| 规 格：5CC |
型 号：2010s |
数 量： |
| 品 牌：金泰诺 |
包 装：针筒 |
价 格：面议 |
例名称：国产EPO-TEK H20E芯片封装电路组装用导电银胶 应用领域: 芯片封装、电子及PCB电路组装、光电封装等要求导电导热场景，可替代进口EPO-TEK H20E 要求： 银胶无溶剂，固含，具有低收缩性并具有耐高温性，短时间可耐300℃高温。除此之外，还具有高导热、高可靠性等特点 应用点图片： 
解决方案：国产2010S单组份导电银胶 2010S是一款以高纯银粉为导电介质的单组份环氧树脂银胶，该导电银胶无溶剂，固含，因此具有低收缩性并具有耐高温性，短时间可耐300℃高温。除此之外，还具有高导热、高可靠性等特点，可应用于芯片封装、电子及PCB电路组装、光电封装等。 特点 · 单组分 · 高耐温性能，可长期服务于200℃ · 固含，无溶剂 · 适用期达到65h · 优异的粘接性能 · 低吸湿性，高可靠性 · 导电性能 属性 测量值 | 测试方法 | 外观 | 银灰色浆液 | / | 导电填料 | 银 | / | 粘度(25℃,mPa · s) | 17000 | Brookfield,DV2T, 5rpm | 比重 | 3.2 | 比重瓶 | 触变指数 | 5.0 | 0.5rpm/5rpm | 体积电阻率(Ω · cm) | 0.0002 | 四探针法 | 剪切推力， Kg, 25℃ | 14.0 | DAGE,(2×2mm, Ag/Au LF) | 剪切推力， Kg, 260℃ | 2.0 | DAGE,(2×2 mm, Ag/Au LF) | 玻璃转变温度(℃) | 101 | DMA | 线性膨胀系数， ppm/℃ | α1:36 α2:175 | TMA | 储能模量，MPa, 25℃ | 5200 | DMA | 导热系数，W/m-k | 3.2 | Laser Flash | 吸水率，% | 0.4 | 85℃,85%RH |
热分解温度 420℃(TGA 测试，N₂ 气氛) 热失重 @200℃: 0.5 wt% @250℃: 0.9 wt% @300℃: 1.8 wt% 离子含量 CI": 75 ppm Na*: NG K: NG NH4*: 95 ppm 固化条件 1h@150℃ 低可替代固化条件(不能达到佳性能) 45 s@175℃ 5 min @150℃ 15 min @120℃ 使用说明 适用工艺 工作时间窗口 回温 脱泡 | 点胶 60 h@25℃; 室温下自然回温1h 建议回温后进行脱泡处理 |
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