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专利号:200810062572
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一种Bi*Te*纳米薄片的制备方法

本发明公开了一种制备Bi↓[2]Te↓[3]纳米薄片的方法。该方法采用低温湿化学合成工艺。将含Bi的化合物及Te单质按照最终产物化学成分所确定的比例混合于去离子水中。添加足量的还原剂及合适的络合剂,在95-110℃温度下,依靠沸腾进行搅拌,反应24-48h,离心分离、洗涤、烘干即可。其形貌为多边形纳米薄片。该方法工艺简单,无需添加碱性调节剂,得到的产物形态统一,其形貌为多边形纳米薄片,产物纯度高,有望提高Bi↓[2]Te↓[3]基热电材料的热电性能,并可广泛应用于物理、化学、微电子、材料等领域。

一种Bi*Te*纳米薄片的制备方法

一种Bi↓[2]Te↓[3]纳米薄片的制备方法,其步骤如下:    1)将含Bi元素的化合物及Te单质按照最终产物Bi↓[2]Te↓[3]的化学成分所确定的比例混合于去离子水中,去离子水的质量相当于Te单质质量的600-1000倍,充分搅拌混合;    2)将上述混合液置于反应容器内,添加相当于Te单质质量的40-60%的络合剂及足量的还原剂;    3)将反应容器升温至95-110℃的某一温度值,使水溶液保持沸腾,反应24-48h后冷却到室温;    4)收集反应容器内的固体产物,离心分离、洗涤、烘干,得到Bi↓[2]Te↓[3]纳米薄片。
 


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专利号: 200810062572
申请日: 2008年6月17日
公开/公告日: 2008年10月29日
授权公告日:
申请人/专利权人: 浙江大学
国家/省市: 杭州(86)
邮编: 310027
发明/设计人: 周丽娜、张孝彬、赵新兵、朱铁军
代理人: 韩介梅
专利代理机构: 浙江大学专利代理事务所(33200)
专利代理机构地址: 浙江省杭州市玉古路117号6楼浙江大学内(310013)
专利类型: 发明
公开号: 101293639
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 1
页数: 3
权利要求项数: 1
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