溅射-第9页-钱眼专利分类

402

PDP保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法　[申请号/专利号：200510020547]
申请人/专利权人：四川世创达电子科技有限公司
本发明提供了一种ＰＤＰ保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法，其具体步骤为：１）先用５０℃～６０℃的中性洗涤剂刷洗基片，再采用超声的清洗方式用电阻率为１５～１７ＭΩ...

2006年4月12日

403

铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法　[申请号/专利号：200510020247]
申请人/专利权人：电子科技大学
本发明提供了一种铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法，它是通过射频溅射在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ的衬底上室温沉积得到非晶ＰＺＴ薄膜，采用传统热处理和快...

2006年8月2日

404

真空离子溅镀靶材　[申请号/专利号：200520071314]
申请人/专利权人：戴明光、林政乾
本实用新型公开了一种真空离子溅镀靶材，所述靶材包括两个相对排列的Ｌ形型材，两Ｌ形型材的中间设有凸字型材，两Ｌ形型材与凸字型材之间分别嵌设有Ｔ形型材，两Ｌ形型材和凸字型材...

江苏

405

高耐氧化纳米晶—非晶结构的超硬复合膜刀具及其沉积方法　[申请号/专利号：200510018267]
申请人/专利权人：吴大维
本发明公开了一种高耐氧化纳米晶－非晶结构的超硬复合膜刀具及其沉积方法，涉及新材料技术领域中的超硬复合膜刀具及其沉积方法，特别是涉及一种纳米晶－非晶结构超硬膜和复合氧化物...

2005年8月17日

武汉

406

纳米超晶格结构的超硬复合膜刀具及其沉积方法　[申请号/专利号：200510018266]
申请人/专利权人：吴大维
本发明公开了一种纳米超晶格结构的超硬复合膜刀具及其沉积方法，涉及新材料技术领域中一种超硬复合膜刀具及其沉积方法，具体地说，涉及工作靶的设置及靶材成分。本发明在真空室４中...

2005年8月17日

武汉

407

在医用不锈钢上制备钛陶瓷纳米膜的方法　[申请号/专利号：200510016298]
申请人/专利权人：天津师范大学
本发明涉及一种在医用不锈钢上制备钛陶瓷纳米膜的方法。先对医用不锈钢基材进行预处理，沉积前，将抛光清洗好的医用不锈钢放入ＩＢＡＤ设备的水冷可旋转样品台上，抽真空后，先用１...

2006年9月20日

天津

408

微颗粒表面真空镀金属膜工艺及其设备　[申请号/专利号：200510014639]
申请人/专利权人：北京航空航天大学、国家纳米技术产业化基地、深圳微纳超细材料有限公司
本发明涉及微颗粒表面真空镀金属膜工艺及其设备，其特征是采用样品架连接设有超声波或机械振动发生器的镀金属膜设备，进行微颗粒表面真空镀金属膜步骤如下：首先备好各种微颗粒材料...

2006年1月11日

409

模仁及其制作方法　[申请号/专利号：200510120726]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明提供一种模仁，其包括一基底层，该基底层包括一中央区域及环绕该中央区域的边缘区域，该中央区域凸出于该边缘区域，该中央区域及该边缘区域的表面具有一多层膜结构，该多层膜...

2007年6月20日

深圳

410

用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法　[申请号/专利号：200510011859]
申请人/专利权人：清华大学
用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法，涉及光电产业及半导体产业所需的金属溅射靶材及其制备。其是将铜、镓单质金属混合，在气体保护下或真空中，熔炼后浇注，同时...

2006年1月11日

411

铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法　[申请号/专利号：200510011858]
申请人/专利权人：清华大学
本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，是在钠钙玻璃Ｍｏ衬底上，先用真空磁控溅射法制备ＣｕＩｎＧａ的金属预制层，再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化...

2006年1月11日

412

一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法　[申请号/专利号：200510011734]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明提供了一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法。在溅射设备内同时安装Ｃｕ、Ａｕ和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积参数...

2005年12月28日

413

一种铜银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法　[申请号/专利号：200510011733]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明提供了一种铜银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法，属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料领域。在溅射设备内同时安装Ｃｕ、Ａｇ和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基...

2005年12月28日

414

一种金银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法　[申请号/专利号：200510011554]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明供了一种金银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法，属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料技术领域。在溅射设备内同时安装Ａｕ、Ａｇ和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和...

2005年9月21日

415

具有互补斜边以于其间形成倾斜间隙的多靶材牌　[申请号/专利号：200510106397]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
可应用于靶组件中的靶材牌组由多靶材牌（３０）组成，这些多靶材牌以一阵列的形式结合至一另一材料的背撑板（２４）上。在该阵列中的这些靶材牌的边缘（３２，３４）具有互补斜边，...

2006年11月29日

416

制备Mo合金制靶材料的方法　[申请号/专利号：200510009585]
申请人/专利权人：日立金属株式会社
本发明公开的是一种制备Ｍｏ合金制靶材料的方法，该方法包含下面步骤：（ａ）通过压制由平均颗粒尺寸不超过２０μｍ的Ｍｏ粉末和平均颗粒尺寸不超过５００μｍ的过渡金属粉末组成的...

2005年8月31日

417

离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的方法　[申请号/专利号：200510094611]
申请人/专利权人：江苏工业学院
本发明涉及一种新的ＺｎＯ薄膜实用制备技术，其将高纯度ＺｎＯ粉体，或原子比为１－５％的Ａｌ、Ｉｎ等氧化物均匀掺入ＺｎＯ粉体，用等静压压制成型，再烧结成溅射靶，并用纯Ｎ↓［...

2006年3月29日

江苏

418

硬质叠层被膜、其制造方法及成膜装置　[申请号/专利号：200510005755]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所
一种硬质叠层被膜，以层Ａ和层Ｂ的组成不相同的方式，交替叠层由特定组成构成的层Ａ和层Ｂ。每层的层Ａ的厚度是每层的层Ｂ的厚度的２倍以上，而且，每层的层Ｂ的厚度在０．５ｎｍ以...

2005年8月10日

419

带有可转动的磁控管的大面积组件的镀膜机　[申请号/专利号：200510069952]
申请人/专利权人：应用薄膜有限责任与两合公司
本发明涉及一用于镀膜的镀膜机，特别是通过阴极溅射方法对大面积基片镀膜的镀膜机，该镀膜机带有一镀膜室，且其中设置一阴极组件（２），在该阴极组件（２）中，用于溅射的材料被设...

2005年11月9日

联邦

420

用于高功率溅镀的电源联接器　[申请号/专利号：200510064057]
申请人/专利权人：应用薄膜公司、应用薄膜两合公司
介绍了一种用于涂覆基板的系统和方法。一个实施例包括高功率溅镀系统，具有构造用于将电力传送至可旋转靶的电源联接器。电源联接器位于真空室中或轴承与真空室外的可旋转靶之间，从...

2005年10月12日

421

铟锡氧化物的溅镀工艺与形成铟锡氧化物层的方法　[申请号/专利号：200510005003]
申请人/专利权人：中华映管股份有限公司
一种铟锡氧化物的溅镀工艺，包括下列步骤：将基板移至反应室内，其中反应室包括设置有铟锡氧化物靶材。然后，将等离子体气体以及反应气体通入反应室内，以便在基板上形成铟锡氧化物...

2006年8月9日

台湾

422

用于一个溅射靶的冷却背板和由多个背板组成的溅射靶　[申请号/专利号：200510003782]
申请人/专利权人：应用菲林股份有限两合公司
对于一种溅射靶系统提出权利要求，该溅射靶由多个单独地待冷却的背板（２，３，４）组成。每个背板（２，３，４，）在其背侧面上配有一个蜿蜒的槽（５），该槽被一个封闭板封闭。该...

2006年5月24日

联邦

423

阻障层及其制造方法　[申请号/专利号：200510002983]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是关于一种阻障层及其制造方法。该阻障层材质主要包括钽（Ｔａ）、钨（Ｗ）、钛（Ｔｉ）、钌（Ｒｕ）、锆（Ｚｒ）、铪（Ｈｆ）、钒（Ｖ）、铌（Ｎｂ）、铬（Ｃｒ）或是钼（Ｍ...

2006年4月5日

台湾

424

溅射离子泵的供电电源及电源驱动方法　[申请号/专利号：200510042737]
申请人/专利权人：中国科学院近代物理研究所
本发明涉及一种给特殊负载供电的方法，确切讲本发明是一种给用于抽取高真空的溅射离子泵供电的方法。本发明的方法是采用采用一台输出功率和其最大输出电流至少等于单台溅射离子泵最...

2005年11月16日

甘肃

425

室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法　[申请号/专利号：200510039179]
申请人/专利权人：江苏工业学院
本发明涉及功能薄膜材料制备技术，其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜，结合后续的结晶、退火，实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位，使薄膜的相变起始温度降低到１２－１６℃附...

2006年7月12日

江苏

426

溅射TiO*使聚合物微流芯片表面改性的方法　[申请号/专利号：200510024582]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种属于微机电系统技术领域的溅射ＴｉＯ↓［２］使聚合物微流芯片表面改性的方法，本发明具体步骤如下：１）将道康宁的ｓｙｌｇａｒｄ１８４Ａ溶液与ｓｙｌｇａｒｄ１８４Ｂ溶液进...

2005年8月24日

上海

427

一种氧化钒薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200510022085]
申请人/专利权人：电子科技大学
一种氧化钒薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域，具体涉及一种制备氧化钒薄膜的方法。本发明采用反应离子溅射镀膜工艺制备氧化钒薄膜，通过严格控制反应气体流量，降低制备的工艺...

2007年5月23日

428

电弧镀膜装置和方法　[申请号/专利号：200510005561]
申请人/专利权人：纳峰科技私人有限公司
一种物理蒸气镀膜装置，包括：一个靶，设置成与抽真空的腔室内部连通。装置适合与比如ＤＣ电源这样的电源进行电连接，从而在靶的表面上形成一个发射表面。腔室的侧壁通常作为阳极。...

2005年8月3日

新加

429

在剃须刀片刀口和剃须刀片上沉积涂层的方法　[申请号/专利号：200480043954]
申请人/专利权人：比克-维奥利克斯公司
本发明公开了一种在剃须刀片的剃须刀片刀口上沉积涂层的方法，其中，该涂层包含两种成分。在由至少第一和第二溅射靶构成的护罩内，每个溅射靶包含被沉积在刀口上的成分中的至少一种...

2007年9月12日

希腊

430

靶材料及其在溅射过程中的应用　[申请号/专利号：200480043213]
申请人/专利权人：应用材料有限公司
本发明涉及利用溅射来制备用于日照控制和吸收层的保护层的靶材料。这种靶材料由掺杂钛的硅组成。利用该靶材料制备的保护层可被加热而不使其性能显著改变。因此它也适合于涂覆加热随...

2007年5月9日

联邦

431

高完整性溅射靶材以及其批量制造方法　[申请号/专利号：200480041991]
申请人/专利权人：卡伯特公司
公开了一种制造金属板和溅射靶的方法。此外，进一步公开了由本发明方法制得的产品。本发明优选提供一种在金属产品表面具有减少的或最少纹路的产品，该产品具有许多优点。...

2007年6月20日

432

溅射靶和光信息记录介质及其制造方法　[申请号/专利号：200480041806]
申请人/专利权人：日矿金属株式会社
一种溅射靶，其特征在于，由向以ＳｎＯ↓［２］为主要成分的Ｉｎ↓［２］Ｏ↓［３］－ＺｎＯ－ＳｎＯ↓［２］类复合氧化物中添加ＳｉＯ↓［２］、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］中的任何一种...

2007年2月21日

433

溅射靶和光信息记录介质及其制造方法　[申请号/专利号：200480041752]
申请人/专利权人：日矿金属株式会社
一种溅射靶，其特征在于，由向以ＳｎＯ↓［２］为主要成分的Ｉｎ↓［２］Ｏ↓［３］－ＺｎＯ－ＳｎＯ↓［２］类复合氧化物中添加Ｔａ、Ｙ中的任何一种或两种元素的氧化物所得的材料...

2007年2月21日

434

氧化铟-氧化锡粉体和利用该粉体的溅射靶　[申请号/专利号：200480041061]
申请人/专利权人：三井金属矿业株式会社
本发明提供了能够以低成本生产的氧化铟－氧化锡粉体，且该粉体能够提供具有延长靶寿命的高密度溅射靶，并且提供了利用该粉体的溅射靶。包含Ｉｎ－Ｓｎ氧化物作为主要成分的氧化铟－...

2007年1月31日

435

光学记录介质及其生产方法、溅射靶、光学记录介质的使用方法和光学记录装置　[申请号/专利号：200480039879]
申请人/专利权人：株式会社理光
本发明的目的是提供光学记录介质等，其适应于较高密度和ＤＶＤ的８倍或更大的较高速率记录（约２８ｍ／秒或更高），并且显示出优秀的重复和保存性能。为此，提供光学记录介质，其包...

2007年1月24日

436

涂覆装饰性涂层的不锈钢条带　[申请号/专利号：200480038871]
申请人/专利权人：山特维克知识产权股份有限公司
本发明涉及一种涂层不锈钢带（１）产品，所述的钢带产品在一侧或两侧涂有均匀分布的涂层（２）。所述的涂层具有装饰性的外观，所述的涂层厚度最大为１０μｍ。所述的涂层的公差最大...

2007年1月17日

瑞典

437

磁电管及溅镀靶间的间距补偿　[申请号/专利号：200480036777]
申请人/专利权人：应用材料公司
本发明提供一种升举机构（１２４），对应使用于一电浆溅镀反应器（３０）内之一垂直移动的磁电管（７０）。该磁电管系统该靶材轴（７６）旋转，且可控制地升举离该靶材（３４）之该...

2007年1月3日

438

高纯度铪、由该高纯度铪形成的靶及薄膜和高纯度铪的制造方法　[申请号/专利号：200480034175]
申请人/专利权人：日矿金属株式会社
本发明涉及除锆和气体成分之外的纯度为４Ｎ或更高、氧含量为４０重量ｐｐｍ或更低的高纯度铪，以及由该高纯度铪形成的靶和薄膜；除锆和气体成分之外的纯度为４Ｎ或更高、硫含量和磷...

2006年12月20日

439

质子交换膜燃料电池中的双极板的低接触电阻连结方法　[申请号/专利号：200480032741]
申请人/专利权人：通用汽车公司
提供了一种用于电化学电池堆中的分隔器组件，所述分隔器组件包括具有第一表面的第一传导金属基板和具有第二表面的第二传导金属基板，其中所述第一表面和所述第二表面中的每个均覆盖...

2007年6月13日

440

钽溅射靶　[申请号/专利号：200480030918]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
一种钽溅射靶，其特征在于，在钽靶的表面，以整体结晶取向的总和为１时，具有（１００）、（１１１）、（１１０）之任一取向的结晶其面积率不超过０．５。本发明的课题在于得到成膜...

2006年11月29日

441

用于镀覆表面的模块化装置　[申请号/专利号：200480030608]
申请人/专利权人：普拉蒂特公开股份有限公司、皮沃特公司
本发明涉及一种用来镀覆工件（１０）的真空室，在该真空室内执行物理气相沉积（ＰＶＤ）方法。本发明目的是创造一种上述类型的真空室，其可以具有模块化的阴极。为此，该真空室具有...

2006年11月22日

瑞士

442

空心阴极型溅射靶的包装装置及包装方法　[申请号/专利号：200480030080]
申请人/专利权人：日矿金属株式会社
本发明提供空心阴极型溅射靶的包装装置和包装方法，其中，在空心阴极型溅射靶中，设置能够覆盖该靶的空间部的尺寸的盖子；在该盖子上设置一个或多个通孔；将树脂袋置于其上，并对袋...

2006年11月22日

443

铝类靶材及其制造方法　[申请号/专利号：200480028627]
申请人/专利权人：三井金属鉱业株式会社、日本轻金属株式会社
本发明的目的是提供尽量减少像气孔这样的内部缺陷、不发生翘曲的大面积铝类靶材。它是由多块铝合金靶材构成件构成的铝类靶材，具备通过搅拌摩擦焊接法接合铝合金靶材构成件的接合部...

2006年11月8日

444

银合金、其溅射靶材料及其薄膜　[申请号/专利号：200480027718]
申请人/专利权人：古屋金属株式会社
本发明的目的在于提供一种即使经过为彩色液晶显示器制造工序的加热工序也能够形成兼具如下２个特性的反射电极膜的Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ－Ｇｅ系银合金，所述２个特性为因热劣化导致的反...

2006年11月1日

445

溅射靶及使用其的Si氧化膜的制造方法　[申请号/专利号：200480027599]
申请人/专利权人：株式会社东芝、东芝高新材料公司
通过Ｘ射线衍射法测定溅射面的结晶面方位时，Ｓｉ溅射靶的Ｓｉ的（１１１）面的峰强度（Ｉ↓［（１１１）］）与（２２０）面的峰强度（Ｉ↓［（２２０）］）的比率（Ｉ↓［（１１１...

2006年11月1日

446

高纯度Ni-V合金、由该Ni-V合金形成的靶以及该Ni-V合金薄膜和高纯度Ni-V合金的制造方法　[申请号/专利号：200480026812]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
一种高纯度Ｎｉ－Ｖ合金或由该Ｎｉ－Ｖ合金形成的靶或该Ｎｉ－Ｖ合金薄膜，其特征在于，除去Ｎｉ、Ｖ以及气体成分的Ｎｉ－Ｖ合金的纯度为９９重量％以上，并且Ｖ含量的、铸块之间或...

2006年10月25日

447

对沉积工艺部件进行处理以形成颗粒捕集器的方法和在其上具有颗粒捕集器的沉积工艺部件　[申请号/专利号：200480026269]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本发明包括用于沿物理气相沉积部件的表面形成颗粒捕集器的方法，且包括在其上具有颗粒捕集器的物理气相沉积部件。本发明可包括将高度可溶的介质用于进行珠光处理和／或可包括将金属...

2006年10月18日

448

在三元混合物中包含铜的PVD靶和形成含铜PVD靶的方法　[申请号/专利号：200480023992]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本发明包括一种物理气相沉积靶，其含有铜和至少两种选自Ａｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ...

2006年9月27日

449

ITO溅射靶　[申请号/专利号：200480023856]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
一种ＩＴＯ溅射靶，其特征在于，在ＩＴＯ溅射靶中，以王水腐蚀时或溅射腐蚀时，表面出现的粒径在１００ｎｍ以上的粒子的个数为１个／μｍ↑［２］以下，并且密度在７．１２ｇ／ｃｍ...

2006年9月27日

450

在溅射处理系统中的等离子体转换的控制　[申请号/专利号：200480023784]
申请人/专利权人：MKS仪器股份有限公司
控制用于材料处理的等离子体的方法和装置，其特征是耦合到等离子体容器和电源的谐振电路和开关单元的协作行动。用于获取与等离子体容器中的等离子体的状态相关联的信号的传感器支持...

2006年9月27日