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| 一种劈栅存储单元的制造方法，该存储单元包括源和漏扩散区（６和９）、浮置栅极绝缘膜（２）、浮置栅极（３）、控制栅极绝缘膜（４）、和控制栅极（１０），所述方法包括以下步骤：在半导体衬底（１）的选择区域上依次形成浮置栅极绝缘膜（２）和浮置栅极（３）；在浮置栅极（３）上和半导体衬底（１）的其余面积上形成控制栅极绝缘膜（４），控制栅极绝缘膜（４）具有与浮置栅极（３）的侧壁接触的侧壁部分；进行第一杂质的离子注入，在半导体衬底（１）的其余面积的第一部分上形成源扩散区（６）；形成与控制栅极绝缘膜（４）的侧壁部分接触的侧壁电极（８）；进行第二杂质的离子注入，在半导体衬底（１）的其余面积的第二部分上，形成与侧壁电极（８）自对准的漏扩散区（９）；和在控制栅极绝缘膜（４）和侧壁电极（８）上形成控制栅极（１０）。 |
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劈栅闪速存储单元的制造方法
一种劈栅存储单元的制造方法，该存储单元包括源和漏扩散区（６和９）、浮置栅极绝缘膜（２）、浮置栅极（３）、控制栅极绝缘膜（４）、和控制栅极（１０），所述方法包括： 第一步骤，在半导体衬底（１）的选择区域上依次形成所述浮置栅极绝缘膜（２）和所述浮置栅极（３）； 第二步骤，在所述浮置栅极（３）上和所述半导体衬底（１）的其余面积上形成控制栅极绝缘膜（４），所述控制栅极绝缘膜（４）具有与所述浮置栅极（３）的侧壁接触的侧壁部分； 第三步骤，进行第一杂质的离子注入，在半导体衬底（１）的所述其余面积的第一部分上形成所述源扩散区（６）； 第四步骤，形成与控制栅极绝缘膜（４）的所述侧壁部分接触的侧壁电极（８）； 第五步骤，进行第二杂质的离子注入，在半导体衬底（１）的所述其余面积的第二部分上，形成与所述侧壁电极（８）自对准的所述漏扩散区（９）；和 第六步骤，在所述控制栅极绝缘膜（４）和所述侧壁电极（８）上形成所述控制栅极（１０）。
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