有圆柱形发射面的，如磁控管的阴极-钱眼专利分类

制作磁控管的方法和设备　[申请号/专利号：99106991]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明磁控管的制作方法包括：第一种混合气体生成过程，通过将含有氮气和氢气的第一种运载气体混入一种没有致癌作用的液态碳氢化合物中生成第一种混合气体；第二种混合气体生成过程...

1999年12月22日

磁控管的阴极组件　[申请号/专利号：96112422]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种磁控管的阴极组件，调节螺旋状阴极的灯丝之间的间隔，即便是在阳极电压低至２ＫＶ的情况下，也可获得７０％的高效率。它包括：放射热电子的阴极；产生磁通的永久磁铁；形成磁路...

1997年10月22日

磁控管阴极组件及制作工艺　[申请号/专利号：89104147]
申请人/专利权人：国营国光电子管总厂
一种浸渍式钡钨阴极组件及制作工艺，包括阴极发射体组件和灯丝组件。先制备符合设计要求的阴极发射体，它包括钨坯压制、高温烧结钨海绵体、渗铜、加工成型、去铜、涂复并高温浸渍铝...

1991年7月3日

四川

磁控管的端帽部件及其制造方法　[申请号/专利号：97118094]
申请人/专利权人：株式会社东芝
在预先把环形钎料固定于端帽内的端帽部件中，可求得其制造工时的减少，同时抑制因钎料处理性能差等引起的不良产生和因粘接材料引起的钎焊不良。作为端帽部件１１，具有由Ｍｏ组成的...

1998年3月18日

磁控管　[申请号/专利号：96114359]
申请人/专利权人：LG电子株式会社
一种改进的磁控管，它能延长其使用期限、降低造价、并提高系统的性能而无需使用现有技术中的灯丝，它包括一中心导管、一连接于该中心导管上部的顶端挡板，以防止热电子逃逸，一板型...

1997年8月20日

M型微波器件　[申请号/专利号：99803755]
申请人/专利权人：利通系统有限公司
本发明涉及一种Ｍ型微波器件，其目的在于提高场致电子发射体的使用工作表面的效率，在提高场致发射的稳定性的同时，提高其可靠性和器件的使用寿命。上述目的通过Ｍ型微波器件的设计...

2001年4月25日

美国

一种炭化气源的输入装置　[申请号/专利号：200420045711]
申请人/专利权人：广东美的集团股份有限公司
本实用新型是一种用于磁控管阴极组件炭化的炭化气源的输入装置，其主体为一端连接炭化气源的通气管，通气管的前端连通有大于通气管内径的通气头，通气头上开有若干小通气孔。本实用...

广东

磁控管　[申请号/专利号：02143726]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的磁控管具备：由阳极圆筒和叶片形成的阳极部，由线圈状灯丝构成的阴极部，上下配置的磁极，由含有Ｌａ－Ｃｏ的Ｓｒ铁氧体磁铁形成的环状永久磁铁，以及输入部和输出部，构成...

2003年3月19日

阴极结构体的熔接体、阴极结构体及它们的制造方法　[申请号/专利号：200810082220]
申请人/专利权人：安义铉
本发明涉及阴极结构体的熔接体、阴极结构体及它们的制造方法。本发明提供一种由含铁粉和钼粉的金属粉末烧结而制造的熔接体，该熔接体的制造方法包括：使铁∶钼的比例以重量比计为（...

2008年9月3日

三元稀土钼次级发射材料及其制备方法　[申请号/专利号：02125595]
申请人/专利权人：北京工业大学
一种三元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的三元稀土钼次级发射材料，其特征在于：它含有Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］、...

2003年1月8日

北京

磁控管　[申请号/专利号：200710180268]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
在本发明的磁控管中，上端盖（１２２Ａ）用作阴极构件（１２Ａ）的组成元件，包括与丝极线圈（１２１）的一个端部（１２１ａ）接触的部分（１２２Ａａ）。部分（１２２Ａａ）的厚度...

2008年4月30日

包层的中空阴极磁控管溅射靶的制造方法　[申请号/专利号：00109853]
申请人/专利权人：普拉克斯埃阿ST技术公司
本发明提供了一种比单片靶更轻和／或更廉价的中空阴极磁控管溅射靶的制造方法。先将溅射靶材料板连接在比溅射靶材料更轻和／或更廉价的包层材料片上。然后将这种包层靶组件成型为中...

2001年8月15日

美国

带有可转动的磁控管的大面积组件的镀膜机　[申请号/专利号：200510069952]
申请人/专利权人：应用薄膜有限责任与两合公司
本发明涉及一用于镀膜的镀膜机，特别是通过阴极溅射方法对大面积基片镀膜的镀膜机，该镀膜机带有一镀膜室，且其中设置一阴极组件（２），在该阴极组件（２）中，用于溅射的材料被设...

2005年11月9日

联邦

稀土氧化物次级发射材料及其制备方法　[申请号/专利号：200510002278]
申请人/专利权人：北京工业大学
稀土氧化物次级发射材料及其制备方法属电子发射材料领域。磁控管是应用广泛的真空微波器件，目前材料为ＴｈＯ＃－［２］，具有放射性。本发明以Ｌａ＃－［２］Ｏ＃－［３］、Ｙ＃－...

2005年6月29日

北京

磁控管螺旋状灯丝处于电子作用空间中心的固定结构　[申请号/专利号：200510013949]
申请人/专利权人：乐金电子(天津)电器有限公司
本发明属磁控管技术领域，涉及磁控管螺旋状灯丝处于电子作用空间中心的固定结构。它由：设置在磁控管的中央由钍、钨丝绕成的螺旋状灯丝；嵌装于螺旋状灯丝上端的Ｔ形上端罩；嵌装于...

2007年1月3日

天津

磁控管　[申请号/专利号：200510005599]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种磁控管，其减少灯丝的电气特性和机械强度的偏差，且在作为磁控管的使用寿命中也减少了偏差，而使质量稳定。其在把作为阴极构架的结构要素的螺旋状的灯丝（３９）装在阳极筒体（...

2005年7月27日

磁控管阴极组件　[申请号/专利号：200310124045]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开一种磁控管阴极组件，其可以防止插入到杆绝缘体内的外端子旋转，同时不增加制造成本。外端子的轴向部分基端的引导端通过在其外表面的至少一个位置设置平坦表面而具有非圆...

2005年3月23日