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| 本发明的目的是在具有强电介质电容器的半导体器件中，减小强电介质电容器的特性离散，且把该强电介质电容器的特性变动，即把时间的流驶所伴生的特性退化抑制为很小。本方案是：用具有以沿第１方向Ｄ１延伸并与该第１方向垂直的第２方向Ｄ２为宽度方向的平面形状的下部电极１１１ａ，在该下部电极１１１ａ上边被配置为相向的多个上部电极１１２ａ，和配置在该两电极间的强电介质层，构成强电介质电容器１１０ａ，且把该上部电极１１２ａ的平面形状做成为上述第１方向Ｄ１上的尺寸比上述第２方向上的尺寸小的形状。 |
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半导体器件
一种半导体器件，其特征是： 具备： 具有沿第１方向延伸且以与该第１方向垂直的第２方向为宽度方向的平面形状的第１电极； 被配置为与该第１电极相向、且具有上述第１方向上的尺寸和上述第２方向上的尺寸相等的平面形状、或者具有上述第１方向上的尺寸比上述第２方向上的尺寸短的平面形状的第２电极；以及 配置在上述第１电极与上述第２电极之间的强电介质层， 用上述第１、第２电极及该两电极间的强电介质层构成强电介质电容器。
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