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专利号:200810114882
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氨基二乙酸插层结构选择性红外吸收材料及其制备方法

本发明涉及一种氨基二乙酸插层结构选择性红外吸收材料,简写为IDAs-LDHs,其分子式为:(M↑[2+])↓[1-x](M↑[3+])↓[x](OH)↓[2](A↑[2-])↓[a](B↑[n-])↓[b]·mH↓[2]O。本发明还涉及该氨基二乙酸插层结构选择性红外吸收材料的制备方法,以水滑石LDHs为前体,采用离子交换法将氨基乙酸类有机物插入到LDHs层间,组装得到晶相结构良好、性能优异的IDAs-LDHs。该IDAs-LDHs材料对红外线各波段范围的吸收比LDHs前体增加45-79%以上,比滑石粉在7-25μm增加达20%,在10-14μm增加达到105%以上,具有优良的红外吸收能力,是一种良好的红外吸收材料。

氨基二乙酸插层结构选择性红外吸收材料及其制备方法

一种氨基二乙酸插层结构选择性红外吸收材料,简写为:IDAs-LDHs,其为超分子结构,晶体结构为类水滑石材料的晶体结构,其化学式为:    (M↑[2+])↓[1-x](M↑[3+])↓[x](OH)↓[2](A↑[2-])↓[a](B↑[n-])↓[b]·mH↓[2]O    其中M↑[2+]是Zn↑[2+]、Mg↑[2+]、Ni↑[2+]、Cu↑[2+]、Fe↑[2+]、Co↑[2+]、Ca↑[2+]、Mn↑[2+]中的任何一种或两种。M↑[3+]是Al↑[3+]、Fe↑[3+]、Cr↑[3+]、V↑[3+]、Co↑[3+]、Ga↑[3+]、Ti↑[3+]中的任何一种;    A代表氨基二乙酸类化合物,简写为IDAs,A是亚氨基二乙酸(IDA)、N-(2-乙基)亚氨基二乙酸(HIDA)、甲基亚氨二乙酸(MIDA)中的任何一种;    B↑[n-]为荷电量为n的无机阴离子,IDAs-LDHs化学式中B↑[n-]可以不存在或为CO↓[3]↑[2-]、NO↓[3]↑[-]、Cl↑[-]、Br↑[-]、I↑[-]、OH↑[-]、H↓[2]PO↓[4]↑[-]中的任何一种、二种或三种;    0.1<X<0.8;a、b分别为A↑[2-]和B↑[n-]的数量,2a+n×b=X;    m为结晶水数量,0.01<m<4。
 


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专利号: 200810114882
申请日: 2008年6月13日
公开/公告日: 2008年10月22日
授权公告日:
申请人/专利权人: 北京化工大学
国家/省市: 北京(11)
邮编: 100029
发明/设计人: 李殿卿、王丽静、徐向宇、林彦军
代理人: 何俊玲
专利代理机构: 北京工业大学专利代理事务所(11203)
专利代理机构地址: 北京市朝阳区平乐园100号(100022)
专利类型: 发明
公开号: 101289220
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 2
页数: 7
权利要求项数: 2
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