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551
镀膜装置及其夹具　[申请号/专利号：200410007620]
申请人/专利权人：台达电子工业股份有限公司
一种镀膜装置，包括载具及夹具。夹具设于载具周缘且可用以装载待镀物，且夹具与载具是经由勾扣结构而相互连接。夹具是由载体、定位部及夹持部所构成。定位部的一侧面连接于载体的承...
2005年8月31日
552
一种制备三元高K栅介质材料的方法　[申请号/专利号：200410009860]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明涉及制备高Ｋ栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高Ｋ材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高Ｋ薄膜材料。包括步骤：ａ）选择硅（...
2006年5月31日
553
一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200410009805]
申请人/专利权人：北京科技大学
一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的Ｎｉ↓［ｘ］...
2005年6月29日
554
金属产品制造法及其产品　[申请号/专利号：200410006663]
申请人/专利权人：闳晖实业股份有限公司
本发明涉及一种金属产品制造法及其产品。其包含一种崭新的金属表面处理方法及用该法做出的产品，尤其针对镁合金及镁铝合金之类软质难加工的金属，本发明是控制借由真空溅镀薄膜披覆...
2005年8月31日
555
接触角可调的Ag/TiO*复合薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200410000727]
申请人/专利权人：清华大学
接触角可调的Ａｇ／ＴｉＯ↓［２］复合薄膜及其制备方法，涉及半导体光生亲水性能技术领域。其特征是，该薄膜是一种在二氧化钛薄膜表面沉积有纳米尺度的银颗粒的复合薄膜。该薄膜的...
2004年12月29日
556
钼基溅射高压极板及制备方法　[申请号/专利号：03133412]
申请人/专利权人：东软飞利浦医疗设备系统有限责任公司
一种钼基溅射高压极板及制备方法，该高压极板以钼板为基，在其两面覆有溅射的钽金属层，在其一端焊有接地极，其方法包括：对钼片精轧，钼基板采用模具冲压成型，用化学试剂对钼基板...
2004年4月14日
557
光触媒玻璃之制造方法　[申请号/专利号：03132335]
申请人/专利权人：台玻长江玻璃有限公司
本发明公开了一种光触媒玻璃之制造方法，为了克服现在所生产的所谓自洁玻璃之多样化生产存在灵活度不佳的缺点，从而增加库存压力且难以依据不同业主及建筑师的期望而调整生产条件。...
2005年2月16日
558
Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶　[申请号/专利号：03127461]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所
本发明涉及Ａｇ合金膜，尤其适合用于光信息记录介质领域中具有高导热系数、高反射率、高耐久性的光信息记录介质用反射膜和半透过反射膜、耐Ａｇ凝集性优异的电磁波屏蔽用膜、反射型...
2004年3月24日
559
金色陶瓷制品的制作方法　[申请号/专利号：03126756]
申请人/专利权人：佛山市兴龙陶瓷有限公司
本发明涉及一种金色陶瓷制品的制作方法。该方法的步骤包括：陶瓷表面清洁、烘箱干燥、抽真空、直流溅射钛底层、多弧镀钛过渡层、多弧镀氮化钛。采用该方法制作金色陶瓷制品，成本大...
2003年12月10日
560
溅镀装置及其使用此装置的金属层/金属化合物层的制造方法　[申请号/专利号：03123734]
申请人/专利权人：力晶半导体股份有限公司
本发明是关于一种溅镀装置及其使用此装置的金属层／金属化合物层的制造方法。本发明溅镀装置包括：反应室；阴极设于反应室顶部；电源供应装置连接阴极；金属靶设于阴极上；晶圆承载...
2004年11月24日
561
透明导电性薄膜及其制造方法和制造用烧结体靶及透明导电性基体材料或有机电发光元件　[申请号/专利号：03121240]
申请人/专利权人：住友金属矿山株式会社
本发明提供透明导电性薄膜、具有该透明导电性薄膜的显示屏用透明导电性基体材料及发光特性优良的有机电发光元件。透明导电性薄膜，通过使用烧结体靶的溅射喷镀等可以容易地形成，不...
2003年10月8日
562
铟锡氧化物靶材的制备方法　[申请号/专利号：03118371]
申请人/专利权人：株洲冶炼集团有限责任公司
本发明涉及一种铟锡氧化物靶材的制备方法，包括铟锡混合盐溶液的制备、溶液的均相共沉淀、沉淀物的煅烧、氧化物脱氧、冷等静压、热等静压等步骤，其特征在于：所述的均相共沉淀的添...
2003年11月5日
563
钛酸锶钡陶瓷靶的制备方法　[申请号/专利号：03116802]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种钛酸锶钡陶瓷靶的制备方法属于材料领域。方法如下：先将四氯化钛、氯化锶、氯化钡分别配制成水溶液；将上述水溶液加入草酸水溶液中进行合成反应，控制ｐＨ值得到白色草酸氧钛酸...
2003年10月15日
564
高光电导增益氮化碳薄膜制备方法　[申请号/专利号：03116464]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为２～...
2003年9月24日
565
一种p-ZnO薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：03116007]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的ｐ－ＺｎＯ薄膜是以Ｎ为受主掺杂源，以Ａｌ为施主掺杂源共掺杂的ｐ－ＺｎＯ薄膜，掺杂浓度为１．８×１０＃＋［１５］ｃｍ＃＋［－３］－４．５＊１０＃＋［１８］ｃｍ＃＋...
2003年9月3日
566
电池极板的制造方法　[申请号/专利号：03113964]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
一种电池极板的制造方法，是采用溅射工艺在电池极板基体上沉积一层活性物质连续膜，该溅射过程主要包括以下步骤：制备活性物质靶材及待溅镀的电池极板的基体，并将该靶材及基体以一...
2004年9月22日
567
真空多弧溅射五层结构信号极板及方法　[申请号/专利号：03111591]
申请人/专利权人：东软飞利浦医疗设备系统有限责任公司
一种真空多弧溅射五层结构信号极板及方法，该五层结构信号极板由钼基板的两面涂覆高阻绝缘胶层，绝缘胶层的外面通过真空多弧溅射方法覆着黄铜阳极金属导电层构成，极板总厚度为０．...
2004年7月21日
568
Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材　[申请号/专利号：03107912]
申请人/专利权人：日立金属株式会社
本发明公开了作为电子器件用的薄膜使用的Ａｇ合金膜的组成、以及通过溅射法用于制造的靶材。Ａｇ合金膜，实质上由选自Ｓｍ、Ｄｙ以及Ｔｂ的任意一种元素：０．１～０．５原子％；选...
2003年10月8日
569
溅射靶材　[申请号/专利号：03107733]
申请人/专利权人：田中贵金属工业株式会社
本发明是由贵金属构成的溅射靶材，其特征在于，具有相对于溅射面沿法线方向生长的柱状结晶组织，本发明解决了具有该特征的溅射靶材的问题。本发明不产生由熔解铸造法或粉末冶金法得...
2004年10月6日
570
一种应变计基材及其制造方法　[申请号/专利号：03106907]
申请人/专利权人：黄堂杰
涉及一种应变计基材及其制造方法，特别是指一种使用在传感器上的应变计基材及其制造方法。为两层结构，一层为高分子薄膜层，及接合在高分子薄膜层一侧表面的康铜附着层，所说的康铜...
2003年8月6日
571
表面处理装置　[申请号/专利号：03105242]
申请人/专利权人：安内华株式会社
本发明提供一种表面处理装置，实现可有效地对需要温度控制的部分进行冷却或加热、并在所需的温度下均匀地进行控制的热交换器，由此可连续地进行稳定的处理。在具有排气机构和气体导...
2003年9月10日
572
溅射靶及其制造方法　[申请号/专利号：03104948]
申请人/专利权人：东曹株式会社
本发明提供一种溅射靶，该溅射靶在溅射中没有裂纹或开口，不发生异常放电，而且能够稳定地进行溅射，并能够以高的生产率得到记录再现性能优异的相变化光记录媒体。由一种以上选自氧...
2003年9月10日
573
光学薄膜厚度控制方法及装置,绝缘多层薄膜及制造装置　[申请号/专利号：200710112145]
申请人/专利权人：爱发科股份有限公司
为提供一种以高精确性控制诸如光学薄膜之类的绝缘多层薄膜的薄膜厚度的方法，可以基于同一方法控制薄膜厚度的光学薄膜厚度控制装置和绝缘多层薄膜制造装置，和使用该控制装置或制造...
2007年11月28日
574
光学薄膜厚度控制方法及装置,绝缘多层薄膜及制造装置　[申请号/专利号：200710112144]
申请人/专利权人：爱发科股份有限公司
为提供一种以高精确性控制诸如光学薄膜之类的绝缘多层薄膜的薄膜厚度的方法，可以基于同一方法控制薄膜厚度的光学薄膜厚度控制装置和绝缘多层薄膜制造装置，和使用该控制装置或制造...
2007年11月28日
575
溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机EL元件及其所用的衬底　[申请号/专利号：200610088618]
申请人/专利权人：出光兴产株式会社
作成一种烧结体，其含有作为成分的氧化铟、氧化锌、氧化锡的１种以上，在该烧结体中含有氧化铪、氧化钽、镧系氧化物、及氧化铋的任１种以上的金属。在该烧结体上安装背板构成溅射靶...
2006年11月29日
576
溅射靶　[申请号/专利号：200510138116]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所
一种由铝合金构成的溅射靶，其中：作为合金成分，包含０．１～６原子％的从由Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ构成的一组中选择的至少一种，并且包含０．１～６原子％的从由Ｎｄ、Ｙ、Ｆｅ、...
2006年7月19日
577
Ge-Cr合金溅射靶及其制造方法　[申请号/专利号：200380109312]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
本发明得到一种Ｇｅ－Ｃｒ合金溅射靶及其制造方法。Ｇｅ－Ｃｒ合金溅射靶的特征在于，在含有Ｃｒ５～５０ａｔ％的Ｇｅ－Ｃｒ合金溅射靶中，其相对密度为９５％以上；Ｇｅ－Ｃｒ合金...
2006年3月8日
578
镍合金溅射靶　[申请号/专利号：200380108508]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
一种镍合金溅射靶，其特征在于，镍中含有０．５～１０ａｔ％钽，并且除气体成分以外的不可避免的杂质在１００重量ｐｐｍ以下。本发明提供一种镍合金溅射靶及其制造技术，能够形成热...
2006年2月15日
579
用于加强冷却并降低挠曲和变形的靶设计及相关方法　[申请号/专利号：200380107578]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本文描述了溅射靶，其含有：ａ）包含靶材料的靶表面元件；ｂ）具有耦合表面和支撑表面的中心支撑元件，其中耦合表面耦合到靶表面元件上；ｃ）至少一个表面面积特征耦合到或位于中心...
2006年3月22日
580
对具有涂层的处理腔组件进行清洁的方法　[申请号/专利号：200380106546]
申请人/专利权人：应用材料有限公司
在一种清洁和修整一个具有金属涂层的处理腔组件的方法中，其中金属涂层上具有一个表面，所述金属涂层的表面被浸入一种酸性溶液中，以从所述表面除去至少一部分的处理沉积物。此后，...
2006年1月25日
581
多边滚筒溅射装置及其溅射方法、由其形成的被覆微粒子　[申请号/专利号：200380105432]
申请人/专利权人：友技科株式会社、阿部孝之
本发明提供一种用于在微粒子的表面上被覆粒径比该微粒子小的超微粒子或者薄膜的多边滚筒溅射装置、多边滚筒溅射方法及由其形成的被覆微粒子、微型胶囊及其制造方法。本发明的多边滚...
2006年1月18日
582
半导体用合金材料、使用该合金材料的半导体芯片及其制备方法　[申请号/专利号：200380104281]
申请人/专利权人：夏普株式会社、田中贵金属工业株式会社
本发明提供一种半导体用合金材料，其由作为主要组分的Ａｕ和不少于３ｗｔ％且不多于４０ｗｔ％的Ａｇ构成。...
2006年1月4日
583
N个用电设备中有M个用电设备被同时供电的结构配置　[申请号/专利号：200380102940]
申请人/专利权人：应用材料有限公司
本发明涉及多个用电设备的结构配置，这些用电设备具有相同或不同的电功率。由于通常并不是所有用电设备都被同时供电，例如一些用电设备由于维护工作而不运行，因此便提供一种模块式...
2005年12月21日
584
光记录介质的反射膜用的银合金　[申请号/专利号：200380100206]
申请人/专利权人：田中贵金属工业株式会社
本发明是含有以银为主要成分，以铟及／或锡为添加元素的光记录介质的反射膜用的银合金。该添加元素的浓度较好为０．１－２５重量％，特好在０．１－５．０重量％范围时，可抑制反射...
2005年11月30日
585
薄膜形成装置及薄膜形成方法　[申请号/专利号：03826575]
申请人/专利权人：株式会社新柯隆
本发明的薄膜形成装置（１）包括：内部维持真空的真空容器（１１）；将反应性气体导入真空容器（１１）内的气体导入单元（７６）；和在真空容器（１１）内产生反应性气体的等离子体...
2006年6月14日
586
光记录介质的反射层形成用的银合金溅射靶　[申请号/专利号：03826455]
申请人/专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社
本发明提供的银合金溅射靶由以下银合金构成，（１）含有Ｚｎ：０．１～２０质量％、Ａｌ：０．１～３质量％，剩余部为Ａｇ的组成的银合金，（２）含有Ｚｎ：０．１～２０质量％、Ａ...
2006年5月10日
587
光记录介质的反射层形成用银合金溅射靶材　[申请号/专利号：03826123]
申请人/专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社
本发明提供一种银合金溅射靶材，用于形成光磁记录盘（ＭＤ、ＭＯ）、光记录盘（ＣＤ－ＲＷ、ＤＶＤ－ＲＡＭ）等光记录介质的银合金反射层。由（１）含有Ｃｕ：０．５～３质量％、从...
2006年3月22日
588
制造溅射靶的方法　[申请号/专利号：03825999]
申请人/专利权人：贝克特股份有限公司
本发明涉及一种制造溅射靶的方法。该方法包括步骤：－提供具有某一热膨胀系数的靶支撑件；－提供具有某一热膨胀系数的靶材料。这种靶材料至少包括第一种和第二种化合物。这第一种化...
2006年3月1日
589
半导体装置的制造设备和半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：03822784]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种半导体装置的制造装置和制造方法。在成膜室（１１）的前级通过挡板等连接着装载闭锁室（１２）。在装载闭锁室（１２）上连接着供给Ｎ↓［２］气体和气体状或雾状的Ｈ...
2005年10月19日
590
PVD靶和处理PVD靶的方法　[申请号/专利号：03822025]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本发明包括具有非溅射区域（如侧壁（１４））和沿非溅射区域形成粒子捕集特征的ＰＶＤ靶。在特别的方面，粒子捕集特征可包括形成贮器的弯曲突起（２２）型式，并可在弯曲突起上包括...
2005年10月12日
591
铜溅射靶和形成铜溅射靶的方法　[申请号/专利号：03822014]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本发明包括一种含铜溅射靶。该靶是单块的或连接的，含至少９９．９９重量％铜并具有１－５０微米的平均粒径。该含铜的靶的屈服强度大于或等于约１５ｋｓｉ，布氏硬度（ＨＢ）大于约...
2005年10月12日
592
整体式溅射靶组件　[申请号/专利号：03821956]
申请人/专利权人：卡伯特公司
披露了一种带有由同一种材料制成的整体组件的整体式溅射靶组件。也披露了其他溅射靶组件，其具有背衬板和溅射靶坯，其中，背衬板由金属或者含有如阀用铅锡黄铜、钴、钛或其合金的金...
2005年10月26日
593
溅射靶及光记录介质　[申请号/专利号：03821407]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
一种以硫化锌为主成分、且含有氮化物的膜折射率调整在２．０～２．７的范围的溅射靶以及使用该溅射靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质。依据本发明，可得到一种...
2005年10月12日
594
溅射靶及光记录介质　[申请号/专利号：03821394]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
本发明涉及一种溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质，其特征在于，以硫化锌为主成分，且含有导电性氧化物与氮化物。可得到一种以硫化锌为主成分...
2005年10月12日
595
电子部件用金属材料、电子部件、电子设备、金属材料的加工方法、电子部件的制造方法以　[申请号/专利号：03820846]
申请人/专利权人：DEPT株式会社
本发明涉及电子部件以及电子设备或者在这些制品中使用的金属合金材料、电子以及金属材料的加工方法以及电子光学部件，提供一种适用于例如液晶显示元件、各种半导体制品或者部件、印...
2005年10月5日
596
溅射沉积中硒化银膜化学计量比和形态控制　[申请号/专利号：03820606]
申请人/专利权人：微米技术有限公司
一种溅射沉积硒化银并控制溅射沉积硒化银膜的化学计量比、结节缺陷形成和晶体结构的方法。该方法包括在约０．３－约１０ｍＴｏｒｒ的压力下，使用溅射沉积方法沉积硒化银。根据本发...
2006年11月29日
597
涂布以钛化合物薄膜的制品、制备该制品的方法和用于涂布该薄膜的溅射靶　[申请号/专利号：03819540]
申请人/专利权人：日本板硝子株式会社
本发明提供了通过溅射法在衬底上形成钛化合物膜的方法，该方法采用含有在氩气氛中溅射效率比钛高二或更多倍的金属（比如锡或锌）的钛靶来代替常规钛金属靶；涂布以钛化合物膜的制品...
2005年9月28日
598
溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机EL元件及其所用的衬底　[申请号/专利号：03818642]
申请人/专利权人：出光兴产株式会社
作成一种烧结体，其含有作为成分的氧化铟、氧化锌、氧化锡的１种以上，在该烧结体中含有氧化铪、氧化钽、镧系氧化物、及氧化铋的任１种以上的金属。在该烧结体上安装背板构成溅射靶...
2005年9月28日
599
高PTF溅镀靶和制造方法　[申请号/专利号：03818079]
申请人/专利权人：黑罗伊斯有限公司
本发明通过将至少两种不同类型的粉末混合在一起并用粉末冶金法固结粉末以形成坯料，从而形成用于沉积器械的靶。然后由坯料形成靶。靶包括具有第一ＰＴＦ的第一材料相和具有高于第一...
2005年9月21日
600
放电电源、溅射电源、以及溅射装置　[申请号/专利号：03817300]
申请人/专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
根据本发明的一种放电电源包括：一个直流电源单元；一个控制单元，它被用来控制直流电源单元的输出；以及一个振荡电流产生单元，它具有与直流电源单元的一对输出相并联的一个电容，...
2005年9月14日
 

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