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专利号:200610090284
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半导体装置及其制造方法

本发明公开了一种可提高连接孔处的连接可靠性的半导体装置的制造方法。本发明所涉及的半导体装置的制造方法包括以下步骤:在第一绝缘膜(10)上形成布线(20);在第一绝缘膜(10)及布线(20)上形成第二绝缘膜(30);在第二绝缘膜(30)上形成位于布线(20)上的连接孔(30a);通过溅射位于连接孔(30a)的底下的布线(20),从而在连接孔(30a)的侧面形成包覆膜(31);在第二绝缘膜(30)及包覆膜(31)上形成阻挡膜(41);以及在连接孔(30a)中埋入导电膜(42)。

半导体装置及其制造方法

一种半导体装置,包括:    布线,形成于第一绝缘膜上;    第二绝缘膜,形成于所述第一绝缘膜及所述布线上;    连接孔,形成于所述第二绝缘膜上,且位于所述布线上;    包覆膜,覆盖所述连接孔的侧壁,通过溅射位于所述连接孔底下的所述布线而形成;    阻挡膜,设置于所述包覆膜上及所述连接孔的底面上;以及    导电体,埋入所述连接孔之中。
 


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专利号: 200610090284
申请日: 2006年7月11日
公开/公告日: 2007年1月17日
授权公告日:
申请人/专利权人: 精工爱普生株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 冈村浩志
代理人: 余刚
专利代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司(11240)
专利代理机构地址: 北京市西城区金融大街33号通泰大厦B402室(100032)
专利类型: 发明
公开号: 1897267
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2005年7月13日2005-204041
审批历史:
附图数: 4
页数: 9
权利要求项数: 3
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