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专利号:200810062155
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场发射显示器阴极的单壁纳米碳管薄膜及制作和测试方法

本发明公开了一种场发射显示器阴极的单壁纳米碳管薄膜及制作和测试方法。在特制的电弧放电装置中,使单壁纳米碳管薄膜直接生长在安装于镀有氧化铟锡薄膜的上阴极石墨极板的浮化玻璃基板上,可在较低的温度条件(低于600℃)下,直接得到单壁纳米碳管薄膜,并将其制备成多条单壁纳米碳管条形薄膜,以此薄膜为场发射显示器阴极。在另一镀有透明氧化铟锡薄膜的浮化玻璃基板上,利用丝印技术涂覆场发射用的绿色荧光粉,以其作为阳极。使用高真空场发射性能测试设备对其场发射电流和发射性能进行测试。本发明可制备大面积场发射显示器,显示器具有亮度高、发光均匀稳定,工作电压低等特点。可以获得低电压、高亮度、均匀、稳定发光的显示效果。

场发射显示器阴极的单壁纳米碳管薄膜及制作和测试方法

一种场发射显示器阴极的单壁纳米碳管薄膜,其特征在于在镀有氧化铟锡薄膜的浮化玻璃基板上等间距设有多条单壁纳米碳管条形薄膜阴极。
 


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专利号: 200810062155
申请日: 2008年6月6日
公开/公告日: 2008年10月15日
授权公告日:
申请人/专利权人: 浙江大学
国家/省市: 杭州(86)
邮编: 310027
发明/设计人: 王淼、周俊杰、李振华、尚学府、赵沛、顾智企
代理人: 张法高
专利代理机构: 浙江大学专利代理事务所(33200)
专利代理机构地址: 浙江省杭州市玉古路117号6楼浙江大学内(310013)
专利类型: 发明
公开号: 101286429
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 3
页数: 7
权利要求项数: 1
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