由来自物体的信息控制电子管的，如校正信号-钱眼专利分类

法拉第系统和包括该法拉第系统的离子注入设备　[申请号/专利号：200610084625]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
公开了一种法拉第系统，其中该法拉第系统包括用于聚集离子束以产生电流的法拉第筒，用于邻近于法拉第筒的入口形成电场，以防止响应于离子束从法拉第筒释放二次电子的抑制电极，以及...

2007年3月28日

韩国

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在扫描离子植入期间改进的剂量均匀度　[申请号/专利号：200580043499]
申请人/专利权人：艾克塞利斯技术公司
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2008年2月13日

美国

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受控剂量离子注入　[申请号/专利号：200580038756]
申请人/专利权人：艾克塞利斯技术公司
一种离子注入机，用于产生扁带或带状束，其具有一种扫描装置，该扫描装置对由一源所发射的离子进行横向扫描，以提供移动至一注入室内的薄离子束。一工件支撑件将工件定位于注入室之...

2007年10月31日

美国

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电子束曝光系统　[申请号/专利号：200380102559]
申请人/专利权人：迈普尔平版印刷IP有限公司
本发明涉及一种用于将图案转移到目标的表面上的电子束曝光设备，包括：用于产生多个电子小射束（５ａ、５ｂ）的小射束发生器；用于接收所述多个电子小射束的调制阵列，包括用于调制...

2005年12月14日

荷兰

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聚焦离子束微研磨工艺及其制品　[申请号/专利号：96190157]
申请人/专利权人：加里福尼亚大学董事会
本发明公开了一种可以在没有化学辅助的环境下取得高值高宽比的超高真空聚焦离子束微研磨设备及其工艺。一个超高真空腔（１０）包括多个通口，用于观察目标衬底，对目标衬底进行镀膜...

1997年4月23日

美国

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使用电子束的面下成像　[申请号/专利号：200610079373]
申请人/专利权人：FEI公司
一种通过面下成像来定位或末端指示微观结构的方法，该面下成像使用具有足够能量的电子束以穿透表面并产生面下图像。对于末端指示来说，当该面下图像在已知的电子能量变得相对清楚时...

2006年11月1日

美国

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用于测量垂直于扫描束或带状束平面的束角度和散度的装置和方法　[申请号/专利号：200580030043]
申请人/专利权人：艾克塞利斯技术公司
本发明通过得到入射角值和垂直于扫描束平面的离子束的散度而方便于半导体器件的制造。采用包括掩模（３１０）和剖面仪／传感器（３１４）的散度探测器以便从入射的离子束（３０８）...

2007年8月8日

美国

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射束均匀度及角度分布测量系统　[申请号/专利号：200480018569]
申请人/专利权人：艾克塞利斯技术公司
本发明可通过在整个离子射束（例如一条带射束的较宽部分）的各种位置处监视射束电流均匀度及入射角，以简化半导体装置制造。在一离子注入系统（例如单晶片式系统及／或多晶片式系统...

2006年8月9日

美国

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带电粒子束曝光装置和方法以及使用该装置的器件制造方法　[申请号/专利号：200410056333]
申请人/专利权人：佳能株式会社、株式会社日立高新技术
提供一种带电粒子束曝光装置和方法以及使用该装置的器件制造方法。该带电粒子束曝光装置包括：使多条带电粒子束直接入射，计测其总电流的法拉第杯；以及具有使各带电粒子束直接入射...

2005年2月16日

日本

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聚焦离子束装置、样品断面形成及薄片样品制备方法　[申请号/专利号：200710141723]
申请人/专利权人：精工电子纳米科技有限公司
本发明提供了聚焦离子束装置、样品断面形成及薄片样品制备方法。在通过扫描照射聚焦离子束刻蚀样品断面及其周边的同时，检测由照射聚焦离子束产生的二次电子。根据检测到的二次电子...

2008年2月27日

日本

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用电子束监测工艺条件变化的监测系统和监测方法　[申请号/专利号：02127546]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
光刻过程中为精确监测产品晶片的曝光条件，即曝光能量和聚焦的变化，针对曝光条件变化，通过获取尺寸特征量变化倾向相互不同的第１和第２图形部分的电子束图像，能算出曝光条件变化...

2003年3月12日

日本

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用于离子注入的混合扫描系统及方法　[申请号/专利号：01822153]
申请人/专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
离子注入系统在离子注入室中包含边垂直扫描边使晶片在离子束中以某个相对于投射轴线偏离垂直取向旋转的旋转角倾斜的工件夹具。在用工件夹具夹持的晶片上进入注入表面的注入角是通过...

2004年5月26日

美国

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用于离子注入器的在线晶片电荷检测器和控制系统　[申请号/专利号：01821192]
申请人/专利权人：艾克塞利斯技术公司
提供一种在线电荷检测器和控制系统（３２），其包括：（ｉ）晶片支承件（２２），多个晶片（Ｗ）可以定位在该支承件上以便通过离子束（１８）注入，所述支承件具有布置有直接邻接的...

2004年3月24日

美国

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用来统调离子注入机的方法和装置　[申请号/专利号：02818571]
申请人/专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
这些方法和装置是为自动统调诸如离子注入机之类带电粒子束系统准备的。在一个实施方案中，调整位于目标部件上游的控制部件的控制参数，并且测量目标部件下游的射束电流。射束电流的...

2004年12月22日

美国

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对准带电颗粒束列的方法与装置　[申请号/专利号：02822953]
申请人/专利权人：应用材料以色列有限公司
本发明提供了用于自动对准带电颗粒束与孔的方法。从而，束被偏转向孔的两个边缘。从获得消光所需的信号计算一校正偏转场。进而，提供了用于自动对准带电颗粒束与光轴的方法。从而引...

2005年7月13日

以色

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用于离子注入过程的错误检测及控制方法以及执行该方法的系统　[申请号/专利号：200480037144]
申请人/专利权人：先进微装置公司
本发明系大致有关用于离子注入程序的错误检测及控制方法，以及执行该方法之一种系统。在一实施例中，该方法包含：执行离子注入工具（１０）的调整程序，该调整程序产生该离子注入工...

2007年1月10日

美国

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