应用反射放电的，如彭宁离子源-钱眼专利分类

发明名称全文

专利

热点信息推荐

热点企业推荐

排序

专利信息

公开日

地区

我要留言

一种离子源悬浮反射电极　[申请号/专利号：200420120112]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本实用新型公开了一种离子源悬浮反射电极，该反射电极包括一反射极与阴极连接杆、一绝缘套、一支撑板、一内屏蔽筒、一绝缘柱、一反射极和一连接杆。所述的绝缘套为陶瓷材料。所述的...

高产额中子管　[申请号/专利号：200420012954]
申请人/专利权人：吉林省科仑辐射技术开发有限公司
本实用新型属于一种中子源采用七阳极离子源，加速电极多路同时引出，共用一块自成靶结构。和离子源引出孔对应为七孔结构。离子引出加速后打在一块共用的自成靶上，由离子源放电产生...

能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源　[申请号/专利号：200410009989]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明涉及一种用在离子注入机设备中的离子源装置，特别是一种能引出低熔点金属离子的离子源，该方法针对潘宁离子源的对阴极做了改进，改进的办法是使对阴极内部挖空，在对阴极面打...

2006年6月14日

包含阻塞寄生路径电流的共享设备的交叉点存储器阵列　[申请号/专利号：01141060]
申请人/专利权人：惠普公司
一种信息存储设备（８），包括一个存储器元件（１２）的电阻交叉点阵列（１０）和很多用于在读操作期间阻塞阵列（１０）中的寄生路径电流的设备（２２，２２２）。每个阻塞设备（２...

2002年9月11日

宽束冷阴极离子源　[申请号/专利号：89217519]
申请人/专利权人：西安工业学院
本实用新型是宽束冷阴极离子源，用于薄膜离子束辅助淀积的装置，其主要部件是冷阴极、阳极和一个以上多孔引出栅组成的放电室，放电室处于永磁体形成的磁场中，该离子源可安装于各类...

多阳极密封中子管　[申请号/专利号：88215084]
申请人/专利权人：西安石油勘探仪器总厂
本实用新型提供一种多阳极密封中子管。它由外壳，多阳极离子源，加速电极，氘、氚贮存器，氚靶等组成。用于人工产生中子辐射。该中子管的潘宁离子源采用了多阳极结构，使离子源输出...

...

　　共6 条信息，当前显示第 1 - 6 条，共1 页

钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明