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501
薄膜天线及其制造方法　[申请号/专利号：200410102914]
申请人/专利权人：天迈企业股份有限公司、曾宪伟
本发明公开了一种薄膜天线制造方法，特别是关于一种利用薄膜沉积方法于介电基板上形成一具有微带线天线图案的导电金属镀膜的平面天线制造方法。也就是说，本发明是利用薄膜沉积方法...
2006年7月5日
502
用于溅射的非结合可旋转靶　[申请号/专利号：200410102101]
申请人/专利权人：应用膜公司
本发明涉及一种用于溅射的可旋转靶。所述靶包括具有外表面的靶衬管；与所述靶衬管的外表面接触的衬层，所述衬层为可导电的但不导热的；和多个围绕所述靶衬管布置、并与所述衬层接触...
2006年4月5日
503
平板显示器用Ag基合金配线电极膜、Ag基合金溅射靶　[申请号/专利号：200410100020]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所
本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的ＦＰＤ用Ａｇ基合金配线电极膜、以及用于形成该Ａｇ基合金配线电极膜的ＦＰＤ用Ａｇ基合金溅射靶、以及具备该Ａｇ基合金配线电极膜的ＦＰＤ...
2005年6月8日
504
溅射靶的控制冷却　[申请号/专利号：200410096360]
申请人/专利权人：黑罗伊斯有限公司
一种用于制造溅射靶的方法，其中通过产生溅射表面和正对溅射表面的背表面有选择地控制冷却速率。背表面包括至少第一纹理区。第一纹理区通过有效实现热散逸有助于冷却接近第一纹理区...
2005年11月2日
505
溅射靶及光信息记录介质及其制造方法　[申请号/专利号：200410096242]
申请人/专利权人：日矿金属株式会社
本发明涉及溅射靶及光信息记录介质用薄膜（特别是作为保护膜使用）及其制造方法，采用含ＳｉＯ↓［２］系氧化物的材料，且邻接的反射层、记录层不易发生劣化，而且能密合性良好地高...
2005年6月1日
506
类金刚石薄膜镀膜方法　[申请号/专利号：200410091839]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明是一种类金刚石薄膜镀膜方法，其包括以下步骤：提供一底材；将该底材清洗后放入真空腔内；将真空腔抽真空，然后通入氩气，对底材进行等离子清洗；以钛为靶材，于底材表面镀一...
2006年7月5日
507
金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法　[申请号/专利号：200410090057]
申请人/专利权人：住友金属矿山株式会社
本发明提供一种具有比Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｓｉ系合金更优良的高温稳定性，并且电阻温度系数几乎为０的金属电阻材料。采用含有Ａｌ：１．０～１５．０重量％、稀土类元素：０．０１～...
2005年5月11日
508
提高CoSi*薄膜热稳定性的方法　[申请号/专利号：200410089294]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种提高ＣｏＳｉ↓［２］薄膜热稳定性的方法，用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有ＣｏＳｉ↓［２］成分的非晶薄膜，并且通过共溅射在薄膜中添加元素Ｚｒ，利用Ｚｒ不...
2005年5月18日
509
镀膜治具遮罩及其镀膜设备　[申请号/专利号：200410088449]
申请人/专利权人：精碟科技股份有限公司
本发明是关于一种镀膜治具遮罩及其镀膜设备。该镀膜治具遮罩，用于遮盖设于镀膜设备中的一镀膜治具，镀膜治具挟持至少一基板以进行镀膜制程，并形成至少一镀膜层于基板上，镀膜治具...
2006年5月3日
510
具有改进表面结构的溅射靶材　[申请号/专利号：200410083416]
申请人/专利权人：黑罗伊斯有限公司
通过将溅射靶材的非溅射区域在宏观上进行粗糙化从而减少溅射重沉积物的影响。宏观上的粗糙化是通过在溅射靶材的非溅射区域中形成宏观槽形图案而获得。很多图案都可以用作槽形图案。...
2005年8月3日
511
薄膜沉积装置　[申请号/专利号：200410079478]
申请人/专利权人：安内华株式会社
本申请公开了一种薄膜沉积装置，包括一个真空室和一个将真空室内部分隔为两部分的隔板。基底可以通过隔板上的内部开口。内部开口由阀门关闭。薄膜在第一区域沉积到基底上。在沉积之...
2005年4月6日
512
高纯金属Mo粗粉与由其制得的烧结溅射靶　[申请号/专利号：200410078919]
申请人/专利权人：日本新金属株式会社
提供一种供形成具有极少颗粒产生的高纯金属Ｍｏ薄膜的烧结溅射靶以及一种适用于作为原料粉制得这种靶的高纯金属Ｍｏ粗粉。通过烧结经由进行ＨＩＰ处理的该高纯金属Ｍｏ粗粉，便得到...
2005年4月20日
513
钛铝合金的抗氧化处理方法　[申请号/专利号：200410077647]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种钛铝合金的抗氧化处理方法，依次包括以下步骤：提供一具有待处理的钛铝合金表面的物体，在该钛铝合金表面形成一铝薄膜；对该钛铝合金表面进行扩散处理以在其表面形成...
2006年6月21日
514
溅射成膜装置　[申请号/专利号：200410076691]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种溅射成膜装置，其包括：配置于真空容器（３０）的内部的一对靶（３１）；与这一对靶（３１）大致垂直，并配置于离开一对靶（３１）构成的空间的位置上的基板托架（３３）；在该...
2005年4月13日
515
用于反应溅射的设备　[申请号/专利号：200410074970]
申请人/专利权人：应用薄膜有限公司
本发明涉及一种用于反应溅射的设备，其中对阴极施加等离子体的放电电压，将工作气体和反应气体引入溅射室内。利用阀门控制流入溅射室的总气流，同时使这两种气体的部分压力比值保持...
2005年9月28日
516
无机取向膜及其形成方法、电子器件用基板、液晶面板　[申请号/专利号：200410074939]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供一种耐光性优异、并且能够使之发生预倾斜角的无机取向膜，配备有这种无机取向膜的电子器件用基板、液晶面板及电子设备，以及形成这种无机取向膜的形成方法。本发明的无机...
2005年3月9日
517
对橡胶表面金属化的方法及其结构　[申请号/专利号：200410073884]
申请人/专利权人：宣得股份有限公司
一种对橡胶表面金属化的方法，在橡胶表面涂布一聚胺酯层。此聚胺酯（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）层经烘烤后，再镀上一金属层。金属层藉由蒸镀、溅镀、化学镀、电镀或物理气相沉积的...
2006年3月15日
518
溅射装置及形成薄膜的方法　[申请号/专利号：200410069717]
申请人/专利权人：株式会社新柯隆
本发明提供可以简单易行地制作具有所需膜厚分布的薄膜的溅射装置。该溅射装置中，在靶２９ａ、２９ｂ和基板Ｓ之间设有膜厚修正板３５和遮蔽板３６。在与靶２９ａ、２９ｂ和基板夹具...
2005年9月21日
519
一种可提高巨磁电阻效应的自旋阀制备方法　[申请号/专利号：200410067585]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属磁电子学和磁记录技术领域，具体为一种制备自旋阀的新方法。不同于传统的连续生长，首先在衬底上生长一层Ｔａ缓冲层，然后停止溅射，约一段时间之后，继续溅射铁磁／Ｃｕ／...
2005年4月6日
520
用于包含若干腔的涂覆设备的能量和介质的连接装置　[申请号/专利号：200410063722]
申请人/专利权人：应用薄膜有限公司
本发明涉及用于涂覆设备的能量和介质连接组件。所述组件用于供给冷却水、压缩空气、加工气体、信号、控制和阴极能量。它可以沿着涂覆线路由一个人在短时间内从一个涂覆腔移动到另一...
2005年8月17日
521
制备不透气层的设备和方法　[申请号/专利号：200410061544]
申请人/专利权人：应用薄膜有限公司
本发明涉及制备不透气层的设备和方法，特别涉及制备不透气合成材料基材涂层的设备和方法。使用所述设备或所述方法，仅用一种溅射设备即可制备可透光的以及不可透光的气体阻挡层。并...
2006年2月8日
522
紫外线截止镀膜玻璃及其制备方法　[申请号/专利号：200410061019]
申请人/专利权人：武汉理工大学
本发明涉及一种在玻璃基板上镀制具有紫外线截止功能膜层的玻璃及其制备方法。紫外线截止镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征是：玻璃基片上镀有氧化钛－氧化铈膜层。紫外线截止镀膜玻璃...
2005年4月6日
523
相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200410060770]
申请人/专利权人：华中科技大学
本发明提供了一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法，包括：在硅片上沉积氧化硅薄膜、氮化硅薄膜；采用离子束反应溅射法沉积氧化钒薄膜，工艺条件为：背底真空４×１０↑［－４］...
2005年3月23日
524
热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法　[申请号/专利号：200410058984]
申请人/专利权人：胜华科技股份有限公司
一种热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，是于一基板表面上溅镀一氧化物介电层，接著，对该氧化物介电层表面施以含氧的离子束处理，以获得稳定且致密的氧化物介电层，如此，可避免堆...
2006年2月1日
525
用于平板基材的镀膜装置　[申请号/专利号：200410054696]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种用于平板基材的镀膜装置包括：腔体；设在该腔体内的转盘；布设在该转盘周围的多个架体，且每一个架体的各表面均固定有至少一个平板基材；用于驱动该转盘与该架体分别转动的驱动...
2006年2月1日
526
银合金材料、电路基板、电子装置及电路基板的制造方法　[申请号/专利号：200410054483]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明的电路基板使用以银作为主要成分，至少含有从锡、锌、铅、铋、铟和镓中选择的一种以上元素的银合金材料，作为构成栅极布线和栅电极的材料。在栅极布线或栅电极中特别优选使用...
2005年2月9日
527
Ti-Al-O-N硬质复合涂层及其制备方法　[申请号/专利号：200410053491]
申请人/专利权人：上海工具厂有限公司、上海交通大学
一种Ｔｉ－Ａｌ－Ｏ－Ｎ硬质复合涂层及其制备方法，用于陶瓷涂层领域。涂层成分范围为１８～３６ａｔ％Ｔｉ，１７～３２ａｔ％Ａｌ，４～２４ａｔ％Ｏ，２７～４１ａｔ％Ｎ，涂层以...
2005年3月2日
528
TiN/SiO*纳米多层膜及其制备方法　[申请号/专利号：200410053490]
申请人/专利权人：上海交通大学、上海工具厂有限公司
一种ＴｉＮ／ＳｉＯ↓［２］超硬纳米多层膜及其制备工艺，属于陶瓷薄膜领域。ＴｉＮ／ＳｉＯ↓［２］高硬度纳米多层膜由ＴｉＮ层和ＳｉＯ↓［２］层交替沉积在金属或陶瓷基底上形成...
2005年3月2日
529
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法　[申请号/专利号：200410053351]
申请人/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
本发明涉及一种氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在ＧａＮ膜的ＨＶＰＥ制备过程中采用了低温ＡｌＮ插入层的结构。在ＨＶＰＥ制备ＧａＮ膜的...
2005年3月2日
530
溅射金刚石靶材及其制造方法　[申请号/专利号：200410050877]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明是一种溅射金刚石靶材，其包括基材、焊料层及工业金刚石层，其中工业金刚石层与焊料层之间形成一扩散层，该扩散层将工业金刚石层与焊料层紧密联结。该溅射金刚石靶材制作方法...
2006年1月25日
531
一种以真空溅镀法制作多层陶瓷电容器的方法　[申请号/专利号：200410049785]
申请人/专利权人：王蕾雅
一种以真空溅镀法制作介电陶瓷层及内部电极层的多层陶瓷电容器制法，其介电陶瓷层及内部电极层以真空溅镀方式制作，使多层陶瓷电容器组件制作致密性极佳且厚度介于１～５μｍ的介电...
2006年1月4日
532
氢空气燃料电池催化膜制作方法　[申请号/专利号：200410046645]
申请人/专利权人：长沙丰日电气集团有限公司
本发明公开了一种氢空气燃料电池催化膜制作方法，在极限真空度小于８×１０↑［－４］Ｐａ的高真空电场中，以碳纸为正极靶材，以铂条为负极电子枪，用加热线圈为铂条加热软化，铂条...
2005年3月23日
533
Ag-Bi基合金溅射靶及其制备方法　[申请号/专利号：200410044707]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所、株式会社钢臂功科研
一种Ａｇ－Ｂｉ基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Ｂｉ强度为０．０１原子％↑［－１］或以下，其是根据下式，基于Ｘ－射线衍射的分析结果计算出来的。...
2004年12月1日
534
金属--陶瓷复合材料制造方法　[申请号/专利号：200410041764]
申请人/专利权人：胡学儒
本发明是利用高密度、高能量、强辉光离子，完成向金属材料中渗入陶瓷的复合材料制造技术。本发明的原理是利用低气压辉光放电及溅射原理，首先在碳钢、合金钢或铜、铜合金、镍、镍合...
2006年3月1日
535
用于操作直列式涂敷装备的方法　[申请号/专利号：200410036937]
申请人/专利权人：应用薄膜有限公司
本发明涉及用于操作直列式涂敷结构的方法，该结构包括２ｎ＋１个室，其中ｎ为整数，并且其优选值为２。因此，在该装置的两个室之间至少有一个门可以被打开和关闭两次，也有可能涂敷...
2005年8月24日
536
玻璃光学元件的制造方法　[申请号/专利号：200410035296]
申请人/专利权人：HOYA株式会社
本发明提供玻璃元件的制造方法，其含有在加热软化的状态下对预先成形的、表面上有碳膜或自组织化膜的玻璃坯料实施压制成形而复制该成形模具的成形面的工序。所述碳膜或自组织化膜的...
2004年12月8日
537
溅射法在硅基片上制备高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备方法　[申请号/专利号：200410033686]
申请人/专利权人：北京航空航天大学
本发明公开了一种高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备该膜的方法，它是在（１１１）取向硅单晶基片表面上依次溅射沉积钽１～４ｎｍ、镍铁１～４ｎｍ、铜１～３ｎｍ、钴１～４ｎｍ材料...
2005年1月12日
538
具有表面抗菌膜的卫浴产品的制作方法及其制品　[申请号/专利号：200410033531]
申请人/专利权人：成霖企业股份有限公司
本发明提供一种具有表面抗菌膜的卫浴产品的的制作方法及其制品，该制作方法包含以下步骤：（Ａ）放置一卫浴本体于一具有反应气体的反应腔体中，该反应气体是选自于氮气、甲烷、乙炔...
2005年10月12日
539
等离子体处理装置和高频电力供给装置　[申请号/专利号：200410030234]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社、新电元工业株式会社
本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第１电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有ＶＨＦ带...
2004年10月20日
540
模造玻璃的模仁及其制造方法　[申请号/专利号：200410028185]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明是关于一种模造玻璃的模仁及其制造方法，该模仁包括底材及离形膜，该离形膜位于该底材上，该离形膜的材料为碳化钨、碳、碳化钨与碳化合物、立方氮化硼、碳氮化硼、碳化硅、氮...
2006年1月18日
541
一种TiOxNy太阳能光热转换薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200410028010]
申请人/专利权人：广州粤海真空技术有限公司、中国科学院广州能源研究所
一种ＴｉＯｘＮｙ高效太阳能光热转换薄膜的制备方法，包括以下步骤：（１）清洗处理镀膜基片；（２）开真空镀膜室，在样品转架上放置镀膜基片；（３）烘烤真空镀膜室并开启相应泵体...
2005年3月16日
542
镁合金表面处理方法及其制品　[申请号/专利号：200410027756]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
一种镁合金表面处理方法及其制品，主要是在一镁合金件表面先镀上一钛薄膜中间层，然后通过该钛薄膜中间层将氮化钛稳固地镀在镁合金表面上，而使所得的镁合金制品具有镁合金及氮化钛...
2005年12月28日
543
一种纳米结的制备方法　[申请号/专利号：200410022261]
申请人/专利权人：电子科技大学
本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过ＲＦ（射频）溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成分的纳米结；按照...
2005年10月12日
544
一种透射电镜用薄膜样品的制备方法　[申请号/专利号：200410021024]
申请人/专利权人：中国科学院金属研究所
本发明提供一种透射电镜用薄膜样品的制备方法，其特征在于：采用磁控溅射镀膜方法，镀膜的衬料是铜网。本发明提供的透射电镜用薄膜样品的制备方法的优点在于：简化了电镜薄膜样品的...
2005年7月20日
545
太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法　[申请号/专利号：200410020802]
申请人/专利权人：朱德永
一种太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法，为将基体放置在真空溅射室内，以金属或硅为靶材，使吸收层溅射靶溅射出金属或硅，在真空溅射室内通入反应气体，使金属或硅及其与反应气体生...
2005年3月16日
546
基于复合电介层的双银低辐射镀膜玻璃　[申请号/专利号：200410018113]
申请人/专利权人：上海耀皮工程玻璃有限公司、上海耀华皮尔金顿玻璃股份有限公司
本发明自玻璃基板向外依次为：玻璃／电介质层（１）／银层（１）／保护层（１）／复合电介质层（１）／银层（２）／保护层（２）／电介质层（２）；其中：电介质层（１）为ＳｎＯ↓...
2005年1月26日
547
一种疏水和防紫外线辐射透明薄膜及其制备　[申请号/专利号：200410013397]
申请人/专利权人：武汉理工大学
本发明涉及一种氮掺杂二氧化钛疏水和防紫外线薄膜及其制备。其特征在于氮元素以取代和间隙的形式存在于二氧化钛的晶格当中，其中还有一部分Ｔｉ以Ｔｉ＃＋［３＋］离子的形式存在。...
2005年3月16日
548
导电性片材、采用其的制品及其制造方法　[申请号/专利号：200410011973]
申请人/专利权人：FCM株式会社
本发明涉及一种导电性片材（１），是在绝缘性基体（２）的表面的至少一部分上形成有金属层（３）的导电性片材（１），其特征在于，上述绝缘性基体（２）是长１～１００００ｍ的长带...
2005年4月13日
549
在基片上生成光滑铟锡氧化物层的方法及一种基片铟锡氧化物覆层　[申请号/专利号：200410059420]
申请人/专利权人：应用薄膜有限责任与两合公司
在一种在基片上生成ＩＴＯ层的方法中，特别用于制造有机发光二极管，首先通过溅射沉积涂敷部分的ＩＴＯ层厚度，控制温度变化分布以阻止了结晶核的形成；随后，将部分覆层的基片加热...
2005年2月2日
550
真空立式行星夹具转动装置　[申请号/专利号：200410009114]
申请人/专利权人：中国科学院光电技术研究所
一种能够改善真空镀膜厚度均匀性的真空立式行星夹具转动装置，它是电机直接通过磁流体传动，带动行星夹具在竖直平面转动的。承重、定位轴承设计在磁流体的双层水冷壳体内，防止了轴...
2005年11月30日
 

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