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| 本发明公开了一种制备Ｂｉ↓［２］Ｔｅ↓［３］纳米薄片的方法。该方法采用低温湿化学合成工艺。将含Ｂｉ的化合物及Ｔｅ单质按照最终产物化学成分所确定的比例混合于去离子水中。添加足量的还原剂及合适的络合剂，在９５－１１０℃温度下，依靠沸腾进行搅拌，反应２４－４８ｈ，离心分离、洗涤、烘干即可。其形貌为多边形纳米薄片。该方法工艺简单，无需添加碱性调节剂，得到的产物形态统一，其形貌为多边形纳米薄片，产物纯度高，有望提高Ｂｉ↓［２］Ｔｅ↓［３］基热电材料的热电性能，并可广泛应用于物理、化学、微电子、材料等领域。 |
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一种Bi*Te*纳米薄片的制备方法
一种Ｂｉ↓［２］Ｔｅ↓［３］纳米薄片的制备方法，其步骤如下： １）将含Ｂｉ元素的化合物及Ｔｅ单质按照最终产物Ｂｉ↓［２］Ｔｅ↓［３］的化学成分所确定的比例混合于去离子水中，去离子水的质量相当于Ｔｅ单质质量的６００－１０００倍，充分搅拌混合； ２）将上述混合液置于反应容器内，添加相当于Ｔｅ单质质量的４０－６０％的络合剂及足量的还原剂； ３）将反应容器升温至９５－１１０℃的某一温度值，使水溶液保持沸腾，反应２４－４８ｈ后冷却到室温； ４）收集反应容器内的固体产物，离心分离、洗涤、烘干，得到Ｂｉ↓［２］Ｔｅ↓［３］纳米薄片。
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