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专利号:200610090289
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半导体装置

本发明提供一种可将导电层设置在电极焊盘或凸起下方、且可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置包括:半导体层(10)、设于半导体层(10)上方的具有第一宽度的第一导电层(14a)、与第一导电层(14a)连接的具有比第一宽度小的第二宽度的第二导电层(14b)、设于第一导电层(14a)及第二导电层(14b)上方的层间绝缘层(50)和层间绝缘层(60)、以及设于层间绝缘层(50)和层间绝缘层(60)上方的电极焊盘(62)。在位于电极焊盘(62)端部的垂直下方内侧的规定区域(12)内,设有第一导电层(14a)与第二导电层(14b)相连接的连接部(30),该连接部(30)上设有加强部(14c)。

半导体装置

一种半导体装置,其包括:    半导体层;    第一导电层,设于所述半导体层的上方,具有第一宽度;    第二导电层,与所述第一导电层连接,具有小于所述第一宽度的第二宽度;    层间绝缘层,设于所述第一导电层以及所述第二导电层的上方;以及    电极焊盘,设于所述层间绝缘层的上方,    其中,在位于从所述电极焊盘端部的垂直下方朝向内侧的规定区域内,设有所述第一导电层与所述第二导电层相连接的连接部,    在所述连接部上设有加强部。
 


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专利号: 200610090289
申请日: 2006年7月11日
公开/公告日: 2007年1月17日
授权公告日:
申请人/专利权人: 精工爱普生株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 汤泽健、田垣昌利
代理人: 余刚
专利代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司(11240)
专利代理机构地址: 北京市西城区金融大街33号通泰大厦B402室(100032)
专利类型: 发明
公开号: 1897268
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2005年7月13日2005-204521
审批历史:
附图数: 7
页数: 18
权利要求项数: 4
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