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专利号:200810060795
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一种以NH*作为N源的In-N共掺制备p型ZnO薄膜的方法

本发明公开了一种以NH↓[3]作为N源的In-N共掺制备p型ZnO薄膜的方法,该方法利用直流反应磁控溅射技术,以In金属为施主掺杂源,以NH↓[3]为N源并作为受主掺杂源制成的。以ZnIn二元合金为靶材,将清洗过的衬底放入直流反应磁控溅射装置的生长室中,生长室抽真空,溅射压强控制在1Pa,生长温度为400~600℃,在NH↓[3]和O↓[2]的气氛下生长;本发明方法以ZnIn二元合金为靶材,制作方法简便,耗时少,可轻易制备不同含量的靶材;掺杂浓度可以通过调节输入的反应气体的分压比、靶材中的In含量和温度来控制,掺杂浓度可控性、稳定性好;制得的ZnO薄膜表面平整,晶粒大小均匀且具有较好的择优取向,所得薄膜具有良好的光电性能。

一种以NH*作为N源的In-N共掺制备p型ZnO薄膜的方法

一种以NH↓[3]作为N源的In-N共掺制备p型ZnO薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:    (1)制备合金靶:靶材的原料选用纯度为99.99%的金属Zn和In,按化学式Zn↓[1-x]In↓[x],x=0.5at%配料,放入高温熔炉熔炼,制成靶材。    (2)制备p型ZnO薄膜:在沉积薄膜之前,衬底先用乙醇超声波清洗30min,再用氮气吹干放到直流反应磁控溅射装置的衬底架上;把制备好的靶材装在靶头上,调整衬底架的位置,使衬底与靶面保持6cm的距离,并用挡板将衬底和靶材隔开,生长室抽真空到3×10↑[-3]Pa;然后衬底加热至400~600℃,通入NH↓[3],O↓[2]和Ar气,Ar、NH↓[3]与O↓[2]的体积比为20∶17∶8,压强控制在1Pa;预溅射15min除去靶材表面的玷污,然后旋开挡板,在115W功率下溅射30min,得到以NH↓[3]作为N源的In-N共掺p型ZnO薄膜。
 


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专利号: 200810060795
申请日: 2008年4月22日
公开/公告日: 2008年9月17日
授权公告日:
申请人/专利权人: 浙江大学
国家/省市: 杭州(86)
邮编: 310027
发明/设计人: 叶志镇、简二梅、刘伟昌、赵炳辉
代理人: 周烽
专利代理机构: 浙江大学专利代理事务所(33200)
专利代理机构地址: 浙江省杭州市玉古路117号6楼浙江大学内(310013)
专利类型: 发明
公开号: 101267010
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
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附图数: 1
页数: 4
权利要求项数: 1
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