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专利号:200810055787
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抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置

本发明一种抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置,是用具有设定介电常数和介电损耗的电吸收材料组成的。通过选择该装置的材料参数,形状和尺寸、以及放置位置和连接方法可以有效地抑制多注速调管双间隙耦合腔输出电路中具有π模场形分布的高次模的振荡,降低由该类模式引起的杂谱电平。本发明对具有双间隙耦合腔输出电路的多注速调管能够抑制高次模式振荡,降低杂谱电平。

抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置

一种抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置,对具有双间隙耦合腔输出电路的多注速调管能够抑制高次模式振荡,降低杂谱电平,其特征在于:所述装置的T形电吸收陶瓷块与金属塞连接;金属塞纵向侧面有一夹槽,T形电吸收陶瓷块具有凸台的一侧固接于夹槽内;所述抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置放置在双间隙耦合腔的耦合缝内,金属塞与腔壁连接。
 


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专利号: 200810055787
申请日: 2008年1月9日
公开/公告日: 2008年10月8日
授权公告日:
申请人/专利权人: 中国科学院电子学研究所
国家/省市: 北京(11)
邮编: 100080
发明/设计人: 丁耀根、孙小欣、张永清、丁海兵、沈斌
代理人: 周国城
专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司(11021)
专利代理机构地址: 北京市海淀区海淀路80号中科大厦16层(100080)
专利类型: 发明
公开号: 101281849
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 2
页数: 4
权利要求项数: 1
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