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钱眼专利首页 > 自旋交换耦合的多层，例如纳米结构的超晶格 的专利共 80 条
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1
一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构　[申请号/专利号：200810103181]
申请人/专利权人：北京科技大学
一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，属于磁随机存储技术领域，所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结（ＭＴＪ）结构的最底层为底电极层，从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第...
2008年10月1日
2
磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置　[申请号/专利号：200810095658]
申请人/专利权人：佳能安内华股份有限公司
本发明公开了一种磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置。所述磁阻元件包括：从包含锰的层形成的反铁磁性层；包含位于反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形...
2008年11月12日
3
磁阻效应元件,磁头和磁记录/再现设备　[申请号/专利号：200710078832]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层；自由磁化层；其设置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的非磁性隔离；和设置在所述自由磁化层背向所述非磁性中间层的一侧上的插入层，其中...
2007年8月29日
4
2008年6月4日
5
2008年12月10日
6
磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器　[申请号/专利号：200810080432]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种ＣＰＰ型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由ＣｏＦｅＧ...
2008年8月27日
7
磁阻元件及其制造方法以及磁性随机存取存储器　[申请号/专利号：200610141248]
申请人/专利权人：株式会社东芝
根据本发明一个方面的一种磁阻元件包括其磁化状态改变的自由层和其磁化状态固定的钉扎层。所述自由层包括第一和第二铁磁性层以及设置在所述第一和第二铁磁性层之间的非磁性层。设定...
2007年4月4日
8
CoFeB层构成固定层至少一部分的隧道型磁检测元件及其制法　[申请号/专利号：200710152772]
申请人/专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
本发明特别涉及由Ｍｇ－Ｏ形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率（△Ｒ／Ｒ）的隧道型磁检测元件及其制造方法。第２固定磁性层（４ｃ），从下面起，以由Ｃｏ...
2008年3月26日
9
磁阻效应元件、磁头、磁存储装置及磁内存装置　[申请号/专利号：200610092533]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明涉及磁阻效应元件、磁头、磁存储装置及磁内存装置。本发明公开一种ＣＰＰ型磁阻效应元件，包括：固定磁化层；非磁性层；以及由ＣｏＦｅＡｌ形成的自由磁化层。ＣｏＦｅＡｌ的...
2007年2月28日
10
高频振荡器　[申请号/专利号：200610143645]
申请人/专利权人：株式会社东芝
高频振荡器包括高频振荡元件，该高频振荡元件具有其磁化方向基本被固定在一个方向的磁化被固定层；由磁性材料形成的在提供电流时产生高频振荡现象的振荡层；设置在磁化被固定层和振...
2007年5月2日
11
磁阻效应元件和磁存储器　[申请号/专利号：200710006985]
申请人/专利权人：株式会社东芝
可以在低电流密度下引起自旋反转，这样不会造成元件损坏，还可以用小电流进行写操作。一种磁阻效应元件包括：磁化钉扎层，其中磁化方向被钉扎；磁记录层，其中磁化方向可变，所述磁...
2007年9月5日
12
磁性记录元件和磁性存储器　[申请号/专利号：200710137982]
申请人/专利权人：株式会社东芝
根据本发明的一个示例的磁性记录元件包括：磁性自由层（１１），该层的磁化随着流过薄膜的电流方向是可变的，并且该层的磁化的易磁化轴的方向与薄膜平面垂直；磁性被钉扎层（１２）...
2008年1月2日
13
一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途　[申请号/专利号：200610080970]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有量子效应的ＭｇＯ双势垒磁性隧道结，其核心膜层从下至上包括以下五层：第一磁性层、第一隧道势垒层、中间磁性金属层、第二隧道势垒层以及第二磁性层。本发明提供...
2007年11月28日
14
晶粒大小可控的多晶Fe*O*薄膜材料及其制备方法　[申请号/专利号：200610013055]
申请人/专利权人：南开大学
本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜，Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］晶粒粒径为１９～４２纳...
2006年7月19日
15
磁阻结构　[申请号/专利号：200610074474]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是有关于一种磁阻结构，例如用为磁场感应器中的自旋阀（Ｓｐｉｎ－ｖａｌｖｅ）或巨磁阻（Ｇｉａｎｔ　　Ｍａｇｎｅ　　ｔｏＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ；ＧＭＲ）堆叠。此磁阻结构...
2006年10月25日
16
包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法　[申请号/专利号：200610008529]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
公开了一种包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法，该分层铁磁结构包括：位于衬底上方的第一铁磁层（１１）；位于第一铁磁层（１１）上方的第二铁磁层（１３）；以及位...
2006年8月23日
17
磁畴数据存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810002213]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置及其制造方法，所述数据存储装置包括具有磁化方向可确定的至少两个磁畴的第一磁层和／或形成在第一磁层的下表面上的第二软磁层。即...
2008年7月9日
18
磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法　[申请号/专利号：200810086892]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由ＮｉＦｅＮ制成的底层（２）设置于衬底的主表面之上。由包含Ｉｒ和Ｍｎ的反铁磁材料制成的钉扎层（３...
2008年9月24日
19
磁电阻元件和磁性存储器　[申请号/专利号：200810008901]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉...
2008年7月30日
20
隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器　[申请号/专利号：200710152798]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过...
2008年5月21日
21
用于磁阻纳米颗粒传感器的集成1/f噪声去除方法　[申请号/专利号：200480022116]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明提供了一种用于磁性纳米颗粒传感器装置中的噪声去除的集成电路和方法。本发明的方法包括通过导体传送导体电流以在磁阻传感器的位置产生第一水平磁场分量的步骤。在另一步骤中...
2006年9月6日
22
利用薄钌间隔层和高磁场退火的增强反平行被钉扎传感器　[申请号/专利号：200610005181]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明提供具有间隔层的反平行被钉扎传感器，所述间隔层提高了该传感器的反平行耦合强度。该反平行被钉扎传感器是ＧＭＲ或ＴＭＲ传感器，其具有纯钌或钌合金间隔层。间隔层的厚度小...
2006年8月9日
23
磁阻效应元件和磁阻式随机存取存储器　[申请号/专利号：200710161358]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻（ＲＡ）和高ＴＭＲ比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁...
2008年4月2日
24
具有Ru合金反平行间隔层的薄膜介质和磁致电阻传感器　[申请号/专利号：200610003604]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明提供一种具有自由层和与所述自由层间隔开的反平行（ＡＰ）被钉扎层结构的磁头。所述ＡＰ被钉扎层结构包括至少两个被钉扎层，其具有彼此反平行的自钉扎的磁矩，所述被钉扎层通...
2006年8月9日
25
一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200510135365]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种环状磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的圆环状，该圆环的内径为１０～１０００００ｎｍ，外径为２０～２０００００ｎｍ。按照形成的材料分类...
2007年7月4日
26
一种环状含金属芯的磁性多层膜及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200510135370]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种环状含金属芯的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的环状，该圆环的内径为１０～１０００００ｎｍ，外径为２０～２０００００ｎｍ；还包括位于...
2007年7月4日
27
存储器　[申请号/专利号：200710107617]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明披露了一种存储器，其包括：存储元件，具有基于磁性材料的磁化状态保持信息的存储层；以及电连接至存储元件的导体。在该存储器中，通过中间层对存储层设置磁化固定层，该中间...
2007年11月28日
28
一种适于器件化的磁性隧道结及其用途　[申请号/专利号：200510130665]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一...
2007年6月27日
29
具有磁性层结构的器件的制造方法　[申请号/专利号：200480016087]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
公开了一种具有磁性层结构的器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成磁性层结构（２）；用电流加热该磁性层结构，其中电流是具有一定持续时间的脉冲（３），从而从该层结构向层结...
2006年8月30日
30
2008年1月9日
31
存储元件和存储器　[申请号/专利号：200810084068]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过...
2008年9月17日
32
磁阻元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710102978]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明的磁阻元件包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于该第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于该薄膜层上、具有...
2007年10月31日
33
热促进编程的磁性存储元件方法及装置　[申请号/专利号：200710102186]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明公开了一种磁性存储元件，其包括磁性存储单元，此磁性存储单元包括被钉扎层以及自由层，自由层以绝缘层而与被钉扎层分离。此磁性存储元件亦包括接触至自由层的热盘。此磁性存...
2007年11月7日
34
半导体器件和形成该半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710097021]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
半导体器件和形成该半导体器件的方法。形成于字线和位线之间的半导体器件，包括：生长层、形成于生长层上的反铁磁体层、形成于反铁磁体层上的被钉扎层、形成于被钉扎层上的隧道阻挡...
2007年12月19日
35
用于输入设备的磁传感器　[申请号/专利号：200580040736]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种磁传感器，含有布置在基板上的磁体（３０）和磁阻元件（２０），使得通过磁阻元件的磁场线实质上平行于基板平面。由于改变了通过元件的磁场线的数量，所以可以检测基板附近可移...
2007年10月31日
36
存储元件和存储器　[申请号/专利号：200710096904]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化...
2007年10月24日
37
磁阻元件和磁存储器　[申请号/专利号：200710141632]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件（１０）包括：包含磁性材料并具有（００１）面取向的ｆｃｔ晶体结构的自由层（１２），该自由层（１２）具有与膜面垂直并具有可通过自...
2008年4月16日
38
具备在固定层中含有CoFeB膜的复合层的隧道型磁检测元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710152793]
申请人/专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
本发明提供一种隧道型磁检测元件及其制造方法，该隧道型磁检测元件由Ａｌ－Ｏ形成绝缘阻挡层，且能够得到低的ＲＡ且高的电阻变化率（△Ｒ／Ｒ）。第二固定磁性层（４ｃ）通过将由Ｃ...
2008年3月26日
39
隧道磁阻元件、磁头以及磁存储器　[申请号/专利号：200710153185]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种具有大ＭＲ比的隧道磁阻（ＴＭＲ）元件。这种ＴＭＲ元件在磁化固定层与磁化自由层之间形成有隧道阻挡层，在磁化自由层上设置有覆盖层。隧道阻挡层由ＭｇＯ膜形成。磁...
2008年4月2日
40
磁阻效应元件、磁存储器、磁头及记录再生装置　[申请号/专利号：200710180640]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供可以谋求ＭＲ变化率提高的磁阻效应元件、磁存储器、磁头及磁记录再生装置。磁阻效应元件具有：磁化方向实质上被固定成一个方向的第１磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第...
2008年4月2日
41
磁阻效应元件、磁头、磁再现装置、以及磁阻效应元件的制造方法　[申请号/专利号：200710085268]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明的磁阻效应元件包括：包括磁化自由层、磁化固定层、以及置于两者之间的中间层的磁阻效应薄膜；磁耦合层；铁磁层；反铁磁层；在与磁阻效应薄膜的薄膜表面几乎平行并与磁化固定...
2007年8月29日
42
存储元件和存储器　[申请号/专利号：200610148694]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供一种存储元件，其包括基于磁性物质的磁化状态保持信息的存储层，和为该存储层设置的磁化固定层，在两者之间具有中间层，所述中间层由绝缘体组成。将自旋－极化电子在层－...
2007年5月23日
43
一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜及其制法和用途　[申请号/专利号：200610011167]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，其中矩形内环的宽度为１０～１０００００ｎｍ，外环宽度为２０～...
2007年7月18日
44
一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200610011166]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种闭合形状的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，其中矩形内环的宽度为１０～１０００００ｎｍ，矩形外环的宽度为２０～２０...
2007年7月18日
45
磁阻效应元件、磁头以及磁盘设备　[申请号/专利号：200710089699]
申请人/专利权人：株式会社东芝
磁阻效应元件包括磁化固定层、分隔层和磁化自由层，该磁化固定层含有第一晶粒，并具有基本固定在一个方向上的磁化方向；该分隔层配置在磁化固定层上并且含有绝缘层和贯通绝缘层的金...
2007年10月3日
46
2008年5月28日
47
一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途　[申请号/专利号：200510123229]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜，其为基于磁矩垂直于水平面的磁性材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底，其上依次沉积了缓冲层、第一磁性层、非磁金属导电层或者绝...
2007年5月23日
48
具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法　[申请号/专利号：200610056824]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有钉扎的铁磁／反铁磁多层膜材料及其制备方法，该材料采用真空沉积镀膜法和再退火的工艺，制备出包括在基片上依次设置缓冲层、铁磁层和一反铁磁层，或者在缓冲层设...
2006年10月11日
49
磁致电阻效应元件,磁头,磁记录/音响装置和磁存储器　[申请号/专利号：200710142716]
申请人/专利权人：株式会社东芝、TDK株式会社
一种磁致电阻效应元件包括：其磁化是基本上固定在一个方向上的第一磁化层；其磁化是依外部磁场旋转的第二磁化层；包含绝缘部分和磁性金属部分并被配置于所述第一磁化层和第二磁化层...
2008年4月2日
50
磁阻效应元件、薄膜磁头、磁头万向节组件和硬盘装置　[申请号/专利号：200710184983]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　　Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒｔｏ　　Ｐｌａｎｅ：...
2008年5月7日
 

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