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电子管阴极 [申请号/专利号:96102216]
申请人/专利权人:
三星电管株式会社
一种电子管阴极,其金属底座以镍为主要成分,金属底座上形成有电子发射材料层,该电子发射材料层由以氧化钡为主要成分的碱土金属氧化物组成,其中所述电子发射材料层还含有镧镁锰氧...
1997年5月14日
韩国
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2
稀土氧化物次级发射材料及其制备方法 [申请号/专利号:200510002278]
申请人/专利权人:
北京工业大学
稀土氧化物次级发射材料及其制备方法属电子发射材料领域。磁控管是应用广泛的真空微波器件,目前材料为ThO#-[2],具有放射性。本发明以La#-[2]O#-[3]、Y#-...
2005年6月29日
北京
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3
电灯的复合电极材料和其加工方法 [申请号/专利号:200410046481]
申请人/专利权人:
通用电气公司
一种电子发射复合物,包括一个数量为约50到约95wt%的钽酸钡复合物,和一个占约5到约50wt%的铁电氧化物复合物,其中重量百分比是基于钽酸钡复合物和铁电氧化物复合物的...
2005年2月2日
美国
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4
二元稀土钼次级发射材料及其制备方法 [申请号/专利号:01139972]
申请人/专利权人:
北京工业大学
二元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的二元稀土钼次级发射材料,其特征在于:它含有La↓[2]O↓[3]和Y↓[2]O↓[3]两种稀...
2002年7月24日
北京
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