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钱眼专利首页 > 热处理法，例如应变退火 的专利共 22 条
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1
具有大表面积的单斜晶二氧化锆的制备方法　[申请号/专利号：97107288]
申请人/专利权人：巴斯福股份公司
含有至少８０％（重量）单斜晶和ＢＥＴ表面积至少为１００米↑［２］／克的ＺｒＯ↓［２］是通过水溶性锆盐水溶液与氨混合、干燥，煅烧沉淀产物来制备的，其中在干燥之前，在水相中...
1998年10月7日
2
一种连续生产四针状氧化锌晶须的工艺与设备　[申请号/专利号：200510031785]
申请人/专利权人：中南大学
一种连续生产四针状氧化锌晶须的工艺与设备，本发明以热镀锌渣或电锌片为原料，采用连续生产设备－还原炉的炉型、材质和连续运行方式，将其炉膛尺寸扩大，额定加热功率相应地放大，...
2007年1月10日
3
2008年12月10日
4
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200710137344]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于６×１０↑［－７］／℃且３８×...
2008年2月6日
5
一种树状分形结构的宏观ZnO单晶材料及其制备方法　[申请号/专利号：200710039173]
申请人/专利权人：华东师范大学
一种树状分形结构的宏观ＺｎＯ单晶材料及其制备方法，属于半导体光电子材料与器件的技术领域。以商品的ＺｎＯ粉、石墨粉和铜粉做原料，以易得的Ｎ↓［２］为气源，在水平管式生长炉...
2007年12月26日
6
一种织构化单相六角晶系铁氧体的快速制备方法　[申请号/专利号：200610019606]
申请人/专利权人：武汉理工大学
本发明一种织构化单相六角晶系铁氧体的快速制备方法，其包括Ｍ型钡铁氧体共沉淀前驱体的制备；还包括利用放电等离子对共沉淀前驱体进行烧结，其步骤包括：（１）将共沉淀前驱体装入...
2007年1月24日
7
掩模及其制造方法和用其制造薄膜晶体管的方法　[申请号/专利号：200510106739]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种用于制造多晶硅结构的掩模包括透射光的透射区以及具有以交替至少一次的方式淀积的金属层和半导体层的阻挡区。阻挡区阻挡光。掩模受到更少的来自光（例如激光束）的热应力，因此...
2006年4月19日
8
一种利用菱镁矿生产氧化镁晶须的方法　[申请号/专利号：200510045726]
申请人/专利权人：大连理工大学
本发明属于无机非金属材料的制备领域，涉及一种利用菱镁矿生产氧化镁晶须的方法。该方法以菱镁矿浆液和可溶性碳酸盐为原料，先制得前驱物，再经过程序升温煅烧得到氧化镁晶须。该晶...
2005年10月5日
9
一种高长径比氧化镁晶须的制备方法　[申请号/专利号：200510045725]
申请人/专利权人：大连理工大学
本发明属于无机非金属材料的制备领域，涉及一种高长径比氧化镁晶须的制备方法。该方法以可溶性镁盐和可溶性碳酸盐为原料，先制得碳酸镁前驱物，再经过程序升温煅烧得到氧化镁晶须。...
2005年10月5日
10
一种钛酸盐片晶的制备方法　[申请号/专利号：200510047963]
申请人/专利权人：隗学礼
本发明为一种钛酸盐片晶的制备方法，该方法的主要特点在于：以含钛化合物及含钾化合物作原料，按ＴｉＯ↓［２］／Ｋ↓［２］Ｏ的Ｍｏｌ比为３．５～４．５均匀混合，还加入了适量的...
2007年6月13日
11
超硬金刚石及其制造方法　[申请号/专利号：200480020156]
申请人/专利权人：华盛顿卡内基研究所
一种通过微波等离子体化学气相沉积生长、在超过４．０ＧＰａ的压力下加热到超过１５００℃的温度进行退火的单晶金刚石，其硬度大于１２０ＧＰａ。一种制造硬单晶金刚石的方法包括生...
2007年4月4日
12
固态单晶体的生长方法　[申请号/专利号：200380100707]
申请人/专利权人：赛若朴有限公司
本发明公开了一种在有反常颗粒生长发生的多晶体中生长单晶体的方法。该方法的特征是通过控制有反常颗粒生长现象发生的多晶体中基体颗粒的平均尺寸，减小反常颗的粒数目密度（单位面...
2005年11月2日
13
一种废次菱镁矿石生产高纯氧化镁单晶体的方法　[申请号/专利号：01128223]
申请人/专利权人：沈阳市苏家屯区胜利砂轮厂
本发明涉及菱镁矿矿石煅烧获得氧化镁的方法，具体地说是一种废次菱镁矿矿石生产高纯度氧化镁单晶体的方法。本发明的生产方法是将纯度３５～４４％的菱镁矿矿石，反射炉烧得轻烧镁，...
2003年4月9日
14
光电导或电致电导器件的制造　[申请号/专利号：01124756]
申请人/专利权人：惠普公司
用来使制作在具有不利结晶生长形貌的下层上的非晶膜结晶的方法，包括提供有利生长的衬底，然后在有利生长的衬底的引晶表面上制作第一不利生长层。在第一不利生长层中腐蚀出窗口，使...
2002年2月20日
15
单晶陶瓷粉末的制备方法、单晶陶瓷粉末及其复合材料、电子部件　[申请号/专利号：02121729]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明提供了一种陶瓷粉末的制备方法，其包含：将由陶瓷成分组成的粉体与载气一起供给到加热处理区域的粉体供给工序、将被供给到上述加热处理区域中的上述粉体加热到单晶化所必需温...
2003年1月8日
16
将掺杂的多晶材料转化成单晶材料　[申请号/专利号：95102002]
申请人/专利权人：通用电气公司
将多晶陶瓷体转变成单晶体的固相方法，用能提高转化的掺杂剂掺杂多晶陶瓷材料，在选定温度下加热多晶体至足以将多晶体转变成单晶的时间。所择温度低于多晶材料的熔化温度，但高于该...
1995年12月20日
17
低温制备片状α-Al*O*单晶颗粒的方法　[申请号/专利号：200610116360]
申请人/专利权人：上海大学
本发明涉及一种低温制备片状氧化铝单晶颗粒的方法，属陶瓷材料Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］的制备工艺技术领域。本发明采用熔盐法，利用经煅烧的Ａｌ（ＯＨ）↓［３］粉体或γ－Ａｌ↓［...
2007年3月28日
18
激光结晶用的光掩模图案结构与阵列　[申请号/专利号：200610009270]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种激光结晶用的光掩模图案结构与阵列，用以控制由连续性侧向长晶（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ　　Ｌａｔｅｒａｌ　　Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ；　ＳＬＳ）技术所形成的低温多晶硅...
2006年8月2日
19
一种用于连续横向结晶技术的掩膜及使用该掩膜的方法　[申请号/专利号：200510103240]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供一种用于连续横向结晶技术的掩膜及该掩膜的使用方法。该掩膜包括：至少一透明光栅，该透明光栅包括二长边，一前缘与一后缘，所述二长边相互平行且长度相等，所述前缘朝向...
2007年3月21日
20
一种非线性光学晶体铝硼酸钾钠及其制备方法和用途　[申请号/专利号：03157325]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种非线性光学晶体铝硼酸钾钠，其分子式为ＫＮａＡｌ↓［２］Ｂ↓［２］Ｏ↓［７］，与常用的非线性光学晶体Ｋ↓［２］Ａｌ↓［２］Ｂ↓［２］Ｏ↓［７］同构，空间群Ｐ...
2005年3月23日
21
负载化单分散纳米晶体制备技术　[申请号/专利号：200410060748]
申请人/专利权人：福州大学
一种负载化单分散纳米晶体制备技术，它解决了现有技术制备的纳米晶体粒子之间因聚合而长大的缺陷，提供一种制备的纳米晶体粒子小、粒子之间不再聚合或长大的负载化单分散纳米晶体制...
2005年3月23日
22
采用籽晶使多晶氧化铝到兰宝石的固态热转换　[申请号/专利号：94115347]
申请人/专利权人：通用电气公司
将多晶陶瓷体整体转换成化学组成相同且和籽晶晶向相同的单晶体的固态方法，包括将所说体加热，在该体和籽晶之间形成整体结合，将该结合体加热以减少晶粒生长抑制剂并进一步加热至结...
1995年6月14日
23
多晶氧化铝到兰宝石的固态热转换　[申请号/专利号：94115321]
申请人/专利权人：通用电气公司
一种将致密多晶陶瓷体转换成单晶体的固态方法已被实施，该方法是将多晶料加热至该物料熔点二分之一以上，但低于物料熔点的温度。由于该方法是一种固态方法，所以不需要熔化该陶瓷体...
1995年6月14日
 

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