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化学机械抛光(CMP)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片 |
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| 化学机械抛光／平面化（ＣＭＰ）设备、方法和由此生产出的衬底。抛光表面中具有不均匀的凹槽。ＣＭＰ头和方法具有整体浆液分配机构。ＣＭＰ设备和方法具有旋转的固定环。ＣＭＰ设备和方法具有带柔软背衬的抛光头。ＣＭＰ能够在抛光和平面化过程中有效使用浆液。由ＣＭＰ设备或方法生产的衬底（半导体晶片）。在一个实施例中，该设备（１００）包括具有附着在下衬底保持表面（１６５）上的柔性部件（１８５）的副载体（１６０）。柔性部件（１８５）中具有孔（１９５），从而在柔性部件和副载体（１６０）之间引入的加压流体直接将衬底（１０５）压在抛光表面（１２５）上。这些孔（１９５）的数目和尺寸被选择为能够在柔性部件（１８５）和衬底（１０５）之间提供充分的摩擦，以在驱动机构使副载体（１６０）转动时产生转动。副载体（１６０）具有用来在位于下表面（１６５）和柔性部件（１８５）之间的凹穴（２１５）上抽真空的开口。柔性部件和衬底（１０５）用作阀（２２５），以在已经实现预定真空时使开口与空腔隔离。 |
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化学机械抛光(CMP)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片
一种用于将具有一表面的衬底设置在抛光设备的抛光表面上的抛光头，该抛光头包括一适于在抛光操作期间保持所述衬底的载体，该载体具有一下表面，一柔性部件固定在该载体上并且在所述下表面上延伸，一隔离件设置在所述柔性部件和下表面之间，以在所述柔性部件和下表面之间形成一空腔，所述载体设有与下表面连通的通道，用来将加压流体引入到所述空腔中，所述柔性部件具有用来接合所述衬底以便在抛光操作期间将所述衬底压靠在抛光表面上的接纳表面，所述柔性部件具有一厚度以及多个穿过该厚度延伸至接纳表面以便将压力直接施加在所述衬底上的孔。
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