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专利号:200810109584
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氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件

氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
 
　　
专利号: 200810109584
申请日: 2008年6月2日
公开/公告日: 2008年12月3日
授权公告日:
申请人/专利权人: NEC液晶技术株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 森茂、田边浩、田中淳
代理人: 陈平
专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司(11021)
专利代理机构地址: 北京市海淀区海淀路80号中科大厦16层(100080)
专利类型: 发明
公开号: 101315947
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 日本2007年6月1日2007-147405
审批历史:
附图数: 10
页数: 16
权利要求项数: 1
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专利分类:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
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