带有一个或一个以上固定的内部控制极的，如三极管、五极管、八极管-钱眼专利分类

沿水平和垂直偏转器具有多种控制和聚焦用电极的场发射阴极射线管　[申请号/专利号：99802404]
申请人/专利权人：毫微-专卖股份有限公司
多个场发射阴极（６０１）产生电子发射，其中，随后使用多种电极（６０２、６０３、６０４）控制和聚焦电子的发射形成电子束。与阴极射线管中所使用的技术相似的水平和垂直偏转技术...

2001年5月16日

受限型电子场致发射器件及其制造工艺　[申请号/专利号：99801823]
申请人/专利权人：先进图像技术公司
横向发射体场致发射器件（１０）具有栅极（６０），该栅极通过绝缘层（８０）与包含器件（１０）的其它部件的真空或填充气体的微腔室环境（２０）隔开。例如在微腔室（２０）的外部...

2001年3月14日

信息存储装置　[申请号/专利号：200480003374]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
为了迅速提高存储装置的存储密度，由冷阴极（１０１）发射出来的电子射线Ｅ，被加速电极（１０２）加速、被收敛电极（１０３）收敛、被偏转电极（１０４）偏转后，照射到存储膜（１...

2006年3月8日

绝缘栅电子场致发射器件及其制造工艺　[申请号/专利号：00801523]
申请人/专利权人：先进图像技术公司
横向发射极场致发射器件具有栅极（３０），绝缘层（４０）将栅极与包含该器件其它元件的真空或充气环境隔离。例如，栅极可以被设置在微腔室（１１０）的外部。将绝缘层设置为，使得...

2001年10月24日

真空场效应器件及其制作工艺　[申请号/专利号：00801522]
申请人/专利权人：先进图像技术公司
一种超高频率真空场效应微电子器件（ＶＦＥＤ或ＩＧＶＦＥＤ），包括横向场发射源（６０），漏极（１５０），一个或多个绝缘栅（４０，１６０）。布置绝缘栅时，最好使其延伸端与横...

2001年12月19日

用于密封地封闭基片中腔体的方法　[申请号/专利号：96194389]
申请人/专利权人：先进图像技术公司
一种在平面基片中制备密封封闭腔体的方法，该腔体用于场发射单元或类似单元，允许以真空或低压惰性气体来运行该器件。该工艺包括覆盖一开口（１６０），包封该真空或气体的方法，及...

1998年7月1日

具有改善性能特性的栅极电子管　[申请号/专利号：95120498]
申请人/专利权人：汤姆森电子管公司
一种含有一些环绕一个共同轴线ＸＸ′共轴地安装的圆柱形电极的电子管，在这些电极中，一个阴极被一个栅极所包围，该阴极和该栅极构成了一个含有一个活性区的输入共振腔的边界。这个...

1996年8月28日

图像形成装置　[申请号/专利号：94119228]
申请人/专利权人：佳能株式会社
一种图像形成装置包括设在基片上的由多个电子发射器件构成的电子束源，以及按照电子发射器件发射的电子束的照射而形成图像的图像形成元件，该元件是条形元件，上述多个电子发射器件...

1996年1月31日

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