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发明名称 全文
　　数字存储器信息的写入或读出装置(944)　　存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器(580)　　辅助电路，例如，用于写入存储器的(493)　　应用半导体器件的(479)
　　应用多层磁性层的(413)　　电可编程序的(401)　　使用具有按级表示的多于两个稳态的存储元件的，如，电压、电流、相位、频率的(288)　　输入/输出(275)
　　采用包括模拟/数字转换器的装置以数字存储的方式存储模拟信号(272)　　编程或数据输入电路(250)　　用于场效应型存储单元的(249)　　应用铁电元件的(241)
　　读写电路(220)　　刷新或电荷再生周期的管理或控制(218)　　应用晶体管的(211)　　包括在G11C 11/00组中的存储器零部件(210)
　　形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的(194)　　使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS(178)　　应用磁自旋效应的存储元件的(176)　　可擦除可编程序只读存储器(173)
　　数字存储器中用于地址选择的装置(148)　　读出放大器；相关的电路(135)　　辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的(135)　　特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器(115)
　　以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件(113)　　应用半导体元件的(112)　　读写控制信号发生器或管理(110)　　读出或读电路；数据输出电路(102)
　　电源装置(98)　　存储器单元安全或保护电路，例如，用于防止无意中的读或写的装置；状态单元；测试单元(88)　　辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的(86)　　编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留(77)
　　读写电路(75)　　应用磁性元件的(69)　　使用光学元件的数字存储器(68)　　位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路(67)
　　所存储的信息是步进移动的数字存储器，例如，移位寄存器(60)　　只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如，手动可替换信息卡片的(58)　　用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路(55)　　防止对存储单元的未授权或意外访问的安全或保护电路(52)
　　存储元件电的互相连接的装配，例如，通过布线的互连(52)　　按照当电源掉电时用于后备的具有易失及非易失存储特性的单元装置的特征区分的数字存储器(51)　　用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器(51)　　供电电路(47)
　　地址电路；译码器；字线控制电路(46)　　应用薄膜元件的(45)　　辅助电路，例如，用于写入存储器的(44)　　取样—保持装置(42)
　　只使用场效应晶体管的(40)　　存储元件的排列，例如，矩阵形式的排列(38)　　字线控制电路，例如，用于字线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路(37)　　用于场效应型存储单元的(37)
　　所存储的信息是由一个或多个被写入的特征部分所组成并且该信息是通过搜索一个或多个这些特征部分进行读出的数字存储器，即相关存储器或内容编址存储器(37)　　应用半导体元件的(36)　　使用其操作取决于化学变化的存储元件的数字存储器(33)　　组选择电路，例如，用于存储器块选择、芯片选择、阵列选择(30)
　　寻址电路(29)　　用于擦除块的，例如，阵列、字、组(27)　　应用电可熔链路的(27)　　错误指示或识别，例如，修复(26)
　　读出或读出/刷新放大器，或相关的读出电路，例如用于耦合位线预充电、均衡或隔离的(24)　　多级存取存储器阵列，例如，通过至少两个独立的寻址线组寻址一个存储器单元(24)　　应用差分读出或基准单元，例如，哑单元(22)　　应用半导体器件的，例如，双极性元件(21)
　　电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路(20)　　采用时序寻址器件的，例如，移位寄存器、计数器(20)　　位线组织；位线布局(20)　　电模拟存储器，例如，用于瞬时值存储的(20)
　　用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置(18)　　哑单元管理；读取基准电压发生器(18)　　应用电元件的(16)　　访问额外单元，例如，虚拟单元或冗余单元(16)
　　应用电容器的(15)　　存储器单元初始化电路，例如当加电或断电时的存储器清除，潜像存储器(15)　　在制造过程中用耦合元件的预定排列确定其存储内容的，例如掩膜式可编程序的ROM(15)　　初始化；数据预置；芯片识别(15)
　　位线控制电路(14)　　输入/输出(14)　　使用光电器件的，即，电耦合或光耦合的光发射器件及光电器件(14)　　地址定时或计时电路；地址控制信号发生或管理，例如，用于行地址选通信号的(14)
　　有避免由于温度效应引起干扰的装置的(14)　　通过有选择地建立、断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存储内容的，例如，PROM(14)　　有一个电荷传输门的，例如每个单元一个MOS晶体管(13)　　编程电压开关电路(13)
　　应用场效应器件的(13)　　定时电路(12)　　其控制(12)　　存储元件的支架；存储元件在支架上的安装或固定(12)
　　译码器(12)　　容限测试，例如，竞争、电压或电流测试(12)　　应用选择矩阵的(11)　　对多个存储单元共同进行电荷再生的，即，外部刷新(11)
　　应用二极管的，例如，阈值元件(11)　　应用霍尔效应器件的(11)　　有避免寄生信号的装置的(10)　　用于初始化、加电或断电、清除存储器或预置的电路(10)
　　用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备；所用接口(10)　　所存储的信息是循环流动的数字存储器(10)　　移位寄存器(10)　　输入/输出数据管理或控制电路，例如读或写电路、I/O驱动器、位线开关(9)
　　地址接口装置，例如，地址缓冲器(9)　　字线组织；字线布局(9)　　安全或保护电路，例如，用于防止无意的或非法的读或写；状态单元；测试单元(8)　　应用磁性或电感性元件的，(8)
　　用纠错码或奇偶校验检查(8)　　专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置，例如，用直接存储器存取(7)　　应用电容器作为各级主要元件的(7)　　损坏存储元件的检测或定位(6)
　　定时电路(6)　　应用二极管元件的(6)　　读写电路(6)　　寻址电路(6)
　　地址安全或保护电路，即，用于防止未授权或意外访问的装置(6)　　有三个电荷传输门的，例如每个单元多个MOS晶体管(6)　　专用于特定类型的半导体存储器件的辅助电路，例如，用于寻址的、驱动的、读出的、定时的、供电的、信号传播的(5)　　用压缩技术(5)
　　损坏的备用电路的检测或定位，例如，损坏的刷新计数器(4)　　地址形成装置；访问内存装置，例如，寻址电路的零部件(4)　　控制逻辑的实现，例如，测试模式解码器(4)　　应用半导体元件的(4)
　　读写电路(4)　　位线管理或控制电路(4)　　位线组织，例如位线布局、折叠位线(3)　　寻址电路(3)
　　应用超导元件的，例如冷子管(3)　　应用磁性元件的(3)　　应用电容性元件的(3)　　对每个存储单元单个进行电荷再生的，即，内部刷新(3)
　　应用平面结构薄膜的(3)　　功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试(3)　　以影响存储的机械配件的运动为特征的数字存储器，例如，使用滚珠的；为此所用的存储元件(3)　　用微程序控制单元，例如，状态机(2)
　　二维移位寄存器，例如水平和垂直的(2)　　应用带有由例如电压、电流、相位、频率分级表示的两个以上稳定状态的存储元件的(2)　　数据生成装置，例如，数据反相器(2)　　存储器内量保护；存储器内量中的错误检测(2)
　　使用可控硅的(2)　　应用多轴存储元件的(2)　　有圆筒状结构的(2)　　用于存储元件互连的设备或方法，例如磁芯的穿线(2)
　　应用电触点的动作来存储信息的(2)　　应用磁光元件(2)　　哑单元处理；基准电压发生器(1)　　用于双极型存储单元的(1)
　　应用磁性元件的(1)　　用于光擦除的电路(1)　　用于磁性元件的互连(1)　　应用圆筒形存储元件的，例如，磁杆、磁线(1)
　　在公共层采用静电存储的，例如，Forrester—Haeff管(1)　　用于双极型存储单元的(1)　　应用真空管的(1)　　设计检测电路的装置，例如，可测试性设计工具(1)
　　访问单阵列(1)　　应用光—电器件的，即光发射器件和电耦合或光耦合的光电器件(1)　　用计数器或线性反馈位移寄存器(1)
 
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