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钱眼专利首页 > 冷阴极，如场致发射阴极 的专利共 17 条
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1
粉末冶金法制备碳纳米管场发射冷阴极的方法　[申请号/专利号：200410014688]
申请人/专利权人：东南大学
利用粉末冶金工艺制备碳纳米管场发射冷阴极的方法。其方法为：ａ．将金属粉末与碳纳米管混合，然后进行研磨，研磨后的颗粒直径小于０．５微米；ｂ．用压机将研磨后的金属粉末与碳纳...
2005年1月12日
2
采用改进的碳纳米管的场发射器件　[申请号/专利号：02816059]
申请人/专利权人：海珀里昂催化国际有限公司
本发明涉及包括阳极与阴极的场发射器件，其中所述阴极包括经过了能量、等离子体、化学或机械处理的碳纳米管。本发明还涉及包括业已经过这种处理的碳纳米管的场发射阴极。还公开了用...
2005年7月20日
3
信息存储装置　[申请号/专利号：200480003374]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
为了迅速提高存储装置的存储密度，由冷阴极（１０１）发射出来的电子射线Ｅ，被加速电极（１０２）加速、被收敛电极（１０３）收敛、被偏转电极（１０４）偏转后，照射到存储膜（１...
2006年3月8日
4
无晶钻石材料　[申请号/专利号：03148262]
申请人/专利权人：宋健民
一种无晶钻石材料及其制造方法和应用，其是在提供足够的能量下，在真空中射出电子，适用于热发射或场发射方面，将电子射出的量予以最大化，同时将所需的能量予以降低。无晶钻石材料...
2005年1月19日
5
发光板　[申请号/专利号：01817974]
申请人/专利权人：科学应用国际公司
本发明公开了一种在两个基板（１０，２０）之间夹有许多微组件（４０）的发光板。每个微组件（４０）都包含一种气体或一种混合气体（４５），当通过至少两个电极（１０，２０）在该...
2004年1月28日
6
电子管　[申请号/专利号：03178790]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
本发明涉及电子管，其具有可长时间保持其工作稳定性的结构。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石...
2004年3月17日
7
带有电荷泄放阻挡层的改进型场发射器件　[申请号/专利号：97119351]
申请人/专利权人：摩托罗拉公司
一种改进型场发射器件，包括一个支承基底，一个形成在支承基底上的导电层，一个形成在导电层上且界定出一个发射阱的介电层，一个设置在发射阱横侧面上的电荷泄放阻挡层，一个位于发...
1998年4月15日
8
用于制造场致发射阴极的方法　[申请号/专利号：91104165]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种制造至少一个场致发射阴极结构的方法，其特征在于：ａ）在基片上提供至少一个孔，ｂ）淀积至少一种第一材料以及填充至少所说孔的一部分足以形成尖头，ｃ）淀积至少一层在电场作...
1992年1月29日
9
集成真空微电子器件及其制造方法　[申请号/专利号：91104164]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明一般涉及一新的集成真空微电子器件及其制造方法。真空微电子器件需要几个独特的三维结构：锐利的场发射尖端、该尖端在真空环境中在控制栅极结构内的精确对准，和收集由尖端发...
1992年1月29日
10
电子源　[申请号/专利号：94109158]
申请人/专利权人：佳能株式会社
在一种电子束装置中包括一个外壳，在该外壳中设置了一个具有在相反极性电极之间的电子发射区的电子发射器件，该电子发射器件呈现这样的特性，即发射电流是相对器件电压单值地被确定...
1996年5月8日
11
表面电子显示器件及制造工艺　[申请号/专利号：97180858]
申请人/专利权人：先进图像技术公司
用作显示元件的器件具有电子发射极和设置用于接收发射极发射的电子的阳极。阳极具有电阻率不同的表面部分，在最低电阻率部分提供电子汇集部分。优选实施例具有，横向场致发射电子发...
2000年1月12日
12
电子管　[申请号/专利号：97120094]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场...
1998年5月13日
13
场致发射真空高频发射管　[申请号/专利号：200420002653]
申请人/专利权人：北京普瑞广科科技有限公司
本实用新型涉及一种场致发射冷阴极阵列的真空高频发射管。包括安装在外壳中的阴极，栅极，帘栅极和阳极；其中阴极为场致发射阴极阵列，该场致发射阴极阵列包括电子源发射体、金属导...
14
级联冷阴极场发射器件　[申请号/专利号：91100962]
申请人/专利权人：莫托罗拉公司
将场发射器件级联成多级，以使某些结构（２０６，２０８，３０４和３０７）作为不同级场发射器件的电极。...
1991年11月20日
15
具有垂直汽相淀积工艺形成的发射极的非平面场发射器件　[申请号/专利号：91100957]
申请人/专利权人：莫托罗拉公司
具有锥形发射极１１２，２０８的冷阴极场发射器件，发射极用基本垂直（但不绝对垂直）的汽相淀积过程１０９形成，其中，衬底１０１，２０１无需相对汽相淀积靶旋转。汽相淀积过程形...
1991年12月18日
16
封装场发射器件　[申请号/专利号：91100971]
申请人/专利权人：莫托罗拉公司
一种固体场发射器件，其阴极１１１设置在阳极１０６的周围，并相对于其轴向位移。器件本身是密封好的，它可以容易地制造，并且在批量生产时工作性能互相之间相差不大。...
1991年11月20日
17
无晶钻石材料的应用装置　[申请号/专利号：200510109144]
申请人/专利权人：宋健民
一种无晶钻石材料的应用，其是在提供足够的能量下，在真空中射出电子，适用于热发射或场发射方面，将电子射出的量予以最大化，同时将所需的能量予以降低。无晶钻石材料包括至少９０...
2006年5月31日
 

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