磁性薄膜，如单畴结构的-钱眼专利分类

叠层磁性薄膜及其制造方法　[申请号/专利号：200510097939]
申请人/专利权人：太阳诱电株式会社
本发明利用粒状膜同时实现叠层磁性薄膜的高电阻率化和高频频带中的优良软磁特性。叠层磁性薄膜１０具有在基板１２上使绝缘层１４和粒状层１６交替多次成膜而形成的叠层结构。绝缘层...

2006年3月22日

微电磁干扰吸持块　[申请号/专利号：200720071011]
申请人/专利权人：上海杰灵磁性器材有限公司
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上海

磁微带线及其应用　[申请号/专利号：97116984]
申请人/专利权人：江年华
本发明涉及一种磁性薄膜器件，特别是一种利用磁阻抗效应进行工作的磁性薄膜器件及其应用，本发明由磁性薄膜微带７，和磁性薄膜微带７两端联接的导体薄膜微带６（ａ）、６（ｂ），电...

1999年4月21日

四川

薄膜器件及薄膜电感器　[申请号/专利号：200610143760]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明提供一种通过确保导电膜的粘着性及磁性膜的磁特性来确保工作性能的薄膜器件。支持体（１）的表面粗糙度（算术平均粗糙度Ｒａ）处于Ｘμｍ≤Ｒａ≤０．１μｍ的范围内。此表面...

2007年5月23日

磁阻元件及其制造方法以及磁性随机存取存储器　[申请号/专利号：200610141248]
申请人/专利权人：株式会社东芝
根据本发明一个方面的一种磁阻元件包括其磁化状态改变的自由层和其磁化状态固定的钉扎层。所述自由层包括第一和第二铁磁性层以及设置在所述第一和第二铁磁性层之间的非磁性层。设定...

2007年4月4日

采用呈突出复导磁率特性的磁损耗材料的高频电流抑制体　[申请号/专利号：01116699]
申请人/专利权人：NEC东金株式会社
为了提供一种表现出显著高频磁损耗特性、能极为有效地消除来自非常密集地集成的电子微电路如半导体集成周边器件的高频传输噪声的磁损耗材料，及其制造方法和所用到的高频电流抑制体...

2001年10月24日

包括电子电路元件的树脂模制部件　[申请号/专利号：01116567]
申请人/专利权人：ＮＥＣ东金株式会社
一种树脂模制部件（１）包括设置于其内且密封在环氧树脂模（３）中的半导体承载芯片（２）。该树脂模制部件完全被作为高频电流抑制器的磁损耗膜（５）所覆盖。所述磁损耗膜最好是由...

2001年10月10日

低钴高矫顽力锰钴改性针状γ-Ｆe2Ｏ3磁粉及其制备方法　[申请号/专利号：93117981]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种低钴高矫顽力锰钴改性针状γ－Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］磁粉及制备方法。该磁粉还具有高磁热稳定性和低矫顽力温度系数。本发明在γ－Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］表面包敷Ｍ...

1995年4月5日

透明磁记录介质　[申请号/专利号：98102219]
申请人/专利权人：富士摄影胶片株式会社
这里公开了一种透明磁记录介质，该介质在片基上至少具有一个含有磁性粒子的磁记录层，这个介质在所述的至少一个磁记录层该侧的表面上含有高度不小于０．００１μｍ、但小于０．１μ...

1998年12月23日

软磁性薄膜的制造方法　[申请号/专利号：96101520]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明可以在大面积的范围内控制各向异性，制造显示出高饱和磁通密度的软磁性薄膜，使其具有适于各种磁头的导磁率。其方法是在混有氮气的惰性气体保护气氛中，配设以铁或钴为主成分...

1996年11月5日

一种磁性存储器装置以及其制造方法　[申请号/专利号：200610138892]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明公开一种非易失性存储器设备。该设备包括基板、至少一个相对高磁导率的导线、以及至少一个磁阻性存储器单元，其以一绝缘材料与该至少一个相对高磁导率导线分隔，且其位于该相...

2007年4月25日

台湾

具有磁电阻特性的异质结材料　[申请号/专利号：200510135499]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再...

2007年7月4日

一种基于纳米晶软磁薄膜的磁三明治材料及其制备方法　[申请号/专利号：200510021532]
申请人/专利权人：电子科技大学
本发明公开了一种基于纳米晶软磁薄膜的磁三明治材料及其制备方法，该材料是两个铁磁层由一个非磁性金属层隔离而成，其特点是两个铁磁层中一个是纳米晶磁性薄膜，另一个为多晶态的磁...

2007年2月28日

成都

纳米粒子薄膜的制备　[申请号/专利号：200480007446]
申请人/专利权人：纳磁股份有限公司
一种形成具有磁性纳米粒子膜的磁记录装置的方法，其包括制备磁性纳米粒子在载液中的悬浮液，并将所述流体悬浮液以体积小于约ｌｎＬ的小滴形式沉积到基质表面，作为沉积流体悬浮液的...

2006年4月19日

英国

使用气态转变图形化磁性薄膜的方法和系统　[申请号/专利号：200410056328]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种图形化磁性薄膜的方法，包括对磁性薄膜的一部分使用化学转变，将该部分转变为非磁性的和电绝缘的，以及所产生的结构。...

2005年4月13日

美国

热处理装置及热处理方法　[申请号/专利号：03804570]
申请人/专利权人：福泰克炉业株式会社
热处理装置（１），包括：与热处理容器（２）邻接配置、可以将内部空间设定成规定的气氛的处理室（５０），以及，作用到保持处理对象的保持机构（３）上、使处理对象在热处理容器（...

2005年7月13日

多层磁性颜料片和箔　[申请号/专利号：02808832]
申请人/专利权人：弗莱克斯产品公司
本发明提供多层磁性颜料片和箔。颜料片在一个磁核的相对面上可以有一个对称的镀膜结构，或者形成包围磁核的密封镀层。磁核可以是一个在反射或介质层之间的磁性层，在磁性层之间的介...

2004年6月16日

美国

具有叠层铁磁层的钉扎薄膜　[申请号/专利号：02293463]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本实用新型涉及具有叠层铁磁层的钉扎薄膜，该钉扎薄膜包括一由硅或玻璃做成的基片和在基片上设置的一由Ｔａ或（Ｎｉ＃－［Ｘ］Ｆｅ＃－［１００－Ｘ］）＃－［Ｙ］Ｃｒ＃－［１００...

磁阻效应元件　[申请号/专利号：200610159938]
申请人/专利权人：佳能安内华股份有限公司
本发明提供一种磁阻效应元件，具有固定强磁性层和自由强磁性层及由这些强磁性层夹持的阻挡层，且在自由强磁性层中使用硼Ｂ的添加量（ｂ：原子％）为２１％≤ｂ≤２３％的ＣｏＦｅＢ...

2007年4月4日

一种适于器件化的磁性隧道结及其用途　[申请号/专利号：200510130665]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一...

2007年6月27日

在准微波段具有最大复导磁率的磁物质及其生产方法　[申请号/专利号：01800621]
申请人/专利权人：ＮＥＣ东金株式会社
提供了一种在准微波范围有复导磁率最大值的磁物质，用于压制小型电子装置中的高频噪声。该磁物质是由包含Ｍ、Ｘ和Ｙ的磁合成物构成的，这里Ｍ是包含Ｆｅ、Ｃｏ和／或Ｎｉ的金属磁性...

2002年8月21日

磁性体的改良结构　[申请号/专利号：03220044]
申请人/专利权人：王人杰
本实用新型公开了一种磁性体的改良结构，设有一圆片状载体，载体表面喷涂一层或一层以上与粘性液体混合的磁粉，以构成片状磁性体，使其磁力线与大地极性呈放射状磁场，将该磁性体置...

台湾

一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途　[申请号/专利号：200510123229]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜，其为基于磁矩垂直于水平面的磁性材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底，其上依次沉积了缓冲层、第一磁性层、非磁金属导电层或者绝...

2007年5月23日