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用外加磁场的其他电弧放电离子源
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离子源 [申请号/专利号:200410077416]
申请人/专利权人:
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种离子源,其包括:一放电室;一磁路,该磁路环绕该放电室;一供气系统,用于向该放电室提供工作气体和反应气体;一阳极,设置在该放电室的下方;一阴极,设置在该放电...
2006年6月14日
深圳
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2
改良型离子枪 [申请号/专利号:200410069596]
申请人/专利权人:
亚洲光学股份有限公司
本发明公开一种改良型离子枪,其应用于制造光学薄膜的离子辅助沉积制程中,包括有放电室、气源、激励器、栅极组件及屏蔽件,其中栅极组件包括有屏栅极、加速极及抑止极,屏栅极是属...
2006年1月25日
台湾
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3
电子束加工装置 [申请号/专利号:200410045865]
申请人/专利权人:
株式会社村田制作所
本发明提供既能防止离子束向中央偏移又能维持加速栅极的冷却效果的电子束加工装置。该装置包括:等离子生成室(1)、安装在等离子生成室的开口部前面的屏栅极(2)、在屏栅极的前...
2005年2月9日
日本
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4
无栅极离子助镀器 [申请号/专利号:200410026512]
申请人/专利权人:
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种用于真空镀膜设备的无栅极离子助镀器,其包括一离子源,该离子源包括:一放电区;一磁路,该磁路环绕该放电区;一供气系统;一阳极,设置在该放电区的下方;一阴极,...
2005年9月14日
深圳
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5
含电路的光检测器及其制造方法和使用其的光装置 [申请号/专利号:200510065213]
申请人/专利权人:
夏普公司
一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器,包括:半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半...
2005年9月14日
日本
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6
用于非直接加热阴极式离子源的控制系统 [申请号/专利号:01808943]
申请人/专利权人:
瓦里安半导体设备联合公司
一非直接加热阴极式离子源,包括一个用于感测从弧光腔室抽出离子电流的抽出电流传感器和一个用于控制丝极电源、偏置电源和/或弧光电源的离子源控制器。离子源控制器可以比较感应抽...
2003年7月2日
美国
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7
离子源及其操作方法 [申请号/专利号:01104953]
申请人/专利权人:
日新电机株式会社
本发明涉及一种离子源,满足关系:L<(3.37B↑[-1]***这里,施加在所述等离子体产生容器与所述灯丝之间的电弧电压为V↓[A][V],所述等离子体产生容器内的磁场...
2001年9月12日
日本
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8
阴极电弧源和石墨靶 [申请号/专利号:97198178]
申请人/专利权人:
菲尔帕斯真空技术私人有限公司
阴极电弧源具有用于产生彼此相反或反向的第一和第二磁场的装置。所得到的磁场包括靶和衬底之间但接近于靶的零点。在零点垂直于靶的场强为零,而在零点平行于靶的场强很强。靶是通过...
1999年11月17日
新加
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