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钱眼专利首页 > 按磁层的特性区分的 的专利共 15 条
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1
具有GMR-筛网层的CPP-GMR磁头　[申请号/专利号：200610132031]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
提供一种具有足够高输出的自旋－阀门型磁头。其中通过在由铁磁金属突出状部分１６２和半－覆盖氧化层１６１构成的ＧＭＲ－筛网层１６０中，使ＧＭＲ－效果和电流－路径－限制效果它...
2007年11月14日
2
薄膜磁头及其制造方法、以及使用该薄膜磁头的磁记录装置　[申请号/专利号：200510091824]
申请人/专利权人：新科实业有限公司
本发明所提供的一种薄膜磁头，在磁极层１０具有张应力的情况下，可以使与该磁极层１０下方邻接的绝缘层９以及与其上方邻接的间隙层１２具有张应力。并且，通过绝缘层９及间隙层１２...
2006年3月15日
3
环状单磁畴结构微小磁体及其制造方法以及采用该磁体的磁记录元件　[申请号/专利号：200480022501]
申请人/专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
由平板状强磁体构成，其平面部形状具有线对称轴的同时在与该线对称轴垂直的方向上非对称，在平行外部磁场堙没时显示环状单磁畴结构，通过这种结构的微小磁体和采用该微小磁体的ＭＲ...
2006年9月13日
4
多晶结构及其制造方法　[申请号/专利号：02828667]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种多晶结构（２４），包括在基片（２３）的表面上延伸的基层（３１）。细微构造的磁性晶粒（３２）稀疏地存在于基层（３１）的表面上。磁性晶粒（３２）是由有序合金构成的。磁性...
2005年6月1日
5
自旋阀传感器　[申请号/专利号：00814813]
申请人/专利权人：西加特技术有限责任公司
一种包括有氧化层，钉住层，非磁性间隔器层，自由磁性层和钉层的磁阻传感器。该传感器包括毗邻自由磁性层的钉层。自由磁性层毗邻非磁性间隔器层。非磁性间隔器层毗邻钉住层。而钉住...
2002年11月27日
6
磁各向异性增强的装置以及相关方法　[申请号/专利号：200810131463]
申请人/专利权人：希捷科技有限公司
一种装置，包括绝热基底、在该绝热基底上的能量吸收层、以及在该能量吸收层上的闪光退火磁性层。闪光退火磁性层可以被配置用于数据存储。一种方法，包括提供绝热基底，在该绝热基底...
2008年11月19日
7
一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法　[申请号/专利号：97106753]
申请人/专利权人：中国科学院上海冶金研究所
本发明涉及一种多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法和材料。本方法采用超高真空电子束蒸发系统，系统配有二支电子枪，控制蒸发纯度均为９９．９％的三种金属靶，从而制备成...
1999年6月9日
8
磁致电阻元件及其作为存储单元阵列内的存储元的应用　[申请号/专利号：99812052]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
磁致电阻元件具有一个第１铁磁层元（１１），一个非磁性层元（１３）和一个第２铁磁层元（１２），它们是如此安排的，非磁性层元（１３）安排在第１铁磁层元（１１）和第２铁磁层元...
2001年11月21日
9
磁致电阻元件及其在存储单元装置中作为存储元件的应用　[申请号/专利号：99810669]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
在磁致电阻元件内，在第１铁磁层元件（１）和第２铁磁层元件（２）之间安排了非磁性层元件（３）。非磁性层元（３）由一种材料组成，它在制造磁致电阻元件时必需的温度范围内具有扩...
2001年10月10日
10
具有提供改善的自由层偏置的Ru/Si基种子层的磁传感器　[申请号/专利号：200510136197]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明涉及一种部分研磨传感器设计的具有新颖的种子层的磁致电阻传感器，当该种子层沉积在晶体结构例如ＡＦＭ层上时，其允许形成在其上的偏置层具有优异的硬磁属性。该种子层结构包...
2006年9月27日
11
磁性体薄膜及其制造方法和磁头　[申请号/专利号：95106049]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明通过使主磁性层２和中间层３交替层叠形成磁性体薄膜１来提供具有良好的软磁特性的磁性体薄膜，主磁性层２由磁性结晶粒子构成，该磁性结晶粒子实质上具有柱状结构，具有０．３...
1996年5月1日
12
一种铁合金氮化物纳米巨磁阻抗薄膜材料及制备方法　[申请号/专利号：200610021844]
申请人/专利权人：电子科技大学
一种铁合金氮化物纳米巨磁阻抗薄膜材料及制备方法，属于功能材料技术领域。所述材料为ＮｉＦｅ合金薄膜层和ＦｅＸＮ（Ｘ＝Ａｌ、Ｔｉ或Ｔａ）纳米晶软磁薄膜层彼此相间形成的多层薄...
2007年2月28日
13
磁性薄膜及其形成方法、磁性元件以及电感器和磁性元件的制造方法　[申请号/专利号：200510104698]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明提供具有高共振频率，高频特性优异的磁性薄膜以及高频特性优异的磁性元件以及电感器。在衬底２上设置平面线圈４以及磁性薄膜１，在连接用端子Ｊ１，Ｊ２之间形成电感器。相对...
2006年7月12日
14
带有低本征单轴各向异性自由层的巨磁致电阻传感器　[申请号/专利号：01124480]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
自旋阀（ＳＶ）磁阻传感器，具有ＡＰ钉扎层、ＡＰ耦合的自由层和二者之间的非磁性导电分隔层。ＡＰ钉扎层包含被反向平行耦合（ＡＰＣ）层分隔的第一和第二铁磁层。自由层包含第三铁...
2002年2月20日
15
场响应增强的磁元件及其制造方法　[申请号/专利号：00131625]
申请人/专利权人：自由度半导体公司
一个改善的和新的器件和一个磁元件的制造方法，更特别地，一个磁元件（１０）包括一第一电极（１４），一第二电极（１８），和一个隔离层（１６）。第一电极（１４）包括一个固定的...
2001年5月9日
16
垂直磁记录介质　[申请号/专利号：200510104012]
申请人/专利权人：富士电机电子设备技术株式会社
本发明的一个目的是提供一种垂直磁记录介质，它能改善写的性能，但不会破坏热稳定性和电磁转换特性，如噪音性能。本发明的垂直磁记录介质包含至少一个非磁性底层４和一个磁性层５。...
2006年5月3日
 

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