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钱眼专利首页 > 产生反应气流的方法,例如通过母体材料的蒸发或升华 的专利共 118
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1
汽化器和半导体处理系统 [申请号/专利号:200810086915]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种汽化器和半导体处理系统,其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器,包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交...
2008年10月15日
2
一种多孔SiO*薄膜的制备方法 [申请号/专利号:200610163825]
申请人/专利权人:昆明物理研究所
一种多孔SiO↓[2]薄膜的制备方法,采用平行极板式电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,上电极极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.5cm~3.5...
2007年6月6日
3
用于气体供给设备的喷头 [申请号/专利号:200710146444]
申请人/专利权人:阿维扎技术公司
一种用于气体供给设备的喷头。该喷头包括在一侧具有分布盘的主体以及包含在该主体中的至少一个气体腔。多个孔从分布盘的外表面垂直地延伸到所述腔。另外,至少一个孔的至少一部分沿...
2008年5月7日
4
金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜制造方法 [申请号/专利号:200710152709]
申请人/专利权人:株式会社艾迪科
本发明提供一种具有气化工序的薄膜制造方法,其中,对于供给薄膜以钛、锆、铪的前体,赋予其适合作为薄膜形成用原料、特别是CVD用原料的利用加热和/或氧化的分解特性、热稳定性...
2008年3月19日
5
薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 [申请号/专利号:200710141711]
申请人/专利权人:株式会社艾迪科
本发明提供一种适合制造含有锌的薄膜的原料以及通过使用该原料的化学气相沉积法的薄膜的制造方法。由相对于1000ml不具有羟基的有机溶剂溶解有0.1~1摩尔作为必须成分的双...
2008年2月27日
6
2008年5月28日
7
气化装置和半导体处理系统 [申请号/专利号:200710147868]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置,该装置包括:气化容器,规定上述气化装置的气化空间;喷射器,安装在上述气化容器中,使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内...
2008年3月5日
8
磷酸锡防渗透膜及方法和设备 [申请号/专利号:200710141800]
申请人/专利权人:康宁股份有限公司
揭示一种磷酸锡防渗透膜及方法和设备。该方法包括以下步骤:在器件的至少一部分上沉积磷酸锡的低液相线温度(LLT)的无机材料,形成沉积的磷酸锡LLT材料;在基本上不含氧气和...
2008年2月27日
9
形成氧化物膜的方法和氧化物沉积设备 [申请号/专利号:200710090344]
申请人/专利权人:周星工程股份有限公司
本发明涉及一种氧化物膜形成方法和一种氧化物沉积设备,其使得可能通过在旋转气体注射器时将包括SiH↓[4]、Si↓[2]H↓[6]、Si↓[3]H↓[8]、TEOS、DC...
2007年10月10日
10
2008年6月11日
11
透明ZnO薄膜制备方法及所得产品 [申请号/专利号:200710026333]
申请人/专利权人:中山大学
本发明公开了一种采用电弧离子镀法制备透明ZnO薄膜的方法,该方法包括:以Zn作阴极靶;将基片置于与电源正极相连的真空室内;向真空室通入Ar气,并利用高偏压下Ar气的辉光...
2007年7月25日
12
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统 [申请号/专利号:200710018065]
申请人/专利权人:西安交通大学
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室...
2007年11月14日
13
在基材表面上以气相沉积制备硅层的方法 [申请号/专利号:200710003765]
申请人/专利权人:德古萨公司、弗劳恩霍弗实用研究促进协会
本发明涉及一种从基于硅的前体开始以气相沉积在基材表面上制备硅层的方法,其特征在于,使用四氯化硅作为前体。此外,本发明还涉及应用本发明方法制得的薄层太阳能电池或结晶硅薄层...
2007年8月1日
14
用于向反应器输送均匀气体的方法和设备 [申请号/专利号:200710089827]
申请人/专利权人:杰努斯公司
一种用于反应器的气体分配系统,包括至少两个沿一轴彼此位移的截然不同的气源喷口阵列,该轴由从气源喷口阵列朝工件沉积表面的气流方向限定,使得至少较低气源喷口阵列位于较高气源...
2007年10月10日
15
2008年1月30日
16
金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法 [申请号/专利号:200710040427]
申请人/专利权人:中国科学院上海光学精密机械研究所
一种金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法,其特征在于:将(100)面或(302)面的γ-LiAlO↓[2]单晶衬底置于低压-金属有机化学气相沉积系统的载物...
2007年12月5日
17
半导体处理用成膜方法、成膜装置和存储介质 [申请号/专利号:200610058179]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种半导体处理用的成膜装置,其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括:将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐;从...
2006年9月13日
18
一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [申请号/专利号:200710035381]
申请人/专利权人:湘潭大学
一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法,以水溶性锌盐为前驱物,以水溶性过渡金属盐为掺杂剂,乙酸做稳定剂,将混有掺杂剂的前驱物溶于蒸馏水或去离子水中,然后将溶...
2007年12月12日
19
能够在低温度下使液体原料气化的液体原料的气化方法与采用了该方法的气化器 [申请号/专利号:200680001246]
申请人/专利权人:琳科技股份有限公司
本发明的课题在于提供能在低温下将供于CVD装置中成膜的液体原料气化的气化器。气化器(10)具有:被加热器(66)、(76)及(81)加热的气化室(60),配置在气化室(...
2007年10月24日
20
半导体制造装置 [申请号/专利号:200710104875]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明公开了用于在ALD成膜装置中有效地抑制由不可避免地附着在反应管内面上的不需要的膜的剥离而产生的颗粒的技术。为了防止不需要的膜的剥离,进行用ALD法使金属氧化物膜、...
2007年11月28日
21
2008年1月9日
22
一种直流放电活性原子束喷射制备氮化碳纳米薄膜的方法 [申请号/专利号:200610148157]
申请人/专利权人:复旦大学
本发明属薄膜制备技术领域,具体为一种直流放电活性原子束喷射制备氮化钛纳米薄膜的方法。该方法利用一台弧热等离子束源来分解甲烷和氮气,出射离子束由高密度的中性氮原子和甲基构...
2007年6月27日
23
调制PECVD放电源的功率及其有关函数的系统和方法 [申请号/专利号:200610143249]
申请人/专利权人:应用膜公司
公开了一种在化学汽相淀积过程中生成膜的方法。一个实施例包括:产生具有第一脉冲振幅的第一电脉冲;使用第一电脉冲产生第一密度的原子团化物质;使用第一密度的原子团化物质中的原...
2007年5月9日
24
气体供给装置及基板处理装置 [申请号/专利号:200610142776]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种气体喷头(气体供给装置),其用于CVD装置等,由镍部件组合而构成,防止由于高温引起的镍部件之间相互贴合。用螺钉将形成有大量气体供给孔的由镍部件构成的喷淋板...
2007年5月9日
25
选择性铝化物涂覆工艺 [申请号/专利号:200610162437]
申请人/专利权人:联合工艺公司
一种对涡轮发动机元件的内表面进行涂覆的方法,包括以下步骤:使含有铝化物的气体流入所述涡轮发动机元件中的通道从而涂覆由所述通道形成的内表面;使所述含有铝化物的气体流动通过...
2007年5月30日
26
气化器以及半导体处理系统 [申请号/专利号:200610163552]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社、创研工业株式会社
本发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2),其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30...
2007年5月2日
27
一种制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法 [申请号/专利号:200610154423]
申请人/专利权人:浙江大学
本发明公开的Al/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的制备方法,先采用真空热蒸发法在基板上沉积Al膜,然后在同一反应室中采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法在Al膜上再沉积...
2007年5月9日
28
静电吸盘、薄膜制造设备及制造方法和衬底表面处理方法 [申请号/专利号:200610153667]
申请人/专利权人:精工电子有限公司
已经产生困难,即,在催化化学汽相淀积设备中设置具有氧化层作为介电层的静电吸盘的条件下,当在由静电吸盘支撑的工件上重复淀积硅薄膜时,静电吸盘的吸附能力逐渐降低,并且最终吸...
2007年3月21日
29
催化剂增强的化学汽相淀积设备及利用该设备的淀积方法 [申请号/专利号:200610078368]
申请人/专利权人:三星SDI株式会社
本发明公开了一种催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)设备和淀积方法,其中为防止催化剂丝因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力,并且为防止产生异物而使用辅助气体。该CEC...
2006年11月15日
30
超声波气化器 [申请号/专利号:200710013628]
申请人/专利权人:中国建材国际工程有限公司、蚌埠玻璃工业设计研究院
本发明涉及一种用于化学气相沉积(CVD)镀膜前驱液的超声波气化器,尤其是用于浮法玻璃在线化学气相沉积工艺中的前驱液的气化器。它由雾化罐1、镀膜前驱液罐5和载气罐3组成,...
2007年11月28日
31
高密度电浆化学气相沉积反应器及方法 [申请号/专利号:200610127751]
申请人/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是有关于一种高密度电浆化学气相沉积反应器及方法。该高密度电浆化学气相沉积方法,首先,激发一气体混合物,以产生具有复数个离子的电浆,且引导电浆至一半导体晶圆上的密集...
2007年4月4日
32
制膜装置、制膜方法、图案化方法、光学装置的制造方法 [申请号/专利号:200610110168]
申请人/专利权人:精工爱普生株式会社
提供一种能够提高微细图案的形成精度的制膜装置。具备:在基体(160)上喷出第一化学种的第一喷嘴(102a)、在基体(160)上喷出第二化学种的第二喷嘴(102b)、储存...
2007年2月14日
33
氧化锌膜的成膜方法 [申请号/专利号:200610080698]
申请人/专利权人:日本派欧尼株式会社
本发明提供使用CVD法安全地在各种基板表面形成具有高品质的结晶的氧化锌膜的成膜方法。本发明的方法是将二甲基锌或二乙基锌溶解到有机溶剂中的原料气化,供应到CVD装置中,同...
2006年12月6日
34
成膜装置和成膜方法 [申请号/专利号:200610065825]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种成膜装置,其特征在于,具有:内部能够抽真空的纵型的筒状的处理容器;多段地保持多个被处理体,并且能够插拔于前述处理容器内的被处理体保持机构;设在前述处理容器...
2006年9月27日
35
使用溶液基前体的原子层沉积方法和设备 [申请号/专利号:200610077801]
申请人/专利权人:波克股份有限公司
提供了溶液稳定和输送技术与特殊的ALD操作的独特组合。使用溶解在溶剂中的宽范围的低挥发性固体ALD前体。不稳定的溶质可在溶液中稳定,并且所有溶液都可在室温下输送。在溶液...
2007年10月31日
36
含硅薄膜的形成方法与减少微粒数目的方法 [申请号/专利号:200610058935]
申请人/专利权人:联华电子股份有限公司
一种含硅薄膜的形成方法,此方法是将衬底置于反应室,然后于反应室中导入一含硅气体,以进行化学气相沉积工艺,而于衬底上形成含硅薄膜,其中,至少控制反应室上内壁的温度低于50...
2007年9月12日
37
新的有机-金属前体材料和利用它制备金属薄膜的方法 [申请号/专利号:200610107498]
申请人/专利权人:三星电子株式会社
本发明提供一种能够容易分解而不与氧化剂反应的有机-金属前体材料,及利用该有机-金属前体材料制备金属薄膜的方法。所述有机-金属前体材料为具有孤对电子的有机分子,并具有配位...
2007年3月28日
38
一种连续化学气相淀积的方法与装置 [申请号/专利号:200610085969]
申请人/专利权人:中国科学技术大学
本发明连续化学气相淀积方法与装置,特征是经过预处理的衬底依次通过多个衔接在一起但系统参数各自独立控制的CVD反应室,在每个反应室中分别实现一个薄膜材料层的生长或进行一种...
2006年11月22日
39
离子镀稀土改性涂层中稀土的加入方法 [申请号/专利号:200610123304]
申请人/专利权人:广东世创金属科技有限公司
本发明涉及离子镀稀土改性涂层中稀土的加入方法,其特征在于包括如下步骤:1)把稀土卤化物配入醇液中制备稀土原液;2)把第1)步制得的稀土原液按比例溶入醇液中进行稀释制备稀...
2007年5月23日
40
气化器 [申请号/专利号:200710013629]
申请人/专利权人:中国建材国际工程有限公司、蚌埠玻璃工业设计研究院
本发明涉及一种用来气化镀膜前驱液的气化器,它由气化罐15、载气储罐2和镀膜前驱液储罐1组成,气化罐上设有气体出口26、内部设有雾化器10和电热丝,其特征在于载气储罐2所...
2007年11月28日
41
稀土离子渗氮-稀土离子镀复合涂层的连续式合成方法 [申请号/专利号:200610123305]
申请人/专利权人:广东世创金属科技有限公司
本发明涉及稀土离子渗氮-稀土离子镀复合涂层的连续式合成方法,其特征在于包括如下步骤:1)制备稀土添加剂,所述稀土添加剂由稀土卤化物溶入醇液中制备而成;2)制备氮基混合气...
2007年9月12日
42
使用脉冲ALD技术在衬底上沉积薄膜的方法 [申请号/专利号:200610064869]
申请人/专利权人:株式会社IPS
本发明提供一种使用脉冲馈送处理在衬底上沉积薄膜的方法。所述方法包括执行将第二反应气体连续馈送入其中安装有所述衬底的腔室中的第二反应气体连续馈送处理,和在所述第二反应气体...
2006年9月20日
43
橡胶瓶塞镀膜用反应室 [申请号/专利号:200620138011]
申请人/专利权人:徐志淮
一种橡胶瓶塞镀膜用反应室,属于橡胶材料的真空镀膜设备。包括壳体,其特征在于该橡胶瓶塞镀膜用反应室的壳体为立式圆筒形结构,壳体的侧壁开设门体,壳体上设有与反应室内腔相通的...
44
铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积的一种新方法 [申请号/专利号:200610129817]
申请人/专利权人:南开大学
本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O,S)、ZnO薄膜的反应系统,反应系统包括真空反应罩,上、下进气管,绝缘座,特征...
2007年5月30日
45
从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法 [申请号/专利号:200710104246]
申请人/专利权人:气体产品与化学公司
从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法。本发明涉及一种通过CVD在底物上沉积氧化硅层的方法。其中烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体在氧化剂存在下的反应允许形成氧化...
2007年11月28日
46
用于沉积多晶硅的CVD装置 [申请号/专利号:200610078524]
申请人/专利权人:三星SDI株式会社
本发明公开了一种用于沉积多晶硅且不需要单独的后续退火工艺的CVD装置,该CVD装置包括:室,用于在基底上形成薄膜;喷头,位于室的上部,以将反应气体注入到基底上;分配器,...
2006年11月15日
47
有机金属组合物 [申请号/专利号:200610167560]
申请人/专利权人:罗门哈斯电子材料有限公司
提供了适合用作含锗膜的气相沉积前体的包含锗化合物的组合物。还提供了使用所述组合物沉积含锗膜的方法。这些含锗膜可特别有效地用来制造电子器件。...
2007年6月27日
48
高纯致密异型钨制品的制备方法 [申请号/专利号:200610164939]
申请人/专利权人:北京工业大学
高纯致密异型钨制品的制备方法,属难熔金属加工领域。目前所用的钨制品均采用粉末冶金的方法制得,无法制备薄壁、复杂形状的钨制品。本发明以铜制作具有所需钨制品形状的仿体;将上...
2007年5月16日
49
催化剂增强化学气相沉积设备 [申请号/专利号:200610080157]
申请人/专利权人:三星SDI株式会社
本发明提供了一种催化剂增强化学气相沉积(CECVD)设备,在该CECVD设备中,喷头和催化剂支撑体相互独立。该CECVD设备具有在喷头、催化剂丝和基底之间的良好的间隔,...
2006年11月15日
50
一种羰基金属化合物气相渗透/沉积装置 [申请号/专利号:200620003951]
申请人/专利权人:钢铁研究总院
本实用新型由炉体、进气口(16)、尾气出口(1)、电加热及控温系统、空冷系统、炉座(11)、震动系统等部分组成,炉体由炉底半球体(8)、炉管(4)和炉顶缓冲器(2)三部...
 

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