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| 本发明涉及较高级硅烷的制备方法。本发明具体涉及一种制备二聚和／或三聚的硅化合物，特别是硅卤化物的方法。另外本发明的方法也适用于制备相应的锗化合物。此外，本发明也涉及一种实施该方法的装置以及所制得的硅化合物的用途。 |
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较高级硅烷的制备方法
制备通式（Ⅰａ）的二聚和／或三聚的硅化合物或通式（Ⅰｂ）的锗化合物的方法， ＊＊＊ 其中Ｒ１至Ｒ８表示氢和／或卤素，而所述卤素选自氯、溴和／或碘，并且Ｒ１至Ｒ８在式（Ⅰａ）或（Ⅰｂ）中表示相同或不同的基团，前提是基团Ｒ１至Ｒ８的至少一个是卤素，并且ｎ＝０或１，该方法中 ａ）使用通式（Ⅱａ）的硅化合物或通式（Ⅱｂ）的锗化合物， ＊＊＊ 其中的Ｒ９至Ｒ１２表示氢、有机基团和／或卤素，其中所述有机基团包括具有１至１８个碳原子的直链、支链和／或环状的烷基，具有２至８个碳原子的直链、支链和／或环状的链烯基，未取代或取代的芳基和／或相应的苄基，所述卤素选自氯、溴和／或碘，并且所述的基团Ｒ９至Ｒ１２在式（Ⅱａ）或（Ⅱｂ）中可以表示相同或不同的基团且ｎ＝１或２， －使式（Ⅱａ）的硅化合物在存在一种或多种通式（Ⅲａ）的化合物的条件下， （Ⅲａ） ＊＊＊ 或者使式（Ⅱｂ）的锗化合物在存在一种或多种通式（Ⅲｂ）的化合物的条件下， （Ⅲｂ） ＊＊＊ 暴露于非热等离子体， 其中Ｒ１３至Ｒ１６表示氢、有机基团和／或卤素，其中所述有机基团包括具有１至１８个碳原子的直链、支链和／或环状的烷基，具有２至８个碳原子的直链、支链和／或环状的链烯基，未取代或取代的芳基和／或相应的苄基，所述卤素选自氯、溴和／或碘，并且所述的基团Ｒ１３至Ｒ１６在式（Ⅲａ）或（Ⅲｂ）中可以表示相同或不同的基团且ｎ＝１或２，特别的前提是，所述通式（Ⅲａ）或（Ⅲｂ）的化合物是含氢的化合物， 和 ｂ）由所得的相中获得一种或多种纯净的通式（Ⅰａ）的硅化合物或者通式（Ⅰｂ）的锗化合物。
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