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热处理;热分解;化学气相沉积
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磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置 [申请号/专利号:200810095658]
申请人/专利权人:
佳能安内华股份有限公司
本发明公开了一种磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置。所述磁阻元件包括:从包含锰的层形成的反铁磁性层;包含位于反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形...
2008年11月12日
日本
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2
一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途 [申请号/专利号:200810024894]
申请人/专利权人:
南京大学
...
2008年12月10日
南京
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3
一种制备Fe*O*-Au磁性沉积薄膜的新方法 [申请号/专利号:200710035493]
申请人/专利权人:
湖南工业大学、吴伟、陈洪、贺全国
本发明公开了一种合成Fe↓[3]O↓[4]-Au磁性沉积薄膜的新方法。其特征在于运用湿化学法将金离子持续不断还原到氨基或巯基功能化的磁性纳米粒子上,实现样品的制备。此方...
2008年3月19日
湖南
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4
非金属材料镀覆铁磁性、磁性金属镀层的方法及设备 [申请号/专利号:200610156072]
申请人/专利权人:
江苏天一超细金属粉末有限公司
本发明公开了一种非金属材料镀覆铁磁性、磁性金属镀层的方法及设备,该方法包括以下步骤:首先将非金属材料在加热室(6)预加热,加热温度下限应高于镀覆的羰基金属络合物沸点,加...
2007年8月15日
江苏
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5
具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法 [申请号/专利号:200610056824]
申请人/专利权人:
中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法,该材料采用真空沉积镀膜法和再退火的工艺,制备出包括在基片上依次设置缓冲层、铁磁层和一反铁磁层,或者在缓冲层设...
2006年10月11日
北京
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6
纳米磁性网络结构薄膜的制作方法 [申请号/专利号:200310122815]
申请人/专利权人:
浙江大学
本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。1)把99.99%的铝箔退火;2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化;3)清洗;4)二次氧化;5)除去未被氧化的铝;6)清洗;...
2004年12月15日
杭州
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7
钴铁镍铌硅硼非晶软磁薄膜的制造方法 [申请号/专利号:91106523]
申请人/专利权人:
山东大学
一种钴铁镍铌硅硼蜚晶薄膜的制备处理方法,属于高导磁蜚晶薄膜制备领域,该薄膜除材料成分有别于其他蜚晶薄膜外,其制备态蜚晶薄膜又经综合退火热处理工艺,故该薄膜具有很高的饱和...
1992年5月20日
山东
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8
一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法 [申请号/专利号:200610078661]
申请人/专利权人:
首都师范大学
本发明涉及一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法,属于材料制备技术领域。该方法包括:1)制备晶粒为面心立方结构的FePt(M)或CoPt(M)薄膜,...
2006年10月11日
北京
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9
热处理装置 [申请号/专利号:200480003856]
申请人/专利权人:
福泰克炉业株式会社
本发明的热处理装置,在处理对象被热处理的区域中的由磁场产生装置(20)产生的磁场的方向和向热处理容器(2)中输送处理对象的输送装置(10)的输送方向相互平行,而且,相对...
2006年3月15日
日本
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10
一种氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法 [申请号/专利号:200310112720]
申请人/专利权人:
南京大学
改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法,在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中,包括N↓[2]管道和NH↓[3]管道、设有金属...
2004年12月15日
南京
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11
利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法 [申请号/专利号:200310106426]
申请人/专利权人:
南京大学
利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法,氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料,在电炉中,包括N↓[2]管道和NH↓[3]管道、设有金属镓源-...
2004年11月10日
南京
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