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专利号:200810054507
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一种制备Si*N*晶须的工艺方法

一种制备Si↓[3]N↓[4]晶须的工艺方法,属晶体材料技术领域,用于解决使用低成本铁尾矿制备Si↓[3]N↓[4]晶须问题。特别之处是:它以铁矿石尾矿和碳黑为原料,利用气相反应法合成Si↓[3]N↓[4]晶须,所述方法包括制粉、磁选、配料、湿混、干燥、干混、高温气相反应等步骤。本发明以储量巨大的冶金废弃物铁矿石尾矿为主要原料,以碳黑为还原剂,通过气相反应法制备Si↓[3]N↓[4]晶须。该方法不仅简便易行,成本低廉,为Si↓[3]N↓[4]晶须大量制备提供了一种新方法,而且为铁尾矿的废弃和污染且生态化的整体利用提供了一条新途径,也为工业规模化处理铁尾矿奠定了工艺基础。以本发明方法制备的Si↓[3]N↓[4]晶须长度为1-10mm,直径为1-50μm,晶体结构完整。

一种制备Si*N*晶须的工艺方法

一种制备Si↓[3]N↓[4]晶须的工艺方法,其特征在于:它以铁矿石尾矿和碳黑为原料,利用气相反应法合成Si↓[3]N↓[4]晶须,所述方法包括如下步骤:    a.制粉:选取铁尾矿破碎后进行球磨至粒度达到200目以下,过200目筛,取筛下物为铁尾矿粉;    b.磁选:对上述铁尾矿粉进行磁选,去除其中所含单质铁和铁磁性物质;    c.配料:取碳黑和上述铁尾矿粉,按碳黑中的固定碳和铁尾矿粉中氧化硅的摩尔比进行配料,即:n(C)/n(SiO↓[2])为1.0-6.0的摩尔比;    d.湿混:将上述配制好的混合料以无水乙醇为分散剂介质进行球磨混合,湿混时间20-24小时,其中,混合料:无水乙醇体积比为1∶2-3;    e.干燥:将湿混后的料浆充分干燥;    f.干混:将干燥的混合料再经球磨干混4-6小时;    g.高温气相反应:将上述混合料装入多孔石墨坩埚,石墨坩埚置于电阻炉中,炉内连续通入流动氮气,流量为400-1000ml/min,进行气相合成,反应温度为1400-1500℃;恒温时间为4-10小时,将反应物随炉冷却至室温。
 


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专利号: 200810054507
申请日: 2008年1月29日
公开/公告日: 2008年11月19日
授权公告日:
申请人/专利权人: 河北理工大学
国家/省市: 河北(13)
邮编: 063009
发明/设计人: 张淑会、康志强、薛向欣、吕庆、张淑卿
代理人: 周晓萍 曹淑敏
专利代理机构: 河北省科技专利事务所(13108)
专利代理机构地址: 河北省石家庄市工农西路68号(050051)
专利类型: 发明
公开号: 101307499
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
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附图数: 0
页数: 4
权利要求项数: 1
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