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301
大功率溅射镀膜源 [申请号/专利号:200520055856]
申请人/专利权人:深圳南玻南星玻璃加工有限公司
本实用新型涉及一种大功率溅射镀膜源,一内装磁体的可旋转靶筒安置于真空室,一筒型旋转头连接可旋转靶筒并置于真空室外,一使旋转头在旋转中仍能与导电环保持良好接触的弹簧将导电...
302
一种新型平面溅射阴极 [申请号/专利号:200520055855]
申请人/专利权人:深圳南玻南星玻璃加工有限公司
本实用新型涉及一种新型平面溅射阴极,包括阴极体、磁铁、密封铜板和靶材,所述带阻磁且耐水腐蚀复合层的阴极体,与密封铜板一起构成冷却水槽,所述的磁铁直接放置在冷却水槽内。本...
303
一种平面磁控溅射装置 [申请号/专利号:200520034807]
申请人/专利权人:深圳市豪威光电子设备有限公司
本实用新型涉及一种平面磁控溅射装置,包括外圈磁铁、中间磁铁、导磁片、非导磁性固定体和底座,在外圈磁铁与中间磁铁之间分别设置有非导磁性固定体,各个非导磁性固定体上面分别固...
304
用于微颗粒表面真空镀金属膜的设备 [申请号/专利号:200520026799]
申请人/专利权人:国家纳米技术产业化基地、北京航空航天大学、深圳微纳超细材料有限公司
本实用新型涉及用于微颗粒表面真空镀金属膜的设备,包括真空室、溅射靶架、样品架、样品皿、加热器、观察窗、放气阀、密封圈及真空抽气装置;真空室内上部设置溅射靶架,其下部对应...
305
溅镀靶材牌的电子束焊接 [申请号/专利号:200510138199]
申请人/专利权人:应用材料股份有限公司
本发明提供一种焊接溅镀靶材以形成一大的溅镀靶材的方法。本发明还提供具有经焊接的溅镀靶材牌的溅镀靶材组件的实施例。在一实施例中,在一电子束焊接室内焊接溅镀靶材的方法,包含...
2006年12月20日
306
镀膜夹具及其镀膜载盘 [申请号/专利号:200510137417]
申请人/专利权人:财团法人工业技术研究院
一种镀膜夹具及其镀膜载盘,该镀膜夹具包括多个镀膜载盘,该等镀膜载盘可独立使用或形成一直立式的堆栈,每一载盘具有一盘体,在盘体的表面形成一波浪状的构造,且盘体与水平面具有...
2007年7月4日
307
钴合金基体组合物的增强制剂 [申请号/专利号:200510134177]
申请人/专利权人:黑罗伊斯有限公司
本发明提供了生产由式Co↓[f1]-(M↓[u]O↓[v])f↓[2]表示的一元基体钴基粒状介质合金组合物的方法,M表示选自下组中的基底金属:镁(Mg)、钛(Ti)、钒...
2006年11月1日
308
涂覆特殊光学涂层的方法 [申请号/专利号:200510129124]
申请人/专利权人:萨蒂斯洛股份公司
在由本发明设备实施的本发明方法中,用来使基底(10)的机械性能与涂覆在过渡层(12)上的层体系(16)的机械性能相匹配的过渡层(12)沉积在基底(10)的前表面(20)...
2006年6月28日
309
管状喷射靶 [申请号/专利号:200510128829]
申请人/专利权人:W.C.贺利氏有限公司
本发明涉及一种管状喷射靶,具有靶体和一个安装在管子的至少一个末端的附加装置,附加装置和/或管子末端的盖子通过正向锁定或材料接合和靶体连接起来。...
2006年6月7日
310
等离子体处理装置 [申请号/专利号:200510127676]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高,而且难以产生充电损坏(charge  up  damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有:保持在真空气氛中的腔室(1...
2006年6月7日
311
电容耦合型等离子体处理装置 [申请号/专利号:200510127554]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社、株式会社东芝
本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100),包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(...
2006年6月7日
312
溅射靶、用于制造溅射靶的方法、溅射装置和液体喷射头 [申请号/专利号:200510127411]
申请人/专利权人:精工爱普生株式会社
本发明公开了一种溅射靶,其通过辊压包括铂的金属材料以形成具有预定厚度的金属板并且加热所述金属板以进行重结晶来获得,所述溅射靶具有沿平面方向和厚度方向中的任意方向各向同性...
2006年6月7日
313
弹性连接一大面积靶的方法 [申请号/专利号:200510127176]
申请人/专利权人:应用材料股份有限公司
本发明的实施例大体上涉及用于半导体制造的溅镀靶,特别是涉及将该溅镀靶连接至在一淀积腔中用以支撑该溅镀靶的背板。在一实施例中,一种将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法,包括...
2006年12月6日
314
等离子体控制方法及等离子体控制装置 [申请号/专利号:200510124186]
申请人/专利权人:富士电机控股株式会社
本发明提供等离子体控制方法等,用等离子体CVD装置来成膜时,简单得到与随成膜条件变化而变的膜厚均匀性的检测量的膜厚均匀性改善方法;跟踪因批量制作期间不同而产生峰间电压V...
2006年6月7日
315
纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料 [申请号/专利号:200510122236]
申请人/专利权人:南开大学
本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料,它是霍尔元件中作为活性层的磁敏材料。通式为Fe↓[x]Ge↓[1-x],其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比,0.45<x<0.6...
2006年7月19日
316
Ag类反射膜及其制作方法 [申请号/专利号:200510121686]
申请人/专利权人:株式会社爱发科、爱发科材料股份有限公司
本发明提供一种即使在苛刻的耐蚀性试验中,反射率也不会劣化的Ag类合金膜及其制作方法。在纯Ag膜或AgAu类、AgAuSn类、AgPd类、AgPdCu类合金膜上,层压由选...
2006年8月16日
317
在半导体衬底上溅射保护涂层的方法 [申请号/专利号:200510121628]
申请人/专利权人:兰姆研究公司
在半导体衬底上淀积含硅或金属材料的保护涂层的方法包括在等离子处理室中在半导体衬底上溅射来自电极的这种材料。可以被淀积在涂覆低k材料的多层掩模上和/或低k材料上。可以在双...
2006年8月9日
318
阳极板及包括所述阳极板的溅镀装置 [申请号/专利号:200510121252]
申请人/专利权人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种阳极板及一种包括所述阳极板的溅镀装置。所述阳极板包括基板与挡板,所述挡板设置于所述基板上,用于紧贴待溅镀的基材侧面,且挡板顶部高出所述基材的顶部。利用本发...
2007年6月27日
319
一种磁性耐磨镀膜及其制作方法 [申请号/专利号:200510121035]
申请人/专利权人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明提供一种磁性耐磨镀膜,其包括一化学镍层,及一位于该化学镍层表面的类金刚石碳层。本发明还提供一种磁性耐磨镀膜的制作方法,其采用化学镀镍法形成化学镍层,采用溅镀方法形...
2007年6月27日
320
塑胶件真空溅镀中提高镀层附着性的方法 [申请号/专利号:200510120984]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
本发明涉及一种在塑胶件真空溅镀中提高镀层附着性的方法,其特征在于,包含如下工艺步骤:对模具公模面以砂体进行喷砂处理;塑胶件通过喷砂处理后的模具被射出成型;将塑胶件清洗整...
2007年6月27日
321
用于薄膜的增强型氧非理想配比补偿 [申请号/专利号:200510120336]
申请人/专利权人:黑罗伊斯有限公司
一种制造磁记录介质的方法,包括步骤:由溅射靶在衬底上反应性或非反应性地溅射至少第一数据存储薄膜层。溅射靶包括:钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的第一金属氧...
2006年12月27日
322
增强型溅射靶合金成分 [申请号/专利号:200510120335]
申请人/专利权人:黑罗伊斯有限公司
一种溅射靶,该溅射靶包括钴(Co)、大于0且小于等于24原子百分数的铬(Cr)、大于0且小于等于20原子百分数的铂(Pt)、大于0且小于等于20原子百分数的硼(B)和大...
2007年1月24日
323
钻石薄膜制造方法 [申请号/专利号:200510116619]
申请人/专利权人:中国砂轮企业股份有限公司
本发明涉及一种钻石薄膜制造方法,包括有下列步骤:提供一个基材,置于一真空腔室中;以一靶材置入该真空腔室,用以产生多个靶材粒子,并使靶材粒子以一可变化的入射角朝向该基材的...
2007年5月2日
324
含碳的溅射靶合金组合物 [申请号/专利号:200510114067]
申请人/专利权人:黑罗伊斯有限公司
本发明提供了溅射靶材料,该溅射靶材料包括含Cr-C、Cr-M-C或Cr-M1-M2-C的合金体系,其中C占至少0.5到至多20原子%;M占至少0.5到至多20原子%并且...
2006年7月26日
325
溅射靶用背衬板 [申请号/专利号:200510114034]
申请人/专利权人:株式会社钢臂功科研
一种溅射靶用背衬板包含在25℃到100℃温度下的平均线性膨胀系数为23.0×10↑[-6]/℃或以下的铝合金。这种背衬板防止了和靶结合时出现的翘曲,减小了Al-Nd合金...
2006年4月26日
326
用于溅射铝-钕合金的组合件 [申请号/专利号:200510114033]
申请人/专利权人:株式会社钢臂功科研
为了减小由结合或膜沉积造成的翘曲并且能够长时间稳定进行膜沉积,提供一种用于溅射Al-Nd合金的组合件,该组合件包括:含有Nd含量0.1到3原子%的铝合金的Al-Nd合金...
2006年4月26日
327
高硬度ZrN/Al*(O***N*)*纳米多层涂层 [申请号/专利号:200510111216]
申请人/专利权人:上海交通大学、上海工具厂有限公司
一种陶瓷材料技术领域的高硬度ZrN/Al↓[2](O↓[1-x]N↓[x])↓[3]纳米多层涂层。本发明由Al↓[2](O↓[1-x]N↓[x])↓[3]层和ZrN层交...
2006年7月26日
328
ZrN/Al*(O***N*)*硬质纳米多层涂层的制备方法 [申请号/专利号:200510111215]
申请人/专利权人:上海工具厂有限公司、上海交通大学
一种陶瓷材料技术领域的ZrN/Al↓[2](O↓[1-x]N↓[x])↓[3]硬质纳米多层涂层的制备方法。本发明采用直流阴极控制金属Zr靶,射频阴极控制Al↓[2]O↓...
2006年6月28日
329
一种具有多层镀膜的模具 [申请号/专利号:200510102017]
申请人/专利权人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明提供一种具有多层镀膜的模具,其包括一基材,以及在该基材上依次形成的一铬层或硅化铬层,一硅层,一碳化硅层,一碳化硅与碳的组合层及一含氢类金刚石碳层。本发明通过在基材...
2007年6月13日
330
在模具上形成多层镀膜的装置及方法 [申请号/专利号:200510101808]
申请人/专利权人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种在模具上形成多层膜的装置及方法。该形成多层膜的方法利用不同的靶材依次在模具上用交流磁控溅镀法形成一过渡层、一含氮类金刚石碳层、一含氮氢类金刚石碳层及一含氢...
2007年5月30日
331
一种具有多层类金刚石碳膜的模具的制作方法 [申请号/专利号:200510101790]
申请人/专利权人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种具有多层类金刚石碳膜的模具的制作方法,其制作的多层类金刚石碳膜的模具包括:一基底,该基底上依次形成一粘合层、一强化层、一非晶质含氮类金刚石碳层、一非晶质含...
2007年5月30日
332
模具及其制备方法 [申请号/专利号:200510101236]
申请人/专利权人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种模具及其制备方法。所述模具包括一基材及一形成在所述基材上的保护层,所述保护层包括依次形成在所述基材上的一粘附层、一渐变多层膜及一类金刚石碳薄膜;所述粘附层...
2007年5月16日
333
塑胶表面具多彩钛金属质感的处理方法 [申请号/专利号:200510101000]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
一种塑胶表面具多彩钛金属质感的处理方法,其包括以下步骤:步骤1:将塑胶件表面清洗干净;步骤2:在塑胶件表面上一层底涂,底涂的厚度控制在5-10um,底涂呈微亮面或者雾面...
2007年5月16日
334
塑胶表面静电喷涂工艺 [申请号/专利号:200510100999]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
本发明涉及一种塑胶表面静电喷涂工艺,该工艺包含表面清洗、喷涂底漆、真空溅镀、静电喷涂等步骤。实施该工艺解决了在不导电的塑胶表面应用静电喷涂的技术限制,由该工艺得到的塑胶...
2007年5月16日
335
塑胶表面抗电磁干扰涂层喷涂工艺 [申请号/专利号:200510100998]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
本发明涉及一种塑胶表面抗电磁干扰涂层喷涂工艺,该工艺包含喷砂处理、表面清洗、真空溅镀、静电喷涂等步骤。实施该工艺不但解决了在不导电的塑胶表面应用静电喷涂的技术限制,同时...
2007年5月16日
336
塑胶表面静电喷涂工艺 [申请号/专利号:200510100997]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
本发明涉及一种塑胶表面静电喷涂工艺,该工艺包含喷砂处理、表面清洗、真空溅镀、静电喷涂等步骤。实施该工艺解决了在不导电的塑胶表面应用静电喷涂的技术限制,由该工艺得到的塑胶...
2007年5月16日
337
以真空溅镀在塑胶基材上被覆抗EMI薄膜的方法 [申请号/专利号:200510100995]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
一种以真空溅镀在塑胶基材上被覆抗EMI薄膜的方法,其中,至少包括如下步骤:喷砂处理步骤,以刚玉砂喷在基材表面;清洗步骤,清洗已经喷砂处理的基材表面上的沙粒;真空溅镀步骤...
2007年5月16日
338
一种镁合金表面处理工艺 [申请号/专利号:200510100992]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
本发明涉及一种镁合金表面处理工艺,包含预处理、水冲洗、氟化处理、水冲洗、真空溅镀等步骤,在镁合金工件表面形成一层致密的金属膜。经该工艺处理后的镁合金具有良好的耐蚀性和耐...
2007年5月16日
339
塑料基材上镀覆高遮蔽防电磁干扰薄膜的溅镀方法 [申请号/专利号:200510100009]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
一种塑料基材上镀覆高遮蔽防电磁干扰薄膜的溅镀方法,包括如下步骤:喷沙处理步骤,以刚玉沙对塑料基材表面进行喷沙处理;清洗步骤,用超声波清洗已经喷沙处理的塑料基材表面;镀膜...
2007年4月4日
340
一种镁合金表面镀膜方法 [申请号/专利号:200510100004]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
本发明涉及一种镁合金表面镀膜方法,该方法是采用真空镀膜技术在镁合金表面镀覆一层或多层金属薄膜,其中的真空溅镀工艺条件是:本底真空<2.0e~4mbar,工作真空1~3e...
2007年4月4日
341
真空镀EMI金属膜层与塑胶底材附着性的方法 [申请号/专利号:200510100003]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
一种真空镀EMI金属膜层与塑胶底材附着性的方法,其中:包括如下步骤,步骤1:提供一具有高透光的塑胶件;步骤2:清洗塑胶件的表面;步骤3:上一层底涂,厚度控制在1-10u...
2007年4月4日
342
导电薄膜或其保护层用的合金靶材及其制造方法 [申请号/专利号:200510099699]
申请人/专利权人:铼宝科技股份有限公司、光洋应用材料科技股份有限公司
本发明是有关于一种导电薄膜或其保护层用的合金靶材,至少包含铜(Cu)、镍(Ni)以及锌(Zn);其中铜含量为50至80重量百分比,镍含量为5至20重量百分比,锌含量为1...
2007年3月14日
343
用于改进的磁性层的溅射靶材料 [申请号/专利号:200510097876]
申请人/专利权人:黑罗伊斯有限公司
本发明涉及一种由具有基底金属的铁磁性合金与金属X构成的溅射靶,其中金属X为具有小于0.266nm的原子直径以及高于基底金属的氧化电位的金属。基底金属可以为Fe、Co,或...
2006年3月8日
344
钛合金基体上生物陶瓷复合中间涂层的制备方法 [申请号/专利号:200510096422]
申请人/专利权人:陕西科技大学
钛合金基体上生物陶瓷复合中间涂层的制备方法,首先将钛合金样品固定在溅射室内,以纯钛金属板为靶材,将溅射室抽真空并通入Ar气再抽真空;然后向溅射室内通入O↓[2]和Ar,...
2006年5月24日
345
喷孔片的制造方法 [申请号/专利号:200510093179]
申请人/专利权人:南茂科技股份有限公司、百慕达南茂科技股份有限公司
本发明是有关于一种喷孔片的制造方法,首先,提供一晶圆,再形成一可剥离层于该晶圆,接着,形成一光阻层于该可剥离层,进行一曝光显影步骤,使该光阻层形成为复数个栓柱,再以溅镀...
2007年2月21日
346
多功能真空连续镀膜装置 [申请号/专利号:200510093034]
申请人/专利权人:北京有色金属研究总院
本发明公开了一种多功能真空连续镀膜装置,由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及控制系统和控制各单元装置电源开关的电控系统组成,所述的气路及控制系统的各气路接入真空镀膜...
2007年2月28日
347
光学元件用成形模具的制造方法,光学元件用成形模具和光学元件 [申请号/专利号:200510091165]
申请人/专利权人:柯尼卡美能达精密光学株式会社
本发明涉及一种光学元件用成形模具,其具有由热传导率为1-20W/mK的材料形成的模具基材以及在该模具基材表面上形成的具有过冷却液体区域的非晶质金属的膜层,该过冷却液体区...
2006年2月15日
348
一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法 [申请号/专利号:200510090638]
申请人/专利权人:中国科学院半导体研究所
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法。利用脉冲激光沉积(PLD)技术在c-BN薄膜上制备Ti/Au双层接触,在PLD技术中,由于...
2007年2月21日
349
一磁控溅射设备,一圆柱体阴极和一种在一基板上涂敷多成分膜的方法 [申请号/专利号:200510088826]
申请人/专利权人:应用薄膜有限责任与两合公司
本发明涉及一磁控溅射设备,尤其包括至少一真空室并用于通过使用磁控联合溅射,在一基板上涂敷多成分膜;所述设备装有一可绕纵向轴旋转的圆柱体阴极(1,1’),并进一步装有一在...
2006年2月15日
350
超薄金属氧化物膜的反应溅射沉积方法 [申请号/专利号:200510087861]
申请人/专利权人:日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明是一种将第一金属的氧化物的超薄膜反应溅射沉积到第二金属的膜上的方法。本方法可以是制造具有金属氧化物膜的磁隧道结(MTJ)的一部分,该金属氧化物膜成为MTJ的隧道势...
2006年3月1日
 

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