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专利号:200810082383
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电感电容压控振荡器及可调谐电容单元

本发明是关于一种电感电容压控振荡器及可调谐电容单元,可调谐电容单元包括接收调谐电压的调谐输入、源极和漏极耦接调谐输入的第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管、一端耦接第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管其中之一的对应栅极,另一端耦接对应的电路节点的第一阻隔电容与第二对阻隔电容、一端耦接第一偏压端与第二偏压端中对应偏压端,另一端耦接第一对积累型MOS变容管与第二对积累型MOS变容管其中之一的对应栅极的第一对偏压电阻与第二对偏压电阻。第一偏压端与第二偏压端分别接收彼此对称于预定电压的第一参考电压与第二参考电压。上述可调谐电容单元可使电感电容压控振荡器在宽广的频带内具有固定增益。

电感电容压控振荡器及可调谐电容单元

一种可调谐电容单元,耦接于一对电路节点之间,其特征在于,所述的可调谐电容单元包括:    调谐输入,用来接收调谐电压;    第一对积累型半导体金属氧化物变容管,其源极和漏极耦接至所述的调谐输入;    第一对阻隔电容,其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极,每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点;    第一对偏压电阻,其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第一对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极,每一偏压电阻的另一端耦接至第一偏压端,所述的第一偏压端接收第一参考电压;    第二对积累型半导体金属氧化物变容管,其源极和漏极耦接至所述的调谐输入;    第二对阻隔电容,其中每一阻隔电容的一端耦接至所述的第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极,每一阻隔电容的另一端耦接至一个对应的电路节点;以及    第二对偏压电阻,其中每一偏压电阻的一端耦接至所述的第二对积累型半导体金属氧化物变容管其中之一的对应栅极,每一偏压电阻的另一端耦接至第二偏压端,所述的第二偏压端接收第二参考电压,    其中,所述的第一参考电压与所述的第二参考电压彼此对称于预定电压。
 


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专利号: 200810082383
申请日: 2008年3月4日
公开/公告日: 2008年11月5日
授权公告日:
申请人/专利权人: 联发科技股份有限公司
国家/省市: 台湾(71)
邮编:
发明/设计人: 林哲煜、柯凌维、余岱原
代理人: 任默闻
专利代理机构: 北京三友专利代理有限责任公司(11127)
专利代理机构地址: 北京市北三环中路40号(100088)
专利类型: 发明
公开号: 101299592
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 美国2007年5月4日11/800,403
审批历史:
附图数: 14
页数: 10
权利要求项数: 5
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