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钱眼专利首页 > 用于改善半导体材料性能的热处理,例如退火、烧结 的专利共 594
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1
照射设备、半导体制造设备与方法和显示装置制造方法 [申请号/专利号:200810097038]
申请人/专利权人:索尼株式会社
本发明涉及一种照射设备,半导体装置制造设备与方法以及显示装置制造方法。该照射设备用于使用从半导体激光器发射的光束照射照射目标,其中令w为用于照射照射目标的光束半径,Δ为...
2008年11月12日
2
立式热处理装置和使用该立式热处理装置的热处理方法 [申请号/专利号:200810009041]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种立式热处理装置,其特征在于,具备:具有炉口的热处理炉;封闭上述热处理炉的炉口的盖体;通过保温筒载置在上述盖体上的,用于多层保持多个基板的第一和第二基板保持...
2008年8月27日
3
2008年1月16日
4
半导体衬底的制造方法 [申请号/专利号:200710186310]
申请人/专利权人:信越化学工业株式会社
本发明提供一种将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为:以1.5×10↑[17]atoms/cm↑[2]以上的掺杂量,将氢离子注入单结晶...
2008年5月14日
5
半导体装置及其制造方法 [申请号/专利号:200710110267]
申请人/专利权人:三菱电机株式会社
本发明提供一种可将二极管的pn结的耐压特性的变化抑制得较小并能够进行最佳的载流子寿命的控制的半导体装置。在半导体装置(1)的n型半导体衬底(2)的上主面附近,在低浓度n...
2008年4月9日
6
热处理装置 [申请号/专利号:200710152463]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种热处理装置,其特征在于,包括:处理容器,其下部具有炉口,并且具有用于收容被处理体且能够在减压状态下对该被处理体进行规定热处理的石英制容器主体;金属制盖体,...
2008年4月16日
7
2008年6月4日
8
热处理装置 [申请号/专利号:200710001942]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种在处理室内对基板进行热处理的热处理装置,包括载置基板并对其进行热处理的加热板,以及从上方覆盖该加热板、构成处理室的一部分的盖体。盖体包括顶板、以及垂直设置...
2007年7月25日
9
真空装置的密封结构 [申请号/专利号:200680001442]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种使真空容器(2)和与真空容器(2)的开口部连接并封闭该开口部的部件的盖体(3)之间密封的密封结构。在存在于真空容器(2)与盖体(3)之间的弹性体制的O形环...
2007年12月19日
10
半导体基板的制造方法 [申请号/专利号:200810005732]
申请人/专利权人:信越化学工业株式会社
本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge磊晶膜生长。在Ge磊晶膜11中,虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入,但是施加700~900℃的热处理,来...
2008年9月3日
11
隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置 [申请号/专利号:200620006680]
申请人/专利权人:株式会社日立国际电气
一种隔热壁体,防止发热体的卡挂,将发热体的变形防止于未然。在设有发热体(42)的安装槽(40)的侧壁上设有倾斜的锥面(40b、40c),该锥面(40b、40c)是朝着隔...
12
被处理体的热处理装置、被处理体的热处理方法和存储计算机可读取程序的存储介质 [申请号/专利号:200810082612]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种被处理体的热处理装置、被处理体的热处理方法和存储计算机可读取程序的存储介质,该被处理体的热处理装置能够精度良好且准确地检测被处理体的温度,并能够进行精度高...
2008年9月3日
13
基板处理装置 [申请号/专利号:200810003563]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种能够减少部件的个数的基板处理装置。基板处理系统(10),具有对晶片(W)实施化学反应处理的第二处理模块(28),第二处理模块(28)具有收容晶片(W)的处...
2008年8月27日
14
包含多晶硅的半导体器件及其制造方法 [申请号/专利号:200810001510]
申请人/专利权人:三星电子株式会社
本发明提供了一种包含多晶硅(poly-Si)的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括TaN↓[x]材料层以及形成在TaN↓[x]材料层上的poly-Si层...
2008年7月9日
15
半导体装置的制造方法及电子设备的制造方法 [申请号/专利号:200610146405]
申请人/专利权人:精工爱普生株式会社
本发明提供一种能够降低对基板的热负荷的半导体装置的制造方法。此外,还提供一种能够提高半导体元件的特性的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具有:将以氢及氧...
2007年6月6日
16
半导体元件的制造方法 [申请号/专利号:200810009619]
申请人/专利权人:富士电机电子技术株式会社
本发明涉及一种半导体元件的制造方法。在离子注入步骤中,锂(Li)、硫(S)或硒(Se)被用作掺杂剂,它们具有比硅半导体制造工艺中常用作掺杂剂的磷(P)或砷(As)高的对...
2008年9月3日
17
制造半导体器件的方法、工具和装置 [申请号/专利号:200710147771]
申请人/专利权人:新电元工业株式会社、本田技研工业株式会社
本发明提供了制造半导体器件的方法、工具和装置。这种制造半导体器件的方法包括:通过使用接合度增加机构,增加作为加热件的基座和放置在该基座上的半导体基板之间的接合度,或通过...
2008年3月5日
18
双光源的激光退火装置和方法 [申请号/专利号:200810055852]
申请人/专利权人:清华大学
本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种双光源的激光退火装置和方法。该双光源激光退火装置包含用于退火的激光光源和波长在亚微米至微米量级,用于辅助性加热的光源,光学...
2008年7月9日
19
硅晶片制造方法 [申请号/专利号:200610121923]
申请人/专利权人:株式会社上睦可
一种制造硅晶片的方法,它利用具有只能安装晶片规定区域-包括其后面的中心位置-的安装面的传送片,将(100)面硅晶片传送到单晶片热处理装置或气相生长装置的处理炉中或从炉中...
2007年3月7日
20
多晶硅层及其制造方法 [申请号/专利号:200610095644]
申请人/专利权人:中华映管股份有限公司
一种多晶硅层的制造方法,其包括下列步骤:首先,提供一基板,并在基板上形成一非晶硅层。在非晶硅层上形成一图案化金属层。然后,进行一脉冲模式快速升温退火处理制程,以在图案化...
2007年12月26日
21
发光型热处理设备 [申请号/专利号:200610079970]
申请人/专利权人:大日本网目版制造株式会社
从闪光灯发出的闪光通过由设于夹紧环中的开口限定的光学窗口引导至半导体晶片上。由于夹紧环的开口为椭圆形结构,因此由夹紧环限定的光学窗口也为椭圆形平面结构。夹紧环安装至腔体...
2006年11月8日
22
半导体装置的制法、电子仪器的制法和半导体制造装置 [申请号/专利号:200710180102]
申请人/专利权人:精工爱普生株式会社
本发明提供一种能减轻对基板的热负荷,能进行大面积的基板的热处理的半导体装置的制造方法。此外,提高热处理温度的均一性,提高形成的半导体装置的特性。在基板上形成硅膜,在通过...
2008年4月16日
23
距离估计装置、异常检测装置、温度调节器及热处理装置 [申请号/专利号:200610073286]
申请人/专利权人:欧姆龙株式会社
一种距离估计装置、异常检测装置、温度调节器及热处理装置。在使被处理物接近热板而进行的热处理中,可以估计被处理物和热板的距离。基于载置并作为被处理物进行热处理的工件的热板...
2006年10月18日
24
发热体的保持构造体、绝缘构造体、加热装置 [申请号/专利号:200610071080]
申请人/专利权人:株式会社日立国际电气
一种发热体的保持构造体,防止发热体的一对供电部彼此的短路及熔接。在具备使用隔热材料形成为圆筒形状的隔热块(36)和一对供电部(45、46)的发热体(42)、将发热体(4...
2007年4月4日
25
隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置 [申请号/专利号:200610071079]
申请人/专利权人:株式会社日立国际电气
一种隔热壁体,防止发热体的卡挂,将发热体的变形防止于未然。在设有发热体(42)的安装槽(40)的侧壁上设有倾斜的锥面(40b、40c),该锥面(40b、40c)是朝着隔...
2007年4月4日
26
一种电力半导体器件管芯的烧结方法 [申请号/专利号:200610049648]
申请人/专利权人:田钰贞
本发明涉及一种电力半导体器件管芯的烧结方法,其包括按常规将硅片、焊接片和衬底片放在烧结舟上,推入烧结炉的石英管中进行烧结;特别是烧结时向烧结炉石英管内通一氧化碳气,以一...
2006年9月13日
27
立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法 [申请号/专利号:200710178682]
申请人/专利权人:北京工业大学
立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法属于宽带隙半导体薄膜掺杂领域。克服宽带隙超硬材料c-BN薄膜很难实现p型掺杂的困难,实现c-BN薄膜的有效p型掺杂。本发明步骤:(1)使用低...
2008年5月7日
28
半导体制造装置、半导体制造装置的流量修正方法和程序 [申请号/专利号:200680000931]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种半导体制造装置,能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正,包括:将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210),...
2007年9月5日
29
一种非晶碳膜半导体制备方法 [申请号/专利号:200610161307]
申请人/专利权人:南京大学
本发明涉及一种非晶碳膜半导体制备方法,属于非晶碳薄膜材料制备技术领域。该方法通过(1)在衬底上淀积氢化非晶碳(a-C:H)薄膜、(2)氢等离子体化学退火处理、(3)重复...
2007年7月18日
30
半导体处理室 [申请号/专利号:200610150712]
申请人/专利权人:应用材料公司
本发明提供一种用于半导体处理室的工艺配件。在一个实施例中,用于半导体处理室的工艺配件包括一个或者多个由不含金属的烧结碳化硅材料制成的部件。该工艺配件包括衬底支撑、预热环...
2007年5月2日
31
半导体器件的制造方法 [申请号/专利号:200610139687]
申请人/专利权人:富士通株式会社
本发明的目的是提供一种能形成高性能MOS晶体管的半导体器件的制造方法,该制造方法包括以下步骤:在半导体衬底上经栅极绝缘膜形成栅电极(S1);使用栅电极作为掩模,将杂质引...
2007年4月11日
32
半导体应变弛豫材料的制作方法 [申请号/专利号:200610089447]
申请人/专利权人:中国科学院半导体研究所
一种半导体应变弛豫材料的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在硅衬底上生长应变的锗硅薄膜;(2)在衬底上制作柔性键合介质;(3)将步骤(1)的锗硅薄膜/硅衬底与步...
2008年1月2日
33
半导体装置的制造方法、制造装置和电子设备 [申请号/专利号:200610084197]
申请人/专利权人:精工爱普生株式会社
提供在低温工艺中能够质量优良地进行大面积半导体基板热处理的半导体装置的制造方法等。在半导体装置的制造中包含使用将氢和氧的混合气体作为燃料的长的气体燃烧器的线状火焰作为热...
2006年12月20日
34
2008年1月9日
35
半导体发光器件以及半导体器件的制造方法 [申请号/专利号:200610077689]
申请人/专利权人:夏普株式会社
一种制造氮化物半导体器件的方法包括以下步骤:生长In↓[x]Ga↓[1-x]N(0≤x≤1)层;在至少500℃的生长温度时在所述In↓[x]Ga↓[1-x]N层上生长含...
2006年11月1日
36
2008年1月30日
37
半导体芯片退火炉 [申请号/专利号:200720038144]
申请人/专利权人:帅一辰
本实用新型提供一种有气体保护功能的,具有快速退火功能的半导体芯片管式退火炉。外壁缠绕电阻丝、两端开口的刚玉管穿过加热炉炉体;气源与刚玉管一端相通;宽度略小于刚玉管的内径...
38
硅晶片 [申请号/专利号:200710096111]
申请人/专利权人:东芝陶瓷株式会社
本发明提供一种适用于具有浅结的半导体装置之制造的硅晶片。其中硅晶片的特征在于:在距表面的深度低于50μm的区域,直径10nm以上的氧析出物密度在1×10↑[8]/cm↑...
2007年11月21日
39
用于非晶硅的结晶化的热处理系统 [申请号/专利号:200810009238]
申请人/专利权人:泰拉半导体株式会社
本发明提供在制造用于LCD等平板显示器中的TFT用的多晶硅薄膜时用于使非晶硅薄膜结晶化的热处理系统。本发明的热处理系统(10)的特征在于,其包括:对基板(37)实施热处...
2008年8月6日
40
半导体装置的制造方法 [申请号/专利号:200610067369]
申请人/专利权人:冲电气工业株式会社
本发明提供一种堆积于沟槽侧壁的等离子体聚合膜的剥离性优异的半导体装置的制造方法。本发明半导体装置的制造方法是制造对半导体衬底进行沟槽加工的半导体装置的方法,该方法包括:...
2006年11月1日
41
半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置 [申请号/专利号:200610156580]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
半导体处理用的立式晶舟,在对多个被处理基板实施热处理时搭载多个被处理基板。立式晶舟包括在圆周方向上留有间隔地被固定在固定部件上的多个支柱、及在高度方向留有间隔地被分别配...
2007年7月4日
42
半导体器件及其形成方法 [申请号/专利号:200610142730]
申请人/专利权人:国际商业机器公司、特许半导体制造有限公司
本发明的一些示范性实施例包括用于半导体结构的方法和半导体结构,该结构包括:包括源/漏区、栅介质、栅极、沟道区的MOS晶体管;碳掺杂SiGe区,其将应力施加在沟道区上,从...
2007年6月13日
43
热退火设备 [申请号/专利号:200720001406]
申请人/专利权人:中华映管股份有限公司
本实用新型公开一种热退火设备,包括一第一腔室、一加热器、一升降机构、一波浪状反射底板。其中,第一腔室具有一入口与一出口,而加热器配置于第一腔室内的顶部。此外,升降机构配...
44
半导体装置的制造方法 [申请号/专利号:200710090878]
申请人/专利权人:株式会社瑞萨科技
本发明通过减小硅化镍层的电气特性的不均,可以提高半导体元件的可靠性和制造良品率。将半导体晶圆SW放置在成膜装置的干洗处理用的腔室27所具备的晶圆载物台27a上后,供给还...
2007年10月17日
45
热处理炉和立式热处理装置 [申请号/专利号:200810088177]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种热处理炉,其包括用于收容被处理体并进行热处理的处理容器,和以覆盖该处理容器的周围的方式设置的对上述被处理体进行加热的圆筒状加热器,其特征在于,上述加热器包...
2008年9月3日
46
用于制作半导体结构的方法 [申请号/专利号:200710086141]
申请人/专利权人:国际商业机器公司
可以通过在约0.1到约10毫秒的时间段中在约1050℃到约1400℃的温度使对应的锑掺杂非晶化区域退火,在半导体衬底之内形成薄片电阻稳定的重新结晶的锑掺杂区域。优选地,...
2007年9月26日
47
加热处理装置和方法、控制程序和计算机可读存储介质 [申请号/专利号:200710008223]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种可兼顾高均匀性和高制品生产率的加热处理装置和加热处理方法,并提供可进行重视高均匀性处理和重视高制品生产率处理的加热处理装置,包括:加热基板W用的加热板(1...
2007年8月1日
48
半导体装置制造方法 [申请号/专利号:200710007250]
申请人/专利权人:海力士半导体有限公司
本发明揭示了一种半导体装置制造方法,包括步骤:在半导体衬底上形成用于高压晶体管的栅极;采用双掺杂漏极(DDD)掩模通过离子注入工艺在该半导体衬底内形成双掺杂漏极(DDD...
2008年1月2日
49
形成半导体薄膜的方法 [申请号/专利号:200710002314]
申请人/专利权人:三星电子株式会社
一种制造半导体薄膜的方法,包括:在半导体衬底上形成绝缘层;蚀刻绝缘层,以形成多个开口,该开口在开口的底部露出衬底;使用半导体籽晶层填充开口;在籽晶层和绝缘层上形成非晶层...
2007年7月25日
50
具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法 [申请号/专利号:200710129230]
申请人/专利权人:三星电子株式会社
本发明涉及具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法,包括通过RF溅射在柔性塑料基板上形成阻挡层,在塑料基板上形成非晶硅层,以及使非晶硅层经受快速热处理从而改善非...
2008年1月2日
 

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