和控制系统　[申请号/专利号：200810084620]
申请人/专利权人：JDS尤尼弗思公司
本发明提供在具有靶阴极的溅射沉积系统中沉积层的方法和控制系统。在沉积层之前提供层的沉积速率关于操作参数的相关关系，该操作参数选自阴极电压、阴极电流和阴极功率。在沉积层的...
2008年9月17日
40
可回火的玻璃涂层　[申请号/专利号：200810007990]
申请人/专利权人：应用材料公司
本发明涉及一种用于玻璃的银低Ｅ涂层，该涂层是可回火的并且可以通过溅射工艺涂覆在玻璃上。该涂层的各层是低成本的标准材料。本发明的一种实施方式组成如下：玻璃基材；玻璃上的厚...
2008年9月10日
41
声表面波驱动的二维微光学平台及其制造方法　[申请号/专利号：200810032749]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种微细加工技术领域的声表面波驱动的二维微光学平台及其制造方法。本发明二维微光学平台包括：基底、叉指换能器和滑动镜面，其中，基底是１２８°Ｙ－Ｘ的铌酸锂单晶体，其上是相...
2008年8月6日
42
一种以NH*作为N源的In-N共掺制备p型ZnO薄膜的方法　[申请号/专利号：200810060795]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种以ＮＨ↓［３］作为Ｎ源的Ｉｎ－Ｎ共掺制备ｐ型ＺｎＯ薄膜的方法，该方法利用直流反应磁控溅射技术，以Ｉｎ金属为施主掺杂源，以ＮＨ↓［３］为Ｎ源并作为受主掺杂...
2008年9月17日
43
相变层及其制造方法和相变存储器件及其制造和操作方法　[申请号/专利号：200810009536]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种相变层和形成相变层的方法以及包括该相变层的相变存储器件和该相变存储器件的制造和操作方法。该相变层由包括铟（Ｉｎ）的数量在大约１５ａｔ．％至大约２０ａｔ．％范围内...
2008年7月23日
44
AIN/Si*N*纳米多层硬质涂层及其制备方法　[申请号/专利号：200710135578]
申请人/专利权人：江苏科技大学
本发明涉及一种涂层及其制备方法。本发明所述的ＡｌＮ／Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］纳米多层膜由ＡｌＮ和Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］形成在金属或陶瓷的基体上，为交替沉积纳米量级的多层结...
2008年4月9日
45
2008年6月11日
46
2008年5月28日
47
2008年6月11日
48
2008年6月4日
49
光学测量系统的屏蔽方法　[申请号/专利号：200710020864]
申请人/专利权人：扬州大学
本发明公开了一种光学测量系统的屏蔽方法，其特征是在光学测量系统的光学ｋ９玻璃表面上镀ＩＴＯ透明导电薄膜。镀膜步骤包括：将光学ｋ９玻璃镜面进行预处理；采用ＤＨＫ－５００镀...
2008年5月21日
50
溅射沉积装置和方法　[申请号/专利号：200710146401]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
本发明涉及一种溅射沉积装置和方法，及用于溅射沉积装置的衬底支持物。根据本发明的一方面，提供一种溅射沉积装置，包括：至少一个溅射靶，第一等离子体，衬底支持物，和另一等离子...
2008年4月9日
 

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