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专利号:200810087868
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电介质陶瓷及其制造方法及层合陶瓷电容器

本发明提供一种能够降低成为鸣音原因的位移的电介质陶瓷及能够减少鸣音发生的层合陶瓷电容器。所述电介质陶瓷由用Ba-Ti-Zr-Re-Me-O↓[3](Re为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的至少1种金属元素,Me为选自Mg、Cr及Mn中的金属元素,Zr为任意成分)表示的固溶体和SiO↓[2]构成,其中,Ti∶Zr为100∶0~80∶20,Ti+Zr为100mol时,Ba为97mol~103mol,Re为2mol~18mol,Me为2mol~18mol,SiO↓[2]为0.5mol~10mol。

电介质陶瓷及其制造方法及层合陶瓷电容器

一种电介质陶瓷,所述电介质陶瓷由用Ba-Ti-Zr-Re-Me-O↓[3]表示的固溶体和SiO↓[2]构成,    其中,Re为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的至少1种金属元素,Me为选自Mg、Cr及Mn中的金属元素,Zr为任意成分,    其特征在于,    Ti∶Zr以换算成TiO↓[2]及换算成ZrO↓[2]的mol比计,为100∶0~75∶25,    Ti+Zr以换算成氧化物计为100mol时,    Ba以换算成BaO计,为97mol~103mol,    Re以换算成一分子中含有一原子金属元素的氧化物计,为2mol~18mol,    Me以换算成一分子中含有一原子金属元素的氧化物计,为2mol~18mol,    SiO↓[2]为0.5mol~10mol。
 


  
专利号: 200810087868
申请日: 2008年3月26日
公开/公告日: 2008年10月15日
授权公告日:
申请人/专利权人: 太阳诱电株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 上田周作、金田和巳、池见慎一郎
代理人: 杨宏军
专利代理机构: (11256)
专利代理机构地址: ()
专利类型: 发明
公开号: 101286376
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 日本2007年4月9日2007-102103
审批历史:
附图数: 1
页数: 16
权利要求项数: 2
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