单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置-钱眼专利分类

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如何搜索

熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法(329)	硅(205)	晶须或针状结晶(189)	复合氧化物(174)
外延层生长(153)	正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法(130)	氧化物(123)	氮化物(116)
热处理(101)	单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之生长、制备或后处理专用的一般装置(101)	钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐(91)	铌酸盐；钒酸盐；钽酸盐(89)
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长(85)	AⅢBv化合物(82)	碳化物(81)	加压法，例如水热法(78)
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(78)	金刚石(61)	分子式为A3Me5O12的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石(59)	承载熔融液的坩埚或容器(58)
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长(55)	无机化合物或组合物(50)	卤化物(48)	添加掺杂材料，例如用于n-p结的(47)
气体供给或排出用的装置；反应气流的变换(46)	常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长(43)	铝的氧化物(40)	熔融液或已结晶化材料的加热(38)
外延层生长(37)	含硫、硒或碲的化合物(36)	AⅡBⅥ化合物(36)	以形状为特征的(35)
离子注入法(35)	元素(35)	控制或调节(32)	硅酸盐(32)
磷酸盐(31)	有机化合物(31)	液相外延层生长(31)	衬底夹持器或基座(31)
转动或移动熔体或晶体的机构(29)	溶液冷却法(29)	以衬底为特征的(28)	合金(27)
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼(27)	盐溶剂，例如助熔剂生长(25)	反应室或衬底的加热(25)	直接自固体的单晶生长(24)
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长(23)	平面晶体，例如板状、窄条状、圆盘状晶体(22)	热处理法，例如应变退火(22)	以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料(19)
由溶液中的化学反应生成的结晶化材料(19)	由固态直接制备(18)	向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的(17)	高分子化合物(17)
用电场的，例如电解法(17)	感应法，例如热线式法(17)	单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置(16)	使用电视摄像机的；使用光检测器或X射线检测器的(16)
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制(16)	生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法(16)	使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长(15)	凝胶的单晶生长(15)
分子式为AMeO3的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如正铁氧体(15)	固相反应法或多相扩散法(15)	石英(14)	在溶液或熔体内(14)
双坩埚法(14)	在气体气氛或等离子体内(13)	几何形状复杂的晶体，例如管状、圆筒状的晶体(13)	籽晶夹持器，例如籽晶夹头(12)
制备具有一定结构的均匀多晶材料(12)	由液态制备(11)	电离气化物的冷凝法(11)	砷化镓(11)
侵蚀(11)	用电场或磁场或粒子辐射(11)	熔融溶液冷却法(11)	不使用溶剂的(11)
同气态扩散材料接触的(10)	利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料(10)	沉积室、衬底或欲蒸发材料的加热(10)	使用熔融态溶剂，如助溶剂的(10)
反应室；其所用材料的选择(9)	图案沉积，例如使用掩膜的(9)	控制或调节(9)	以籽晶为特征的(9)
熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的(8)	自熔融液的提拉法(8)	正常凝固法或温度梯度凝固法(8)	以籽晶，例如其结晶取向为特征的(8)
以衬底为特征的(7)	下拉(7)	用反应气体的化学反应法(7)	锗(7)
反应溅射法的(7)	反应室；其所用材料的选择(7)	反应室的加热(7)	用非水溶剂的(7)
至少有一种但非晶体成分之全部组分是添加的(7)	金属溶剂(6)	使用晶体组成之一种组分作溶剂的(6)	衬底夹持器或基座(6)
与外延层材料相同的衬底(6)	反应室；承载熔融液的舟皿；衬底夹持器(6)	由气态直接制备(6)	区熔法(5)
使用电磁波的(5)	控制或调节(5)	晶体的接合(5)	电磁波辐照或粒子辐射法掺杂(5)
具有叠层结构的晶体，例如"超晶格晶体"(5)	气化态组分，例如气化相-液相-固相生长(5)	区熔重结晶(4)	生长期间的压力处理法(4)
熔融区的加热(4)	接触或浸入熔融区域的加热元件(4)	气体供给或排出的装置；气流的变换(4)	控制或调节(4)
同固态扩散材料接触的(4)	用水溶剂的(4)	共晶材料的定向凝固(4)	夹层的工艺方法(4)
保护流体下的单晶生长(3)	自熔体的提拉法(3)	正常浇铸法或温度梯度凝固法(3)	使用机械装置，例如成形导模的(3)
利用晶体或熔体重量变化的，例如浮称法(3)	辐射法或放电法(3)	熔融态溶剂的蒸发法(3)	扩散材料为被扩散元素之化合物的(3)
硫化镉(3)	用机械振荡的(3)	在微重力或零重力条件下的(3)	磷化镓(3)
分子式为BMe2O4的，其中B为Mg、Ni、Co、Al、Zn或Cd，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al(3)	同时添加掺杂材料的(3)	以气态或气化态的(3)	坩埚或舟皿(2)
温度梯度下的重结晶(2)	用磁场的(2)	使用其他溶剂的(2)	添加掺杂材料的(2)
溶剂蒸发法(2)	熔融区的稳定化或形状控制，例如用浓缩器的、用电磁场的；控制晶体截面的(2)	非垂直提拉(2)	除其他加热方法以外用直接电阻加热法，例如使用珀尔帖加热的(2)
晶体组分之一是溶剂的(1)	辐照法和放电法(1)	移动装料或加热器用的机构(1)	图案沉积，如使用掩模的(1)
电解法(1)	等温重结晶(1)	同液态扩散材料接触的(1)	共析材料的定向分层(1)
固态组分或液态组分，例如焰熔法(1)	用溶剂的区域熔化，例如移动溶剂法(1)	不遍及整个横截面的熔融区(1)

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