带有场效应器件-钱眼专利分类

共源共栅放大电路、放大器、和共源共栅放大电路的方法　[申请号/专利号：200710101068]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种稳压共源共栅放大电路，包括：第一ＰＭＯＳ　　ＦＥＴ和第二ＰＭＯＳ　　ＦＥＴ，其串联连接在接收第一供电电压的第一端和输出端之间；第一ＮＭＯＳ　　ＦＥＴ和第二ＮＭＯＳ　...

2007年11月7日

具有共模偏置的差动放大器　[申请号/专利号：94191358]
申请人/专利权人：摩托罗拉公司
一种互补型栅地－阴地推挽放大器电路，它包括一个偏置发送器、一个互补型偏置发生器、一个栅地－阴地放大器输入级（４１６、４１７）、一个栅地－阴地放大器输出级（４１０、４１１...

1996年3月13日

探测周围光的光学传感器及采用其的液晶显示器件　[申请号/专利号：200710096899]
申请人/专利权人：三星SDI株式会社
一种提供高可靠地探测周围光而且减低功耗的光学传感器，以及一种包含此光学传感器的液晶显示器件。在该光学传感器中，第一晶体管电耦合于第一电源跟第二晶体管之间，第二晶体管电耦...

2007年10月24日

适合用于无线电话的放大器　[申请号/专利号：94191151]
申请人/专利权人：摩托罗拉公司
在电流镜结构中放大器（２０１）使用晶体管（３０１、３０３），如ＭＯＳ－ＦＥＴ晶体管。晶体管（３０１、３０３）容易封装成表面安装的器件。通过控制流过放大器级（２０１）的偏...

1996年2月28日

绝缘栅场效应管电流镜象放大器　[申请号/专利号：94119069]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
电流镜象放大器（ＣＭＡ）包括同一导电性类型的第一、第二、第三和第四场效应管（ＦＥＴ）。第一和第二ＦＥＴ以及第三和第四ＦＥＴ分别在ＣＭＡ输入级以及输出级中彼此为嵌套式共源...

1995年11月15日

耗尽型晶体管的功率放大器偏置保护　[申请号/专利号：200710004329]
申请人/专利权人：阿尔卡特朗讯
一种具有耗尽型晶体管的放大器，利用连接到耗尽型晶体管的栅极的阈值电压适配，实现了耗尽型晶体管的功率放大器偏置保护。该阈值电压适配控制用于耗尽型晶体管的漏极的电源电压开关...

2007年9月5日

法国

包括低噪声放大器的同时接收/发送信号的装置　[申请号/专利号：00129885]
申请人/专利权人：汤姆森多媒体公司
本发明包括低噪声放大器，其是包括对高幅度信号显现饱和状态的晶体管。根据本发明，在放大器（４）的输出端（Ａ）设置负载阻抗（７），它反映给输出端的是最佳阻抗（ＺＬ），使晶体...

2001年7月11日

法国

晶体管“共集——共基”、“共集——共基——共集”放大电路　[申请号/专利号：99121322]
申请人/专利权人：李希强
本发明涉及两种由优选晶体管“共集”、“共基”基本组态电路按“共集－共基”或“共集－共基－共集”优化组合方式串接而成的放大电路。它们用一级放大便实现了以往需二至三级放大尚...

2000年10月11日

云南

利用电流镜象电路的电压-电流变换器　[申请号/专利号：96105946]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
电压－电流变换器包括第一和第二电流镜电路，双极晶体管，启动晶体管和电阻器。第一电流镜电路产生与从第二电流镜电路接收的第二电流成正比的第一电流。第二电流镜电路产生均与第三...

1996年12月17日

半导体器件和使用了它的显示装置以及电子装置　[申请号/专利号：200310121682]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的课题是，提供一种具有正常工作部件的半导体器件，该半导体器件即使是使用了单极型晶体管的数字电路，也能防止输出信号的振幅变小。通过使被连接成二极管的晶体管１０１截止...

2004年8月25日

增益可变型放大器　[申请号/专利号：200310120436]
申请人/专利权人：新日本无线株式会社
本发明是具有利用信号放大用场效应晶体管进行高频信号的放大的结构的增益可变型放大器。它具备：输入阻抗校正装置，在上述信号放大用场效应晶体管的输入侧，用于在增益可变时进行输...

2004年7月21日

用于场效应晶体管放大器的偏压电路　[申请号/专利号：98100320]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
在具有源极接地的ＦＥＴＱ的直流偏压电路中，为了不论直流参数作何变化都能维持ＦＥＴ的漏源电压和漏极电流的自动恒定，在ＦＥＴＱ１漏极与栅极之间设置第一ＰＮＰ晶体管Ｑ↓［２］...

1998年10月7日

一种用漏极作输出级的功率放大电路的连调方法及其电路　[申请号/专利号：01109307]
申请人/专利权人：黎锦晖
一种功放电路，包括：一差动放大级；一可调恒流源，与所述差动电路的发射极连接；一输出级具有第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其漏极作为输出极；以及一电流控制单元，包含第...

2002年10月9日

深圳

用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入放大器　[申请号/专利号：98106131]
申请人/专利权人：西门子公司
本发明涉及一用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入放大器，其具有一ＭＯＳ晶体管（７），它的源极或漏极接到与输出级相连的节点（ＱＮ）。位于输入放大器（１）的两个Ｐ沟...

1998年10月7日

联邦

场效应晶体管限制器电路　[申请号/专利号：90101751]
申请人/专利权人：RCA许可公司
放大器／限制器电路（３０）包括可提供电位范围在地与Ｖ－［Ｄ］之间的输出信号的放大器（ＴＰ２、ＴＮ２）。第一对并联互补晶体管（ＴＰ３、ＴＮ３）的主导电通路耦合到放大器（Ｔ...

1990年10月10日

具有FET器件的快速级联AB类输出级　[申请号/专利号：03812008]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一组ＡＢ类输出级通过级联形成一种ＡＢ类器件电路，该电路使用相对小尺寸的晶体管，具有低的功耗，基本消除交叉失真。电路的输入可由电压或电流源供电。...

2005年8月17日

荷兰

具有光传感器激活喷射元件的流体喷射和扫描组件　[申请号/专利号：03110220]
申请人/专利权人：惠普公司
一种流体喷射和扫描组件（１２６）包括一种小滴喷射元件（７０２），该元件在被激活时使流体从相关的喷嘴膛（９１０）中喷射；一种与该喷射元件耦合的第一光传感器（７１０），当该...

2004年1月14日

具有光传感器激活喷射元件的流体喷射和扫描系统　[申请号/专利号：03110217]
申请人/专利权人：惠普公司
一种流体喷射和扫描系统（１００）包括一种小滴喷射组件（１２６）。该组件包括第一多个光传感器（７１０）和第一多个喷射元件（７０２）。每个喷射元件的配置能够使该喷射元件在受...

2004年1月14日

流体喷射器件中喷射元件的光传感器激活　[申请号/专利号：03110216]
申请人/专利权人：惠普公司
一种流体喷射器件（１２６）的激活元件（７００）包括喷射元件（７０２），该元件在被激活时使流体从相关的一个喷嘴膛（９１０）中喷射。光传感器（７１０）与该喷射元件耦合。当该...

2004年1月14日

具有光传感器激活喷射元件的流体喷射系统　[申请号/专利号：03110215]
申请人/专利权人：惠普公司
一种流体喷射系统（１００）包括流体喷射组件（１２６），该组件包括第一多个光传感器（７１０）和流体喷射元件（７０２）的第一阵列。每个流体喷射元件的配置能够使该流体喷射元件...

2004年1月14日

一种用于推动CMOS晶体管I/O的偏置器　[申请号/专利号：200320121283]
申请人/专利权人：厦门优迅高速芯片有限公司、徐平
本实用新型提供了一种用于推动ＣＭＯＳ晶体管Ｉ／Ｏ的偏置器，可在３Ｖ、５Ｖ或在此区间内的任何电源电压下工作而无需进行结构的调整。本实用新型由一个电流源和三个放大器构成，在...

厦门

超线性晶体管功放　[申请号/专利号：03150360]
申请人/专利权人：张云
通过两只场效应管构成一级单端推挽放大器，具有极低失真、极高稳定性、放大倍数大，音质、音色完美的特点。功率输出级采用传统功率三极管和功率场效应管直接或复合并联，并通过两种...

2005年1月26日

四川

可变增益放大器　[申请号/专利号：02125266]
申请人/专利权人：清华大学
本发明属于模拟信号处理和通信技术领域，涉及可变增益放大器。包括多个相同的级联的可变增益基本单元和控制电压发生器两部分，所说的各可变增益基本单元的输出端与控制电压发生器相...

2003年1月1日

北京

低工作电压恒定电流电路　[申请号/专利号：02146665]
申请人/专利权人：三合微科股份有限公司
一种低工作电压定电流电路，包括一参考电流源与一电流镜电路，在该参考电流源与该电流镜之间设有一控制电路，该控制电路令参考电流源的输出电压与控制电路内部或外部产生参考电压进...

2004年5月5日

台湾

用互补型金属氧化物晶体管技术实现的倒相器　[申请号/专利号：86103472]
申请人/专利权人：德国ITT工业有限公司
本发明倒相器的两个晶体管（ｔｎ、ｔｐ）是通过两个电容（ｃ１、ｃ２）纯粹容性地驱动的．（ｔｎ、ｔｐ）的直流工作点通过来自参考电流源（ｓｒ）的输出电流的驱动电流来确定．由此...

1986年12月24日

联邦

半导体功率器件和RF信号放大器　[申请号/专利号：200610128556]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
半导体功率器件包括凸缘、具有栅极、源极和漏极的管芯。源极与凸缘电耦合。漏极匹配电路位于具有输入、输出和偏置输入的凸缘上，输入与漏极耦合。漏极匹配电路包括与漏极和凸缘间的...

2007年2月7日

联邦

场效应管的偏置电路　[申请号/专利号：200410056160]
申请人/专利权人：阎跃军
本发明公开了一种场效应管的偏置电路，其特征是：利用功率消耗极小的晶体管组成的电流变动信息电路和电阻，构成电压变动信息电路，此电压变动信息电路与一个分压网络结合，全体构成...

2005年9月21日

深圳

光电池及其增益控制方法　[申请号/专利号：200410045971]
申请人/专利权人：三星电机株式会社
与光鼠、数字照相机组件的ＣＭＯＳ传感器或扫描仪一起使用的光电池包括光元件，其中，维持光元件元件的基极端电压恒定的反馈电路不直接连接到基极端来控制电压，直接维持发射极端电...

2005年8月31日

功率放大器的偏置电路　[申请号/专利号：200410076853]
申请人/专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
本发明提供一种偏置电流的设定简单、且一次设定的偏置电流不因周围温度变化的功率放大器的偏置电路。其包括从电源供给的电源电流依赖于偏置电压的功率放大器，在从所述电源向所述功...

2005年3月23日

放大器装置　[申请号/专利号：90104268]
申请人/专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
一种包括有第一晶体管（Ｎ１）、第二晶体管（Ｎ２），电流源（Ｊ１），输入端（１）和输出端（３）的共射共基放大器装置的增益是由增加一个具有非反相输入端（Ｖ１）、反相输入端（...

1990年11月28日

荷兰