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发明名称　全文　

专利号:200710146401

　　[主　附　图]

　　[公开说明书]

　　[授权说明书]

溅射沉积装置和方法

本发明涉及一种溅射沉积装置和方法，及用于溅射沉积装置的衬底支持物。根据本发明的一方面，提供一种溅射沉积装置，包括：至少一个溅射靶，第一等离子体，衬底支持物，和另一等离子体。优选，此另一等离子体为ＥＣＷＲ等离子体。根据另一方面，在另一等离子体和此衬底支持物之间提供阳极。根据又另一方面，衬底支持物包括具有变化厚度的介电层。

溅射沉积装置和方法

一种溅射沉积装置，包括：　　　　至少一个溅射靶；　　　　第一等离子体；　　　　衬底支持物；和　　　　另一等离子体。

专利号:	200710146401
申请日:	2007年6月22日
公开/公告日:	2008年4月9日
授权公告日:
申请人/专利权人:	奇梦达股份公司
国家/省市:	联邦德国(DE)
邮编:
发明/设计人:	K·-D·尤弗特
代理人:	余刚李丙林
专利代理机构:	北京康信知识产权代理有限责任公司(11240)
专利代理机构地址:	北京市西城区金融大街33号通泰大厦B402室(100032)
专利类型:	发明
公开号:	101158027
公告日:
授权日:
公告号:	000000000
优先权:	美国2006年6月23日11/473441联邦德国2006年6月23日102006028977.3
审批历史:
附图数:	5
页数:	10
权利要求项数:	3
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专利分类:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯

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