专利┆化工┆机械┆建材┆通讯┆纺织┆电子┆农业┆服饰┆环保┆家居┆电器┆办公┆玩具┆文教┆包装
电气┆塑料┆能源┆橡胶┆照明┆运动┆仪器┆冶金┆数码┆汽车┆物流┆纸业┆印刷┆礼品┆建筑┆五金
发明名称 全文
专利
供应商机
采购商机
企业库
商讯
产品库
钱眼专利首页 > 具有垂直腔的 的专利共 156 条
<<　1　2　3　4　 >>免费注册 
热点信息推荐



热点企业推荐
 
 
 
排序
专利信息
公开日
地区
我要留言
1
表面发射激光装置　[申请号/专利号：200810099247]
申请人/专利权人：佳能株式会社
本发明提供一种表面发射激光装置。该表面发射激光装置可以进一步地提高其光发射效率，以扩大该装置的自由度。该表面发射激光装置包括：活性层（１０３）；与所述活性层相邻地设置的...
2008年11月19日
2
垂直腔表面发射激光器　[申请号/专利号：200810095659]
申请人/专利权人：佳能株式会社
本发明提供一种垂直腔表面发射激光器，其能够高效地将载流子注入光子晶体镜正下方的活性区域。所述垂直腔表面发射激光器包括：第一反射镜（１０２），其构成下镜；第二反射镜（１１...
2008年11月12日
3
氮化物半导体垂直腔面发射激光器　[申请号/专利号：200610111208]
申请人/专利权人：安华高科技ECBU IP(新加坡)私人有限公司
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）。该ＶＣＳＥＬ包括具有垂直生长部和横向生长部的基区。垂直生长部沿横向位于第一光学反射器附近，横向生长部包括沿垂直方向位于...
2007年2月21日
4
表面发射半导体激光器及其制造方法　[申请号/专利号：200810003662]
申请人/专利权人：富士施乐株式会社
本发明公开了表面发射半导体激光器及其制造方法。该表面发射半导体激光器包括：基板，在所述基板上形成的下反射镜，在所述下反射镜上形成的有源层，在所述有源层上形成的上反射镜，...
2008年11月12日
5
红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备　[申请号/专利号：200810005655]
申请人/专利权人：佳能株式会社
本发明涉及红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备。红色表面发射激光器元件包括：第一反射器；包括ｐ型半导体多层膜的第二反射器；在第一反射器和第二反射器之间的活...
2008年8月20日
6
单一ELOG生长的横向P-N结氮化物半导体激光器　[申请号/专利号：200610099885]
申请人/专利权人：阿瓦戈科技 ECBU IP(新加坡)股份有限公司
可以通过ＥＬＯＧ（外延横向过度生长）制造垂直量子阱氮化物激光器，通过在横向生长边缘的垂直ａ－面上方沉积和在单一ＥＬＯＧ－ＭＯＣＶＤ（金属有机化学汽相沉积）生长步骤中形成...
2007年3月28日
7
悬臂梁式波长可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法　[申请号/专利号：200710175248]
申请人/专利权人：北京工业大学
悬臂梁式波长可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。ＷＤＭ系统中激光器不能实现更多波长选择。该结构包括正电极层（１）、上分布反馈布拉格反射镜（２...
2008年2月27日
8
集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器及制作方法　[申请号/专利号：200610086551]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器，包括：一衬底；一下布拉格反射镜制作在衬底上；一下限制层制作在下布拉格反射镜上；一下波导层制作在下限制层上，该下波导层是带隙波...
2007年12月26日
9
具有改善的高频特性的VCSEL、半导体激光器件及光发送装置　[申请号/专利号：200710091065]
申请人/专利权人：富士施乐株式会社
本发明提供一种具有改善的高频特性的垂直腔面发射激光器、半导体激光器件及光发送装置。该垂直腔面发射激光器包括：基板；形成在所述基板上的第一导电类型的第一半导体层；形成在所...
2008年2月20日
10
具有在掺杂中周期性变化所形成的光栅的量子级联激光器　[申请号/专利号：200610067676]
申请人/专利权人：阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
可以通过在掺杂级中引入周期性变化来制作用于量子级联激光器和中红外波长垂直空腔表面发射激光器的掺杂衍射光栅，所述掺杂级导致周期性的折射率变化。典型情况下，通过使用ｎ型掺杂...
2006年12月6日
11
垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构　[申请号/专利号：200610044258]
申请人/专利权人：中微光电子(潍坊)有限公司
本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构，包括（１００）砷化镓衬底；生长的单层砷化镓过渡层；生长的多层外部Ｎ型布拉格反射层；生长的多层内部Ｎ型布拉格反射层...
2006年10月18日
12
一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法　[申请号/专利号：200610044192]
申请人/专利权人：中微光电子(潍坊)有限公司
一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法：依次是将需要氧化的砷化镓晶片放置在氧化炉内腔的石墨块上，密封氧化炉，将水蒸气由氮气夹带通入到氧化炉内腔中，分三个...
2006年10月25日
13
一种垂直外腔面发射半导体激光器　[申请号/专利号：200710056216]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
本发明涉及一种垂直外腔面发射半导体激光器，该激光器包括泵浦光源，散热装置，布拉格反射镜，工作物质，外腔镜，输出耦合镜；所述的外腔镜采用保罗棱镜；保罗棱镜的底面与工作物质...
2008年3月19日
14
双电容式微机械可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法　[申请号/专利号：200710175771]
申请人/专利权人：北京工业大学
一种双电容式微机械可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器从上至下包括：调谐电极（１）、绝缘介质薄膜（７０）、上分布反馈布拉格反射镜（２０）...
2008年2月27日
15
包含多层反射器的光学设备和垂直腔面发射激光器　[申请号/专利号：200710147710]
申请人/专利权人：佳能株式会社
公开了一种光学设备，包括具有光学厚度不为λ／４的层的多层反射器，以及一种使用这种光学设备的垂直腔面发射激光器。能够抑制由λ／４光学厚度的偏差造成的共振频率偏移或反射率下...
2008年2月27日
16
长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法　[申请号/专利号：200610003587]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种长波长垂直腔面发射激光器的结构，包括：一衬底，该衬底为Ｎ型ＩｎＰ衬底；一缓冲层制作在衬底上；一下布拉格反射镜制作在缓冲层上，该下布拉格反射镜用于反射激光腔内的光来形...
2007年8月22日
17
VCSEL、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统　[申请号/专利号：200710128169]
申请人/专利权人：富士施乐株式会社
本发明提供了ＶＣＳＥＬ、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统。该ＶＣＳＥＬ包括：基板；第一导电类型的第一半导体多层；有源层；第二导...
2008年3月5日
18
单模光子晶体VCSEL　[申请号/专利号：200580040641]
申请人/专利权人：阿赖特科技公司
本说明书揭示了具有单模输出和可选的单偏振输出的ＶＣＳＥＬ（垂直腔表面发射激光器）器件。该器件通过在部分ＶＣＳＥＬ顶部镜片中的浅蚀刻由根据ＰＢＧ（光子带隙）效应的横向模限...
2007年12月19日
19
光源装置以及图像显示装置　[申请号/专利号：200710181923]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供一种在实现低成本化的同时简化装置构成，进一步可以小型化的光源装置以及图像显示装置。光源装置（２）具备：具有在激光振荡时使激光（２０）相对发光面（２２）垂直射出...
2008年4月23日
20
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710182107]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相...
2008年2月20日
21
刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器　[申请号/专利号：200720095047]
申请人/专利权人：河北工业大学
本实用新型涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜...
22
2008年1月9日
23
棱镜式垂直腔面发射激光器　[申请号/专利号：200710021137]
申请人/专利权人：东南大学
棱镜式垂直腔面发射激光器是一种用棱镜和多层介质膜分离输出光束的垂直腔面发射激光器，该激光器包括高反射介质膜（１）、有机增益膜（２）、第一带通介质膜（３）、石英直角棱镜（...
2007年8月29日
24
光电复合基板以及电子设备　[申请号/专利号：200710005856]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
光电复合基板（１０）具备：基板（１１）；和形成在基板（１１）的表面（１１ａ）侧的印刷布线（１２）以及薄型光元件（１３）。薄型光元件（１３）在表面形成有电极，至少可从表面...
2007年8月29日
25
2008年2月6日
26
半导体氧化设备和制造半导体元件的方法　[申请号/专利号：200680000155]
申请人/专利权人：株式会社理光
一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸气的供应部...
2007年4月4日
27
多有源层垂直腔面激光器　[申请号/专利号：200610148447]
申请人/专利权人：李奕权
本发明公开了一种多有源层垂直腔面发光器件，其光谐振单元主要包括高掺杂导电区、绝缘层、负电极、限制层、有源层和正电极，所述的光谐振单元以半波长垂直厚度重复叠加构成发光谐振...
2007年5月9日
28
具有调制镜的垂直外腔表面发射激光器及用其的显示设备　[申请号/专利号：200610121890]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种具有形成外腔的改进镜从而调制所发射的激光束的垂直外腔表面发射激光器（ＶＥＣＳＥＬ）及使用该激光器的显示设备。该ＶＥＣＳＥＬ包括：泵浦光源；受泵浦光源发出的...
2007年8月1日
29
垂直腔面发射激光器及其制造方法　[申请号/专利号：200710154099]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法。所述激光器包括：形成在接触层的中央部分处的反射透镜以及与反射透镜分隔开并且围绕反射透镜的上电极。制造该激光器的方法包括以下步骤...
2008年3月19日
30
具有横向P/N结的VCSEL系统　[申请号/专利号：200610103335]
申请人/专利权人：安华高科技杰纳勒尔IP(新加坡)私人有限公司
本发明提供了一种ＶＣＳＥＬ系统，其包括：形成第一反射镜；在所述第一反射镜上形成垂直腔，所述垂直腔包括集成的多个增益区；并且沿着所述集成的多个增益区的横向形成横向ｐ／ｎ结...
2007年1月24日
31
大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构　[申请号/专利号：200610104150]
申请人/专利权人：长春理工大学
大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应，使得注入电流强度以及发光强度不均匀，器件性能和寿命受到...
2007年1月3日
32
砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法　[申请号/专利号：200610011792]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种砷化镓／砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：（Ａ）在衬底上，使用分子束外延的方法外延生长砷化镓缓冲层；（Ｂ）在砷化镓缓冲层上生长多个周期...
2007年10月31日
33
具有垂直发射方向的表面发射的半导体激光器部件　[申请号/专利号：200580016845]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
说明了一种表面发射的半导体激光器部件，特别是电泵浦的半导体激光器部件，具有垂直的发射方向，其被设置用于借助外部光学谐振器（４，５）产生激光辐射，半导体激光器部件包括具有...
2007年5月2日
34
光泵浦的半导体装置　[申请号/专利号：200580013368]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
本发明涉及一种半导体装置，其包括具有有源垂直发射层（３）的光泵浦的垂直发射器和泵浦辐射源，借助该泵浦辐射源产生沿横向传播的泵浦辐射，该泵浦辐射场将在泵浦区域中的垂直发射...
2007年4月11日
35
垂直腔面发射激光器　[申请号/专利号：200610078940]
申请人/专利权人：佳能株式会社
一种垂直腔面发射激光器，包括第一反射镜层、第二反射镜层和设置在两者之间的活性层，其中至少第一反射镜层和第二反射镜层中的一个包括周期性折射率结构，在该结构中折射率在横向的...
2006年11月1日
36
2008年1月23日
37
表面发射的半导体激光器装置以及用于制造表面发射的半导体激光器装置的方法　[申请号/专利号：200580031204]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
本发明说明了一种表面发射的半导体激光器装置，具有：至少一个表面发射的半导体激光器（２１），其具有垂直发射器（１）和至少一个泵浦辐射源（２），它们并排单片地集成到共同的衬...
2007年8月22日
38
大功率垂直外腔表面发射激光器　[申请号/专利号：200610090854]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种改进的ＶＥＣＳＥＬ装置，其中每个量子势阱层的增益在所提供的周期性增益结构中可以得到增加。垂直外腔表面发射激光器（ＶＥＣＳＥＬ）装置包括：基板；底部ＤＢＲ...
2007年1月10日
39
提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法　[申请号/专利号：200610011224]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明一种提高氧化铝／砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：（Ａ）在半绝缘砷化镓（１００）衬底上，使用分子束外延的方法外延生长２００ｎｍ的砷化...
2007年7月25日
40
有机注入式激光器　[申请号/专利号：200580043881]
申请人/专利权人：普林斯顿大学理事会
一种单极有机注入式激光器，在该激光器中电受激带内跃迁导致激光产生。有源区（１４０）包括至少一个有机注入极层（１４４）和至少一个有机发射极层（１４２）。在由导带和价带所限...
2007年12月12日
41
棱镜式垂直腔面发射激光器　[申请号/专利号：200720035530]
申请人/专利权人：东南大学
棱镜式垂直腔面发射激光器是一种用棱镜和多层介质膜分离输出光束的垂直腔面发射激光器，该激光器包括高反射介质膜（１）、有机增益膜（２）、第一带通介质膜（３）、石英直角棱镜（...
42
具有模控制的VCSEL半导体装置　[申请号/专利号：200710003402]
申请人/专利权人：昂科公司
本发明揭示一种面射型激光器，其具有：一带有顶面及底面的衬底；一位于所述衬底的所述顶面上的折射率交替变化的第一镜面层堆叠；及位于所述第一堆叠上的有源层；一设置于所述有源层...
2007年9月19日
43
采用垂直腔激光阵列的直观显示器　[申请号/专利号：200580019185]
申请人/专利权人：伊斯曼柯达公司
一种用于生成彩色像素化光的显示设备，包括用于提供泵浦光束光的背光单元（２２０）。该设备还包括响应于泵浦光束光并具有多个像素微腔发光阵列（１００），其中每个像素包括透明衬...
2007年5月23日
44
InP基板上的Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ多层结构　[申请号/专利号：200580018674]
申请人/专利权人：3M创新有限公司
提供一种包括ＩｎＰ基板和Ⅱ－Ⅵ及Ⅲ－Ⅴ材料交替层的多层结构。一般地，Ⅱ－Ⅵ及Ⅲ－Ⅴ材料交替层与ＩｎＰ基板晶格匹配或者假同晶。一般地，Ⅱ－Ⅵ材料选自ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ、Ｂ...
2007年5月16日
45
半导体发光元件及其制造方法　[申请号/专利号：200580011309]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
半导体发光元件（ＬＥ１），具有生成光的多层构造体ＬＳ。该多层构造体包含层叠的多个化合物半导体层（３－８），并具有相向的第１及第２主表面（６１、６２）。在第１主表面上配置...
2007年4月4日
46
具有集成吸收器的表面发射激光器　[申请号/专利号：200580010780]
申请人/专利权人：英特尔公司
一种具有集成吸收器的表面发射激光器（ＳＥＬ）。下镜面和输出耦合器限定了ＳＥＬ的激光腔。放置在激光腔中的单片增益结构包括增益区和吸收器，其中吸收器的饱和通量小于增益区的饱...
2007年4月18日
47
半导体激光器部件、用于该半导体激光器部件的光学装置以及用于制造该光学装置的方法　[申请号/专利号：200580025254]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
本发明涉及一种半导体激光器部件，其具有设置用于产生辐射的半导体激光器芯片（１）和光学装置，所述光学装置包括支承体（７）、设置在所述支承体上的辐射偏转元件（８）和设置在所...
2007年6月27日
48
垂直外腔面发射激光器　[申请号/专利号：200610121484]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器（ＶＥＣＳＥＬ）。该ＶＥＣＳＥＬ包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量；激光器芯片，设置在散热器上，...
2007年7月25日
49
包括带镜面的倍频效应晶体的垂直外腔面发射激光器　[申请号/专利号：200610121479]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种具有带镜面的ＳＨＧ晶体的ＶＥＣＳＥＬ。该ＶＥＣＳＥＬ包括激光器基片、折叠镜和ＳＨＧ晶体。激光器基片发射具有第一波长的射线，折叠镜设置地与该激光器基片隔开预...
2007年7月18日
50
具有泵束反射器的垂直外腔表面发射激光器　[申请号/专利号：200610121330]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种垂直外腔表面发射激光器（ＶＥＣＳＥＬ）。该ＶＥＣＳＥＬ包括：半导体芯片，包括发射具有预定波长的束的有源层以及将该有源层产生的该束反射到该有源层的外部的反射...
2007年6月13日
 

专利发明首页:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
...
  　　共156 条信息，当前显示第 1 - 50 条，共4 页
钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明
将钱眼设为首页 | 将钱眼推荐给朋友
钱眼网 版权所有 Copyright ©2026 Qianyan.biz All rights reserved. | 网络实名：钱眼
钱眼客服电话:010-82727623 　E_Mail:qianyan.biz@hotmail.com　QQ:532008814　　点击这里给我发消息　
京公网安备 11010502034661号   京ICP备06048586号