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1
近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器　[申请号/专利号：200810025450]
申请人/专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
本发明提供一种近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器，在半导体激光器的出光端面镀金属薄膜层，金属薄膜层上制作有纳米孔阵列，纳米孔阵列的周围具有光栅结构，光栅周期为１０～２０...
2008年10月8日
2
半导体激光装置　[申请号/专利号：200810081373]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于３．５...
2008年9月3日
3
半导体激光装置　[申请号/专利号：200810085243]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种在谐振器的端面形成保护膜的长寿命的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：沿激光的行进方向（Ｘ方向）设置的谐振器；设于谐振器的一端且射出激光的前端面（８）；...
2008年9月10日
4
半导体激光装置　[申请号/专利号：200810083805]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种在涂敷膜和半导体之间具备容易形成的粘合层的半导体激光装置。半导体激光装置具备：沿激光的行进方向设置的谐振器、设于谐振器的一端且射出激光的前端面（８）、设于...
2008年9月10日
5
半导体激光器　[申请号/专利号：200810005122]
申请人/专利权人：夏普株式会社
一种半导体激光器（１０）包括在半导体发光部形成的用于调整反射率的涂布膜（３１），其中涂布膜（３１）具有设定为满足Ｒ（ｄ，ｎ）＞Ｒ（ｄ，ｎ＋０．０１）和ｄ＞λ／ｎ的厚度，...
2008年7月30日
6
刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器　[申请号/专利号：200720095047]
申请人/专利权人：河北工业大学
本实用新型涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜...
7
氮化物半导体器件及其制备方法　[申请号/专利号：200710085676]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅...
2007年9月26日
8
氮化物半导体发光器件　[申请号/专利号：200710085508]
申请人/专利权人：夏普株式会社
一种氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氮化铝或氧氮化铝的第一涂膜和形成在第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜。第二涂膜的厚度至少为８０ｎｍ并且至多为１０００ｎｍ。这里，第...
2007年9月12日
9
半导体激光二极管　[申请号/专利号：200710007716]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明提供了一种半导体激光二极管（１），半导体激光二极管（１）包括具有有源层（５）的半导体衬底（２），在有源层（５）的两端上具有一对彼此相对的腔面（６ａ、６ｂ）；以及顺...
2007年8月8日
10
氮化物半导体发光器件及其制备方法　[申请号/专利号：200610142001]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明提供了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件，包括：Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层；设置在Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂...
2007年4月11日
11
半导体激光单元及制造光反射膜的方法　[申请号/专利号：200610127408]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体激光单元，包括：激光发射部分，其包括具有不同激光束波长的多个半导体激光元件；镜面部分，其具有用于反射从该激光发射部分发射出来的激光束的光反射膜。该镜面部分被设...
2007年3月21日
12
氮化物半导体激光元件及其制造方法　[申请号/专利号：200610121688]
申请人/专利权人：夏普株式会社
对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，...
2007年2月28日
13
多波长激光二极管　[申请号/专利号：200610110185]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了一种多波长激光二极管，包括衬底、第一器件部分、第二器件部分、形成在第一器件部分的前端面和第二器件部分的前端面上的前端面膜和形成在第一器件部分的后端面和第二器...
2007年1月10日
14
半导体激光器　[申请号/专利号：200710002036]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司
本发明提供一种半导体激光器：具有：半导体基板；以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部；在所述半导体...
2007年7月4日
15
半导体激光装置　[申请号/专利号：200510138112]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体激光装置。目的在于：能够在将波长不同的多个半导体激光元件形成为单片（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）的半导体激光装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性...
2006年11月1日
16
半导体激光器　[申请号/专利号：200510118823]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供特性偏差小且高斜度效率的法布里－珀罗型激光二极管或可抑制回程光噪声的分布反馈型激光二极管等的半导体激光器。至少在一个激光出射面形成电介质膜的半导体激光器中，作...
2006年5月3日
17
氮化物半导体发光元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510136195]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上，并且端面涂膜设置在粘合层上。...
2006年7月19日
18
半导体激光器装置　[申请号/专利号：200610055079]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为ｎ１及膜厚为ｄ１的第１介质膜、折射率为ｎ２及膜厚为ｄ２的第２介质膜、折射率为ｎ３及膜厚为ｄ３的第３介质膜、折射率为ｎ４...
2006年8月16日
19
半导体激光器的制造方法　[申请号/专利号：200410087416]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期...
2005年4月6日
20
半导体激光器　[申请号/专利号：200410058890]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射...
2005年3月9日
21
多波长半导体激光器及其制造方法　[申请号/专利号：200410043091]
申请人/专利权人：索尼株式会社
公开一种多波长半导体激光器。多波长半导体激光器具有通过分离区域设置在公共衬底上的第一侧边发射型谐振器结构和第二侧边发射型谐振器结构。第一侧边发射型谐振器结构具有６５０ｎ...
2004年10月27日
22
半导体激光器装置　[申请号/专利号：200410031302]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为ｎ１及膜厚为ｄ１的第１介质膜、折射率为ｎ２及膜厚为ｄ２的第２介质膜、折射率为ｎ３及膜厚为ｄ３的第３介质膜、折射率为ｎ４...
2004年11月3日
23
半导体激光器装置　[申请号/专利号：200410034700]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于４０％的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］）构成的电介质薄膜、以及由...
2004年10月27日
24
光半导体器件　[申请号/专利号：03120129]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的课题是构成具有设计自由度高的低反射率的覆盖膜的光半导体器件。本发明的光半导体器件系在具有等效折射率ｎｃ的半导体激光器１２的一个端面上设置具有折射率为ｎ１、膜厚为...
2003年9月24日
25
半导体激光器及其制造方法　[申请号/专利号：03106059]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面１０２、１０４的至少一个面上有添加氢的第一介质膜１０９，在第一介质膜...
2003年9月3日
26
形成包括平台结构和多层钝化层的半导体器件和相关器件的方法　[申请号/专利号：200380106477]
申请人/专利权人：克里公司
一种形成半导体器件的方法，包括在衬底上形成半导体结构，其中，该半导体结构定义了具有与衬底相对的平台表面和在平台表面和衬底之间平台侧壁的平台。可以在平台侧壁的至少部分上和...
2006年1月25日
27
在光输出面上具有衍射膜的光发射器件及其制造方法　[申请号/专利号：200380100294]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明以高效率、低成本提供一种实用的微型光发射器件，其在光输出面上具有光衍射膜。该光发射器件（ＬＤ）包括形成在其光输出面上的衍射膜（ＤＦ）；该衍射膜包括一个透明ＤＬＣ（...
2005年11月2日
28
半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具　[申请号/专利号：200310123320]
申请人/专利权人：夏普株式会社
一种半导体激光器件包括其上层叠包括有源层的半导体薄膜的半导体衬底、分别设置在衬底的相对表面上的一对电极、在暴露有源层和至少一个电极的边缘的衬底侧面上限定的发光表面、和覆...
2004年7月14日
29
半导体光电器件　[申请号/专利号：03164912]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件，具备包括由有源层和夹着上述有源层的２张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层...
2004年5月19日
30
用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系的镀膜夹具　[申请号/专利号：03151154]
申请人/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜１、金属膜２和氧化物保护膜３组成。相位匹配氧化物介质膜...
2004年9月8日
31
无污染激光器反射镜的获得方法及其钝化　[申请号/专利号：02815613]
申请人/专利权人：科姆雷斯股份公司
本发明涉及一种在ＧａＡｓ基激光腔的晶体反射镜端面处获得包括ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ和ＩｎＧａＡｓ组成的组中选择出的一种材料的无污染表面的方法...
2004年10月27日
32
半导体激光装置的制造方法　[申请号/专利号：01803280]
申请人/专利权人：三井化学株式会社
在半导体衬底上层叠一包含一势阱层的半导体薄膜，半导体衬底及半导体薄膜被解理，在有加热的催化物质存在情况下，将通过解理获得的半导体衬底和半导体薄膜的解理面暴露在一种气氛中...
2003年1月29日
33
泵式激光器的选模刻面层　[申请号/专利号：00816128]
申请人/专利权人：科英镭射通公司
半导体泵式激光器包括将脊形注入电流（ｒｉｄｇｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔ）转换成光的脊形波导电光结构，和集成波长选择刻面反射器。该反射器控制泵式激光器的纵模操...
2003年2月26日
34
半导体激光器及其制造方法　[申请号/专利号：00126951]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种可发射振荡波长不同的多个激光的半导体激光器及其制造方法，该半导体激光器具有位于基板上的多个成分不同的活性层，其中：具有在激光出射侧的前端面上形成的前面涂敷膜、和在所...
2001年3月14日
35
半导体激光器列阵铜钨合金热沉及其制备方法　[申请号/专利号：00109160]
申请人/专利权人：深圳市众量激光器高技术有限公司
本发明公开了一种半导体激光器列阵铜钨合金热沉及其制备方法，将铜钨合金板材切割成所需的热沉结构及形状，通过机械和化学抛光将热沉抛平及光亮，用溶剂超声清洗热沉样品，用惰性气...
2001年12月26日
36
用于半导体激光装置的树脂涂覆方法　[申请号/专利号：99124886]
申请人/专利权人：夏普公司
本发明提供能够在半导体激光片和光电二极管片的表面上并在半导体激光装置内涂覆均匀薄层树脂的树脂涂覆方法。半导体激光装置固定在转台上并使罩的激光束发射窗开口向上。树脂通过激...
2000年7月19日
 

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