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钱眼专利首页 > 窗型激光器，即带有在激活区和反射面之间有不吸收材料区的 的专利共 35 条
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1
氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法　[申请号/专利号：200810101681]
申请人/专利权人：北京大学
本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型ｐ型接触层...
2008年9月3日
2
具有改进的窗口结构的半导体激光二极管　[申请号/专利号：200710151911]
申请人/专利权人：JDS尤尼弗思公司
本发明涉及一种具有增加的灾变性光学损伤（ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ　　ｏｐｔｉｃａｌ　　ｄａｍａｇｅ，ＣＯＤ）阈值限制的半导体激光二极管结构，特征在于二极管输出端面处的三...
2008年3月26日
3
半导体光元件的制造方法　[申请号/专利号：200810083071]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
利用简单的方法制造在ＧａＮ系材料的ＬＤ中具有高ＣＯＤ耐性的窗结构的ＬＤ。包括如下步骤：在ＧａＮ系衬底（１２）上依次层叠分别由ＧａＮ材料形成的缓冲层（１４）、第一ｎ－覆盖...
2008年9月24日
4
光学器件或与光学器件有关的改进　[申请号/专利号：02804023]
申请人/专利权人：格拉斯哥大学理事会
公开了一种安装在散热片（２８；２８ａ）上的改进光学器件（１０；１０ａ），如包括诸如激光器、调制器、放大器、开关结构等的半导体光学器件或光－电器件。本发明提供一种光学有源...
2004年4月7日
5
半导体激光器或其相关方面的改进　[申请号/专利号：02803965]
申请人/专利权人：格拉斯哥大学理事会
本发明公开一种改进的半导体激光器件（１０；１０ａ），例如单模折射率导引激光二极管。该器件（１０；１０ａ）包括：光波导（１５；１５ａ）；沿该波导（１５；１５ａ）的部分长度...
2004年4月7日
6
边沿发光半导体激光器及半导体激光器模件　[申请号/专利号：02142886]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
一种边沿发光半导体激光器，其以简单的结构抑制“波束控制”来提高它的最大输出。作为共振器的光波导管包括有源层和覆层。与波导管的一端相连的第一边沿作为发射边沿。与波导管的另...
2003年4月16日
7
半导体激光器及电子设备　[申请号/专利号：200710181143]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明涉及在半导体衬底上依次形成下侧包层、活性层、上侧包层的半导体激光器及应用这种半导体激光器的电子设备。本发明的一种实施方式的半导体激光器，在半导体衬底上依次形成有第...
2008年4月23日
8
半导体激光元件及其制造方法　[申请号/专利号：01803096]
申请人/专利权人：夏普公司
半导体激光元件及其制造方法。该元件至少在衬底上包括第一导电类型的第一包层、有源层、第二导电类型的第二包层、具有向谐振腔延伸的条形缺陷部分的电流阻挡层、掩埋在条形缺陷部分...
2003年1月22日
9
半导体发光器件的制造方法　[申请号/专利号：200710001309]
申请人/专利权人：优迪那半导体有限公司
本发明提供了一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有以下结构，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板...
2007年7月25日
10
半导体激光器及其制造方法　[申请号/专利号：200410085120]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述...
2005年3月30日
11
半导体激光元件　[申请号/专利号：200410061686]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明可提供“ｋｉｎｋ”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件，在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有...
2005年2月9日
12
半导体激光器件及其制作方法　[申请号/专利号：200410007604]
申请人/专利权人：夏普株式会社
一种由以ＡｌＧａＩｎＰ为基的材料制作的半导体激光器件，包括：形成在半导体衬底上面的一个第一导电类型的第一覆盖层，一个有源层和一个第二导电类型的第二覆盖层，其中在靠近激光...
2004年9月1日
13
氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法　[申请号/专利号：03815007]
申请人/专利权人：阿莫诺公司
本发明涉及一种氮化物半导体激光装置，其在ｎ型氮化物半导体层和ｐ型氮化物半导体层之间具备包含半导体活性层的共振器光放射端面上的窗口层，电共振器的放射发出端面至少具有比活性...
2005年8月31日
14
可连接外部激发光束光源的有机激光器　[申请号/专利号：200310101938]
申请人/专利权人：伊斯曼柯达公司
一种垂直腔有机激光器装置，装置包括：有机激光腔，其包括：底部电介质堆，用于接收和传输激发光束和在预定波长范围内折射；有机活性区，用于接收来自第一电解质层的传输的激发光束...
2004年5月19日
15
半导体激光器及其制造方法　[申请号/专利号：03158576]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明涉及一种半导体激光器及其制造方法，可以降低在高输出工作时的驱动电流，并且确保较高的长期可靠性。该半导体激光器包括一半导体基板，一第一导电型的第一覆盖层，一活性层，...
2004年5月19日
16
氮化物半导体激光元件及其制造方法　[申请号/专利号：02821231]
申请人/专利权人：波兰商艾蒙诺公司、日亚化学工业株式会社
一种氮化物半导体激光元件及其制造方法，该具有高输出型谐振器端面的氮化物半导体激光元件，在ｎ型氮化物半导体层和ｐ型氮化物半导体层之间具有包括由含Ｉｎ的氮化物半导体构成的活...
2005年2月2日
17
半导体激光二极管的制造方法　[申请号/专利号：95120331]
申请人/专利权人：LG电子株式会社
一种半导体激光二极管的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成ＤＨ结构的半导体层；在半导体层上形成介质层；选择地蚀刻介质层，暴露出半导体层的预定部位；通过液相蚀刻法以介质层...
1996年9月11日
18
复冷式激光镜座　[申请号/专利号：200620093618]
申请人/专利权人：沈阳大陆激光成套设备有限公司
复冷式激光镜座，包括空腔密封体、上冷却座、下冷却座、上压盖、下压盖及输出部反镜，其特点在于上冷却座和下冷却座分别设置于空腔密封体内的上部和下部，空腔密封体的上端和下端分...
19
半导体激光元件和其制造方法　[申请号/专利号：200610159972]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、鸟取三洋电机株式会社
本发明提供一种半导体激光元件，其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏，同时能够进一步提高温度特性，该半导体激光元件包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构...
2007年4月4日
20
半导体激光元件及其制造方法　[申请号/专利号：200610153128]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体激光元件，包括：第１导电型的半导体基板（１）；第１导电型的包覆层（３），设置在半导体基板上；活性层（４），设置在第１导电型的包覆层上；第２导电型的第１包覆层（...
2007年6月13日
21
半导体激光装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610106015]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据１次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其...
2007年1月24日
22
半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200610101777]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第１导电型覆层、设置于第１导电型覆层上的第１导电型导层、设置于第１导电型...
2007年1月17日
23
窗口结构半导体激光装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610091702]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明的ＡｌＧａＩｎＰ类窗口结构半导体激光装置，其包括依次层叠下覆层、具有量子阱层的有源层、以及上覆层的光波导路径，并从形成于所述光波导路经的端部的相对于所述叠层垂直的...
2006年11月1日
24
多波长半导体激光器器件　[申请号/专利号：200610100361]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳ＦＦＰ的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便...
2007年3月28日
25
半导体激光元件　[申请号/专利号：200710096051]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明可提供“ｋｉｎｋ”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件，在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有...
2007年9月26日
26
制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200480041586]
申请人/专利权人：古河电气工业株式会社、三井化学株式会社
提供一种制造半导体器件的方法，其通过防止在窗结构形成时产生热的负面影响，制造具有高输出功率和极好长期可靠性的半导体器件。该方法包括：第一步骤，在半导体衬底１上形成包含至...
2007年2月28日
27
窗口隔离型极小孔半导体激光器和制作方法　[申请号/专利号：03103008]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种窗口隔离型极小孔激光器，其中包括：一衬底；一Ｎ面电极，该Ｎ面电极制作在衬底的底面；一下限制层，该下限制层制作在衬底的上面；一有源区，该有源区制作在下限制层的上面；在...
2004年8月18日
28
半导体激光器件　[申请号/专利号：02119180]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构...
2003年1月22日
29
半导体发光元件的制造方法　[申请号/专利号：02821679]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的半导体发光元件的制造方法包括：在基板（２１）的主表面上生长第一氮化物系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层（２２）的工序；在第一氮化物系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层上以在宽度方向上...
2005年2月9日
30
半导体激光器装置　[申请号/专利号：01803534]
申请人/专利权人：三井化学株式会社
一种半导体激光器装置包括第一电流阻挡层及第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端小平面与对面的所述装置...
2003年1月29日
31
单片2波长半导体激光器及其制造方法　[申请号/专利号：200610099759]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明揭示一种单片２波长半导体激光器及其制造方法，在单一衬底上配置红光半导体激光器和红外半导体激光器，并同时形成端面窗结构，其特征为：红外半导体激光器的第４包层（１１０...
2007年3月21日
32
半导体激光元件　[申请号/专利号：200510062896]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的目的在于获得在进行端面涂敷时不使用虚设条即可防止激光条彼此发生热压接的半导体激光元件。包括具有通过镀金形成的表面电极，通过镀金形成的背面电极，仅在表面电极上形成...
2005年10月12日
33
半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200480006569]
申请人/专利权人：古河电气工业株式会社、三井化学株式会社
一种半导体元件的制造方法，其制造含有混晶化的区域的半导体元件，其包括：在与窗结构（１４）对应的部分形成混晶化促进膜（８）的工序；利用催化剂ＣＶＤ法在窗结构（１４）以外的...
2006年4月12日
34
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：00106200]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体激光装置包括：第一导电型的半导体基片；基片上的第一导电型涂层；第一导电型涂层上的有源层，有源层具有超点阵结构，在激光腔端面附近有一无序化区；有源层上的第二导电...
2000年11月15日
35
形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法　[申请号/专利号：01136893]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明一种形成镓砷／铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）利用高温二氧化硅膜对有源区的压应力，在镓砷／铝镓砷激光二极管的前后腔面处形成非吸...
2003年5月14日
 

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