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| 一种存储器抗单粒子翻转的纠错检错方法，步骤为：（１）从ＣＰＵ接收Ｋ位信息数据；（２）生成与Ｋ位信息数据对应的Ｎ位校验数据Ａ；（３）将Ｋ位信息数据和Ｎ位校验数据Ａ存入存储器；（４）从存储器中读出所述Ｋ位信息数据，并采用步骤（２）方法重新生成与Ｋ位信息数据对应的Ｎ位校验数据Ｂ；（５）将校验数据Ａ和校验数据Ｂ进行异或运算，得到校正子；（６）通过校正子定位信息数据和校验数据Ａ中的错误，若产生一位或两位数据错误，则纠正数据错误并输出正确的数据；若产生三位或可检测的三位以上的数据错误，则提示产生不可纠正错误。该方法纠错能力强、操作简单，可对单粒子效应引起的存储器一位或两位错误进行有效纠检。 |
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一种存储器抗单粒子翻转的纠错检错方法
一种存储器抗单粒子翻转的纠错检错方法，其特征在于步骤如下： （１）从ＣＰＵ接收Ｋ位信息数据； （２）生成与所述Ｋ位信息数据对应的Ｎ位校验数据Ａ； （３）将所述Ｋ位信息数据和所述Ｎ位校验数据Ａ存入存储器； （４）从存储器中读出所述Ｋ位信息数据，并采用步骤（２）方法重新生成与所述Ｋ位信息数据对应的Ｎ位校验数据Ｂ； （５）将校验数据Ａ和校验数据Ｂ进行异或运算，得到校正子； （６）通过校正子定位信息数据和校验数据Ａ中的错误，若产生一位或两位数据错误，则纠正数据错误并输出正确的数据；若产生三位或可检测的三位以上的数据错误，则提示产生不可纠正错误。
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