用于浇铸、熔化、蒸发或浸蚀的-钱眼专利分类

工件的离子束铣削及其程度的确定和控制　[申请号/专利号：200580036411]
申请人/专利权人：西拉半导体工程实验室有限公司
用于对工件进行受到引导的经过多次偏转的离子束铣削并确定和控制其程度的方法、装置和系统。提供离子束；并且引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受...

2007年11月7日

以色

电子束绘制装置　[申请号/专利号：200580020456]
申请人/专利权人：日本先锋公司
一种可容易地调节光束和旋转中心而不会使装置尺寸增加的电子束绘制装置，该装置包括：电子束发射单元，可旋转地支撑保持绘制对象的转盘的旋转平台，以及被转盘支撑在包括转盘的旋转...

2007年6月13日

等离子处理机及其处理方法　[申请号/专利号：97103106]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
在大直径试样进行微细图形精密加工，提高微细加工时选择比的等离子处理装置及等离子处理方法。在具有真空处理室，试样台，以及等离子生成装置的等离子处理装置中，还有在一对电极之...

1997年11月5日

表面处理的方法和系统　[申请号/专利号：95118750]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形，提供一种占空比等于或低于５％和重复频率等于或高于４００ＫＨ↓［ｚ］脉冲电压。因此，在衬底偏置中出现一个...

1996年10月1日

用于可转动磁控管的密封套　[申请号/专利号：95109395]
申请人/专利权人：美国BOC氧气集团有限公司
在一可转动磁控管中，一个具有整体结合在其内的真空密封装置的密封套在磁控管支承组件的密封外壳和一个装在其内的芯管之间提供一密封装置。该密封套可相对于该磁控管支承组件轴向移...

1996年7月17日

美国

金刚石标记　[申请号/专利号：98807468]
申请人/专利权人：杰桑企业
肉眼看不见的信息标记施加到金刚石宝石抛光的刻面上，是通过使金刚石宝石表面涂上导电层以便阻止金刚石带电，并用聚焦离子束制成标记，再用有效的氧化剂清洗金刚石表面以显示具有适...

2000年8月30日

列支

电子回旋共振等离子体刻蚀机　[申请号/专利号：94242373]
申请人/专利权人：南京双兴高技术应用开发公司
本实用新型电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体刻蚀机涉及的是一种集成电路制作工艺中的微电子芯片加工设备。结构具有真空室、微波系统、磁场、真空抽放气系统、配气系统、监控系统，真...

江苏

大功率电子束的驱动方法　[申请号/专利号：98126993]
申请人/专利权人：鲍尔泽斯和利博尔德德国控股公司
本发明涉及一种大功率电子束的驱动方法，所述电子束用于使处在坩埚等装置内的材料气化。用该方法可自动对偏转误差进行静态或动态修正。首先，用教入方法检测各个空间坐标和各个偏转...

2000年1月19日

电子束施加装置和描画装置　[申请号/专利号：200580000963]
申请人/专利权人：株式会社理光、株式会社克莱斯泰克
本发明公开一种电子束施加装置，其包括：发射电子束的热场发射类型的电子源（１２）；正好设置在电子源（１２）下面并且作为将由电子源在第一孔径张角中发射的电子束集聚在小于第一...

2006年10月4日

使用电子束的面下成像　[申请号/专利号：200610079373]
申请人/专利权人：FEI公司
一种通过面下成像来定位或末端指示微观结构的方法，该面下成像使用具有足够能量的电子束以穿透表面并产生面下图像。对于末端指示来说，当该面下图像在已知的电子能量变得相对清楚时...

2006年11月1日

美国

调节在纵向移动的带材上的涂层材料层厚的方法和装置　[申请号/专利号：200410059206]
申请人/专利权人：应用薄膜有限公司
本发明涉及一种用来调节沿纵向移动的带材上的涂层材料层厚的方法和装置。在带材的宽度方向的几个位置测量涂层的厚度，调节涂层装置，以使带材宽度方向的涂层厚度一致。厚度调节可以...

2005年11月2日

用气体辅助聚焦粒子束系统修补图形薄膜　[申请号/专利号：98806122]
申请人/专利权人：FEI公司
本发明提供一种使用聚焦粒子束系统从其衬底上有不透明薄膜图形的工件中去除多余部分的方法，更具体地提供了使用含溴的刻蚀气体的气体辅助刻蚀方法。本发明一方面提供了一种方法，包...

2000年7月26日

美国

电子束描绘装置　[申请号/专利号：200580009184]
申请人/专利权人：先锋株式会社
本发明提供了一种电子束描绘装置，该装置具有：射束偏转部，其使电子束偏转来使电子束的照射位置变化；同步信号生成部，其生成与基板旋转同步的同步信号；控制器，其在从一个圆的描...

2007年3月21日

在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置　[申请号/专利号：01145141]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置，其应用读取溅镀蚀刻工艺中预先清除工艺的直流偏压，并参考此直流偏压监测值，调整溅镀蚀刻工艺中预先清除工艺的参数，使...

2003年7月16日

台湾

用于对表面进行离子束加工的方法和装置　[申请号/专利号：200480035595]
申请人/专利权人：德国罗特·劳股份有限公司
本发明涉及用于表面离子束加工的方法和装置，其中该基片被定位在离子束对面，并且形成新的工艺上定义的性质图案。按照本发明，该离子束在该基片（８）表面（１５）上的、当前的几何...

2006年12月27日

利用电子束的薄层高分辨率加工方法　[申请号/专利号：200480023882]
申请人/专利权人：纳沃技术有限公司
本发明涉及在真空室中蚀刻铬层的方法，该方法包括下列步骤：将卤素化合物引入真空室中，将电子束引导至待蚀刻的铬层区域上以及将含氧化合物引入到真空室中。在另一方面，本发明涉及...

2006年9月27日

用于传导性纳米结构的缺陷和传导性处理的方法　[申请号/专利号：02156316]
申请人/专利权人：索尼国际（欧洲）股份有限公司
本发明涉及一种用于传导性纳米结构中一个单独部分的缺陷和传导性处理的方法，该方法通过将聚焦的电子束引导到待处理的纳米结构的所述单独部分上而产生热感应的所述纳米结构的传导性...

2003年7月2日

改善金刚石表面光洁度的反应轰击方法　[申请号/专利号：03105134]
申请人/专利权人：中国地质大学(北京)
本发明属于离子束加工的领域，特别涉及改善金刚石表面光洁度的反应轰击方法。采用高能离子束轰击金刚石表面，气体为氧气或氩气和氧气。高能离子与金刚石表面原子发生碰撞与反应、金...

2004年9月8日

北京

大容量圆筒形平板型干法刻蚀机　[申请号/专利号：90215562]
申请人/专利权人：张崇玖、何圣梅
大容量圆筒形平板型干法刻蚀机是一种等离子体微细加工专用设备。该机容量大，刻蚀精度较高且均匀，能连续完成打底膜、刻蚀、去胶，生产效率高，结构简单，成本低，其特征是：反应室...

江苏

快速减薄透射电镜样品的轰击反应方法　[申请号/专利号：200510011289]
申请人/专利权人：中国地质大学(北京)
本发明属于高能离子束加工领域，特别涉及采用轰击反应法快速减薄透射电镜样品技术。本发明的方法采用高能离子束喷溅减薄样品表面，高能离子与样品表面原子发生碰撞与反应，使样品减...

2006年8月9日

北京

电子束曝光装置　[申请号/专利号：200510080007]
申请人/专利权人：日立麦克赛尔株式会社
提供抑制了电子束的变动的电子束曝光装置以及电子束曝光方法。本发明的电子束曝光装置（１００），通过在旋转形成保护层（ｒｅｓｉｓｔ）的圆形衬底（１６）的状态下照射电子束（３...

2006年3月15日