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专利号:200810096734
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烧结的功率半导体基片及其制造方法

本发明描述一种功率半导体基片,包括一绝缘的面状的基体、至少一个在至少一个主面上设置的层序列,其包括一薄的粘附连接层、一烧结金属层和一导电层。所属的方法具有以下主要的步骤:对面状的绝缘的基本的至少一个主面的至少一部分表面涂覆粘附连接层;将一由烧结金属和一溶剂制成的膏状层设置在粘附连接层的一部分表面上或整个表面上;将导电层设置在烧结金属层上;对功率半导体基片的导电层施加压力。

烧结的功率半导体基片及其制造方法

功率半导体基片(10),包括一绝缘的面状的基体(12)、至少一个在至少一个主面(120、122)上设置的层序列,所述层序列包括一薄的粘附连接层(20、22、24)、一烧结金属层(30、32、34)和一导电层(40、42、44)。
 


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专利号: 200810096734
申请日: 2008年5月9日
公开/公告日: 2008年11月12日
授权公告日:
申请人/专利权人: 塞米克朗电子有限及两合公司
国家/省市: 联邦德国(DE)
邮编:
发明/设计人: C·格布尔、H·布拉姆尔、U·赫尔曼
代理人: 沈英莹
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)
专利代理机构地址: 北京市阜成门外大街2号8层(100037)
专利类型: 发明
公开号: 101304017
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 联邦德国2007年5月12日102007022337.6
审批历史:
附图数: 1
页数: 4
权利要求项数: 2
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