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单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
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半导体处理 [申请号/专利号:200610166726]
申请人/专利权人:
罗门哈斯电子材料有限公司
揭示了一种用来提供能减少颗粒生成的碳化硅的方法。所述碳化硅制品可以用作处理半导体晶片的设备中的部件。通过减少半导体处理过程中生成的颗粒,减少了半导体晶片上的污染,从而提...
2007年6月20日
美国
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2
扩散系统中的双杆式推拉装置 [申请号/专利号:200320101703]
申请人/专利权人:
北京七星华创电子股份有限公司
本实用新型涉及一种扩散系统中的双杆式推拉装置,其结构由双杆式舟、分立夹持装置、位置调节机构、推拉机构与炉门装置组成;双杆式舟为梯型,为两只固定臂中间连有横管结构;这种结...
北京
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3
自调制激光晶体及其制备方法 [申请号/专利号:200310108222]
申请人/专利权人:
中国科学院上海光学精密机械研究所
一种新波段可调谐的自调制激光晶体及其制备方法,该自调制激光晶体的分子式为U,Y↑[2+]:MeF↓[2],其中U为U↑[2+]或U↑[4+],Me可以是Ca,Sr或Ba...
2004年10月27日
上海
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4
往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板 [申请号/专利号:02105907]
申请人/专利权人:
住友电气工业株式会社
本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶,在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时,保持C...
2002年11月20日
日本
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5
往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板 [申请号/专利号:200610093660]
申请人/专利权人:
住友电气工业株式会社
本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶,在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时,保持C...
2007年1月17日
日本
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6
一种Si*N*单晶低维纳米材料可控掺杂的方法 [申请号/专利号:200710006470]
申请人/专利权人:
宁波工程学院、清华大学、安立楠
一种有机前驱体共热解实现Si↓[3]N↓[4]单晶低维纳米材料均匀可控掺杂新方法,其包括以下具体步骤:(1)球磨混合:将两种有机前驱体聚硅氮烷和异丙醇铝按不同比例行星球...
2007年10月17日
宁波
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7
晶体硅硅片扩散炉 [申请号/专利号:200620042768]
申请人/专利权人:
上海太阳能科技有限公司
本实用新型涉及一种晶体硅硅片扩散炉,包括:石英管腔体,其两端设置有载入、载出端开口,并具有气幕帘和机械端盖。石英管腔体载入端设置有驱动载入碳化硅桨叶的载入传动机构。载入...
上海
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8
人造发晶及其制备方法 [申请号/专利号:200410013971]
申请人/专利权人:
周启波
一种人造发晶,在SiO↓[2]结晶体中添加有能耐2200℃以上高温的金属丝,所述金属丝的横截面的最大尺寸为0.03~5mm之间,结晶体中所含金属丝的量为结晶体重量的0....
2004年12月29日
江苏
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9
硅基片及其制造方法 [申请号/专利号:98124480]
申请人/专利权人:
日本电气株式会社
本发明提供一种能够控制所导入的杂质的浓度和截面分布的单晶硅基片以及制造这种基片的方法。该硅基片由一单晶硅底层和一形成于该底层上的单晶硅低氧浓度层组成。该底层具有第一氧浓...
1999年5月26日
日本
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10
掺铟混晶锌扩散源 [申请号/专利号:88102204]
申请人/专利权人:
吉林大学
本发明为一种制造半导体器件的专用材料。掺铟混晶锌扩散源是一种制造GaAs、(AlGa)As材料半导体器件用的Z-[n]杂质扩散源。这种扩散源是把In、Zn、As三种单质...
1989年11月8日
吉林
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11
半导体的光致核**变掺杂 [申请号/专利号:87100971]
申请人/专利权人:
英国原子能管理局
一中用于掺杂半导体材料的工艺及设备,借助于光致核反应,将其中的半导体材料的原子嬗变为选择掺杂物的原子....
1987年9月9日
英国
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12
配制液态掺杂剂稀溶液的气体载运方法及其装置 [申请号/专利号:86104706]
申请人/专利权人:
杨韧
本发明属于掺杂的气相化学淀积领域。以高纯载气流经恒温掺杂剂的冒泡瓶,再流经外延淀积用的基质液瓶,载入基质液中的掺杂剂量可得到精确控制。本法操作简便,避免了配液过程中氯化...
1988年1月27日
北京
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13
多层外延伸化镓的双源法和装置 [申请号/专利号:86104689]
申请人/专利权人:
杨韧
本发明属于掺杂的气相化学淀积技术领域。为解决掺Te或掺Sn的GaAs多层结构的制作,把重掺Te或Sn的GaAs单晶切片置于氯化物系统镓源后的腐蚀区作杂源,用磁拉方法改变...
1988年1月27日
北京
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14
制备单晶硅片表面完整层的新途径 [申请号/专利号:85100856]
申请人/专利权人:
北京科技大学
本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术.发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅.经切、磨、抛后,硅片实行两次热处理的方法,获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层,为...
1986年7月2日
北京
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15
原子层掺杂装置和方法 [申请号/专利号:01816669]
申请人/专利权人:
微米技术股份有公司
揭示了一种改进的具有多个掺杂区域的原子层掺杂装置,其中首先沉积各种掺杂物质,然后将其中包含的掺杂物原子扩散到基层中。各个掺杂区域与相邻的掺杂区域化学隔离。对加载装置编程...
2004年1月14日
美国
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16
一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法 [申请号/专利号:200710070401]
申请人/专利权人:
浙江大学
本发明公开了具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法,硅片的氧浓度为5~15×10↑[17]cm↑[-3],锗浓度为1×10↑[13]~1×10↑[20]cm↑[-3],洁...
2008年4月23日
杭州
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