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专利号:200610030924
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一种碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法

本发明属于化工技术领域,具体涉及一种具有光电活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法。该方法以碳化钛为原料,经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜,其中输入电压为10~20V,氧化时间为1~3小时,在通电过程中,表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO↓[2]薄膜。本发明方法制备的含C的TiO↓[2]薄膜具有多孔的纳米结构,并具有典型的n型半导体的特征,具有高的光电活性,可在太阳能电池、光分解水制氢等方面具有应用前景。

一种碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法

碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于以碳化钛薄膜为原材料,经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜,具体步骤是,使用一直流稳压电源或恒电位仪,其正极与碳化钛薄膜连接,负极与对电极石墨连接,调节直流稳压电源的输入电压为10~20V,控制氧化时间为1~3小时,电解液采用含0.5wt%NH↓[4]F的0.5M~1M(NH↓[4])↓[2]SO↓[4]溶液;氧化过程中对溶液进行磁力搅拌,在通电的过程中,表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO↓[2]薄膜。
 


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专利号: 200610030924
申请日: 2006年9月7日
公开/公告日: 2007年3月28日
授权公告日:
申请人/专利权人: 复旦大学
国家/省市: 上海(31)
邮编: 200433
发明/设计人: 崔晓莉、陆俊、顾海杰、陈鹏、沈杰
代理人: 陆飞 盛志范
专利代理机构: 复旦大学专利事务所(31200)
专利代理机构地址: 上海市邯郸路220号(200433)
专利类型: 发明
公开号: 1936082
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权:
审批历史:
附图数: 5
页数: 3
权利要求项数: 1
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